ELECTROREFLECTANCE SPECTRA OF GexSi1-x/Si STRAINED LAYER MULTIPLE-QUANTUM WELLS

We have investigated the optical transitions above the fundamental gap of a set of Ge_xSi_1-x/Si strained layer multiple-quantum wells by electroreflectance (ER). The sam-ples were grown by molecular beam espitaxy (MBE). The thickness of the strained layer of Ge_xSi_1-x was 5nm with Ge concentration x in the range from 0.4 to 0.5, and the Si barrier layer greater than 16nm. Considering the energy shift caused by strain and quantum well confinement, we were able to clearly recognize the transitions from different quantum well structures associated with the critical points E₀, E′₀, and E₁. The transitions of the critical points E₀ and E′₀, which are very weak in bulk mateials, are apparently enhanced in the quantum well structures.     

WO2.90在烯烃催化氧化反应中的应用

本文研究大表面积的WO_2.90^[1]对丙烯的热脱附作用,并以丙烯和环己烯作为直链和环状烯烃的典型化合物,初步探讨其催化氧化性质。     

用热脱附方法测定氧气、乙醇在Porapak样品上的脱附级数和脱附活化能

本文采用热脱附(TDS的实验方法,以多孔性Porapak微球为样品,测定了氧气、乙醇分子在PorapakQ、N两种样品上的脱附级数n和脱附活化能E_d,并与气相色谱法测定的吸附热作了比较。得出E_d≥ΔH令人满意的结果。     

电视导引头的激光回波分析

阐述了用激光主动扫描法侦察远方飞航导弹来袭方位的原理及实验技术。以电视导引头光学系统为例,运用矩阵光学追迹法对影响“猫眼效应”回波强度的因素进行了定性和定量的分析。研究结果表明:回波强度受导引头光路中光学镜头的相对孔径、摄像管靶面倾斜和离焦的影响较大;扫描激光光束的入射角等因素对回波强度也有一定的影响。在主动扫描装置与被探测导引头相距约5000m、扫描光束的入射角为0.1rad的条件下,导引头光学系统反射面倾斜和离焦使得侦察装置接收到的回波能量与发射脉冲能量之比由理想条件下的1.0%分别下降到了0.004%和0.3%。     

金属超晶格

金属超晶格是将两种金属以薄膜的形式交替地在石英、云母、蓝宝石或NaCl晶体等衬底上淀积而成的一种人工多层结构,有时又称为层状超薄共格结构(layered ultra-thin coherentstructure,缩写为LUCS)或成分调制结构(composition modulated structure,缩写为 CMS).虽然早在四十年代就有人对人造层状材料用作X射线衍射光栅发生兴趣,但只是在七十年代末当真空蒸发、溅射等一些精密的薄膜淀积技术以及薄膜厚度和质量的监控、检测技术有了重大进步后,从原子级加工的水平上来制备金属超晶格才成为可能.这方面的开创性工作是由美国 Argonne实验室…     

Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究

利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p_3/2,As2p_3/2的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm 关键词：     

GaN异质外延的离子化氮源方法

用电离Ｎ_２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）X射线衍射峰宽仅２３′。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处． 关键词：     

ELECTROREFLECTANCE SPECTRA OF GexSi1-x/Si STRAINED LAYER MULTIPLE-QUANTUM WELLS

We have investigated the optical transitions above the fundamental gap of a set of Ge_xSi_1-x/Si strained layer multiple-quantum wells by electroreflectance (ER). The sam-ples were grown by molecular beam espitaxy (MBE). The thickness of the strained layer of Ge_xSi_1-x was 5nm with Ge concentration x in the range from 0.4 to 0.5, and the Si barrier layer greater than 16nm. Considering the energy shift caused by strain and quantum well confinement, we were able to clearly recognize the transitions from different quantum well structures associated with the critical points E₀, E′₀, and E₁. The transitions of the critical points E₀ and E′₀, which are very weak in bulk mateials, are apparently enhanced in the quantum well structures.     

漫谈表面物理学

 表面研究的重要性很早就为科学家所认识.在本世纪二十年代,美国物理学家吉布斯就提出了表面相的概念,并且奠定了表面热力学的基础.但从现代科学的意义上说的表面物理学则是从六十年代初才开始发展起来的.这是由于超高真空技术的实用化和各种电子能谱技术的发明,人们便能够从原子的线度上来研究表面的性质以及在其上面所发生的物理和化学过程,从而奠定了现代表面物理学的基础.