液态DMF中N—14四极耦合常数的实验测定

本文利用质子的＾１３Ｃ卫星峰与＾１２Ｃ主峰的弛豫速率之差为纯的偶极偶极机制这一原理，较精确地测定了２５℃时ＤＭＦ分子的取向相关时间，结合分子中Ｎ－１４的四极弛豫时间，得到了液态ＤＭＦ分子中Ｎ－１４核的四极耦合常数为３．４２ＭＨｚ．     

钻地弹自适应引信方案

不论机械引信、全电子引信还是机电一体化引信，都利用传感器对环境、目标进行探测，获取信息，并加以识别和处理，用于对战斗部安全保障和炸点控制。通常，钻地弹自适应引信利用加速度传感器测量弹体侵彻过程的加速度信号，一方面运用数字信号处理技术提取加速度信号的特征信息，如加速度幅度、拐点、上升沿、突变次数等，由此对目标层数有效判别，实现定层引爆；另一方面，在已知侵彻初速度和侵彻角度时，对加速度信号积分便得到实时侵彻速度，再次积分可得侵彻深度，从而实现定深引爆。     

用于频域方法测量超短电子束纵向分布的Kramers-Krönig变换研究

Kramers-Krönig(K-K)变换方法被广泛地应用于频域测量中还原超短电子束团分布,成为分析电子束团形状、长度等参量的有效工具. 研究发现,利用该方法分析电子束参量时,自相干曲线基底的选择、低频损耗与高频截止及插值外推位置的选择,对束团参量有重要的影响. 以清华大学加速器实验平台采用相干渡越辐射测试束团长度为例,分析了上述参量的选取对测量结果的影响,讨论了选择K-K变换的关键物理参量的方法. 关键词： Kramers-Krönig变换 频域测量 超短电子束团 相干渡越辐射     

初次级等效比为1:43.4分数比脉冲变压器

 在理论分析分数比脉冲变压器输出脉冲上升时间与变压器次级绕组匝数、磁芯截面积和伏秒积等参数关系的基础上,设计建造了一台初次级等效比为1∶43.4分数比脉冲变压器,等效到次级的漏感为157.3 μH,分布电容为412.4 pF。低电压实验得到负载上的脉冲上升时间为894 ns,高电压实验得到负载上的脉冲上升时间为917 ns,电压幅值42.7 kV,表明所设计建造的分数比脉冲变压器达到了设计要求。     

中物院1～4.2 THz FEL装置波导谐振腔优化设计

针对中物院高功率太赫兹自由电子激光（THz FEL）装置,结合FEL光腔振荡器实验的实际情况,提出了全波导近共心谐振腔设计方案。完成了THz波段波导光腔对光腔品质影响的理论分析和模拟计算,确定了波导设计尺寸为14 mm和22 mm。同时针对最初实验调试过程中无法出光饱和的问题,提出将波导更换为22 mm大尺寸波导的建议,波导更换后很快在2.56 THz获得饱和出光。另外针对实验频段无法覆盖到1～2 THz的问题,我们通过波导内壁粗糙度进行分析判断,提出采用14 mm铜材质的全波导FEL振荡器的设计方案,采用该方案后,实验成功将辐射频段拓展到0.7～4.2 THz,获得饱和输出。     

论活塞平衡条件

对于光滑绝热的活塞,其两侧压强相等并不能保证达到平衡.本文通过理想气体模型,从微观的角度说明,如果绝热活塞两侧气体温度不等,即使压强相等也依然会有能量通过活塞的振动从高温气体传递给低温气体,并指出此效应在宏观体系中较难观察到而在介观体系中非常显著.     

9MeV,小于0.1mm微焦点X射线源验证实验

密度高、成像分辨率高、成像速度快的X射线数字成像检测需要高能微焦点大剂量X射线源,高品质电子源是实现这一X射线源的关键手段。基于中国工程物理研究院太赫兹自由电子激光的主加速器,验证了低发射度、低能散度的高亮度电子束实现高能微焦点的可行性,得到电子束半高全宽尺寸小于70μm的9 MeV微焦点,并初步开展成像实验,双丝像质计焦斑清晰分辨9D号丝,丝直径0.13 mm。     

Impact of nitrogen plasma passivation on the interface of germanium MOS capacitor

Nitrogen plasma passivation(NPP) on(111) germanium(Ge) was studied in terms of the interface trap density,roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The results show that NPP not only reduces the interface states, but also improves the surface roughness of Ge, which is beneficial for suppressing the channel scattering at both low and high field regions of Ge MOSFETs. However, the interfacial layer thickness is also increased by the NPP treatment, which will impact the equivalent oxide thickness(EOT) scaling and thus degrade the device performance gain from the improvement of the surface morphology and the interface passivation. To obtain better device performance of Ge MOSFETs, suppressing the interfacial layer regrowth as well as a trade-off with reducing the interface states and roughness should be considered carefully when using the NPP process.     

链球菌烯醇化酶与致热外毒素B成熟的相关性

在化脓性链球菌致热外毒素B(SpeB)活性阳性菌株对数生长末期的细胞培养液中发现1个分子量约为50000的蛋白, 该蛋白随后消失; 用聚丙烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)分离, 串联质谱(MS/MS)分析确认该蛋白为链球菌烯醇化酶(Enolase, Eno); 通过基因敲除方法构建eno基因缺失突变株, 研究了Eno蛋白对SpeB活性形成的影响. 结果表明, eno基因的缺失推迟SpeB成熟的时间; 通过Far-Western blot 分析显示, Eno与SpeB之间能发生相互作用. 考虑到化脓性链球菌胞外蛋白通过同一通道分泌, 推测Eno可能参与了SpeB酶原分泌到胞外的过程, 为新发现的SpeB蛋白分子伴侣.     

水产品中14种磺胺类药物残留的HPLC法同时测定

建立了HPLC法同时分离并检测鱼、虾等水产品中14种磺胺类抗菌药物。样品经无水硫酸钠脱水后,乙腈提取药物,再用乙腈饱和正己烷脱脂净化。以乙腈-3％冰醋酸为流动相,采用梯度淋洗,于268nm波长处检测．该法的检出限为0．01～0．02mg／kg,样品的加标回收率为66％～92％。