AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率.用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象.同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG迁移率的主要散射机理.     

GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究

通过对GaN/Al_xGa_1-xN异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因.结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率,并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.     

锆钛酸铅双层膜的铁电及光学特性研究

采用化学溶液沉积法在LaNiO₃涂布的硅晶片上制备了高度(100)择优取向,表面均匀、平整、致密无裂纹的PbZr_0.5Ti_0.5O₃/PbZr_0.4Ti_0.6O₃双层膜. 双层膜具有单一的钙钛矿相,同时拥有良好的铁电性能,剩余极化强度高达64μC/cm²,平均矫顽场仅为43.6kV/cm. 棱镜-薄膜耦合实验结果表明PbZr_{关键词： 铁电薄膜 平板光波导 锆钛酸铅 棱镜-薄膜耦合}     

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E21=κ*ωc(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E21=(2κ 1*ω/2,填充因子出现奇数.     

CdxHg1-xTe混晶的远红外反射光谱和多振子模型

在温度4.2—300K和波数15—450cm^-1范围内研究了x=0.18到0.45的不同组份的Cd_xHg_1-xTe样品的远红外反射光谱。实验观察到了类CdTe光学声子反射带的精细结构和低组份样品类HgTe反射带的复杂结构,研究了这些结构对组份和温度的关系,并用多振子模型讨论了反射光谱的这种精细结构。对实验反射光谱用经典的振子匹配方法进行了拟合计算,并从这种拟合运算获得了Cd_(x^-)Hg_1-xTe的远红外介电函数谱及其它光学常数和频率的关系。 关键词：     

中远红外傅里叶变换发光测量中双调制技术的实现与优化

对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进,张入双调制技术,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上,引入更高频率调制－锁相测量手段,通过这一测量方法的引入,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化,基本消除了室温背景的黑体辐射在4μm－5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰,在10μm长波红外波段得到了无室温背景黑体辐射影响的光致发光光谱,从而将光致发光测量推至5μm以上长波红外波段。     

p-Hg1-xCdxTe材料中轻空穴的性质研究

通过变磁场霍尔测量方法,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法,在12-300K范围内,获得了两块分子束外延(MBE)生长的p-Hg_1-xCd_xTe(x=0224)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率.此外,在实验中,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献.实验值不仅具有明确的物理意义,而且有助于红外探测器模型的建立. 关键词：     

p-H_(1-x)Cd_xTe材料中轻空穴的性质研究

通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (MBE)生长的p Hg1-xCdxTe(x =0 2 2 4)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率 .此外 ,在实验中 ,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献 .实验值不仅具有明确的物理意义 ,而且有助于红外探测器模型的建立 .     

Cd1-xZnxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

 在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Cd_1-xZn_xTe（x=0.04）在室温下、17 GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明,它在3.1 GPa左右和5 GPa左右发生了两次电子结构相变,而在3.1 GPa以上和5.7 GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时,还在活塞-圆筒测量装置上研究了Cd_1-xZn_xTe（x=0.04）在室温下、4.5 GPa内的p-V关系。实验结果表明它在3.8 GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程,以及它的Grüneisen参数γ₀、体弹模量B₀ 与B₀ 的压力导数B₀′。     

An Improved Room-Temperature Silicon Terahertz Photodetector on Sapphire Substrates

We design and fabricate a good performance silicon photoconductive terahertz detector on sapphire substrates at room temperature.The best voltage responsivity of the detector is 6679 V/W at frequency 300 GHz as well as low voltage noise of 3.8 nV/Hz~(1/2) for noise equivalent power 0.57 pW/Hz~(1/2).The measured response time of the device is about 9 μs,demonstrating that the detector has a speed of110 kHz.The achieved good performance,together with large detector size(acceptance area is 3μm×160μm),simple structure,easy manufacturing method,compatibility with mature silicon technology,and suitability for large-scale fabrication of imaging arrays provide a promising approach to the development of sensitive terahertz room-temperature detectors.