Ge BEAM TREATMENT OF Si SUBSTRATE FOR MOLECULAR BEAM EPITAXY

A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO₂ on the Si subetrate. It has proved that the SiO₂ will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of Ge_xSi_1-x/Si.     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

蓝色氧化钨吸附丙烯和氧的热脱附谱

在超高真空条件下,用对样品进行闪烁加热的方法测定了蓝色氧化钨WO_2.90吸附丙烯和氧的热脱附谱。发现在室温下,丙烯在蓝色氧化钨表面只有一个吸附态,对应于热脱附谱中在100℃附近出现一个脱附峰。实验测定的热脱附参数为n=1(一级脱附),脱附活化能E_D=10.1kcal/mol。温度升高,丙烯在蓝色氧化钨表面形成稳定吸附态的几率减小。在125℃以上,不能形成稳定的吸附态,蓝色氧化钨在室温下对氧的吸附并不明显,温度升高到300℃以上,WO_2.90 关键词：     

不完全信息下选择供应链VMI合作伙伴的信息甄别模型

在日益开放和不断变动的市场环境中,零售商很难在为数众多的潜在的合作伙伴中,鉴别出哪些供应商的可信任程度.为了解决供应商管理库存(VMI)的战略合作伙伴关系中的信任问题,本文根据Spence的信息发送和信息甄别理论,分析了零售商设计出具有相应的信息共享和利益共享程度的最优契约方案.首先,零售商根据潜在供应商在先进的信息系统等硬件建设、提高企业员工对VMI的理解和掌握程度的技能培训等方面的可观察指标的高低,设计出最优契约方案,其规定了供应商不同的投入水平与相应的效用之间函数的关系;其次,供应商根据自己实际能力选择合适的信息系统基础设施和员工培训等投入水平,从而达到激励相容,显示出真实的可信任程度.     

掺铒硅的发光特性及机理

Ｓｉ中掺Ｅｒ是利用Ｅｒ离子的发光来制造Ｓｉ基发光二极管的一条途径,文章对掺Ｅｒ的一些基本物理特性,如铒在硅中的电子结构,电学特性以及光致发光和电致发光的机理等,根据目前研究的进展进行了综合介绍。     

Si(111)表面吸附氢会形成双氢化相吗?

用热脱附谱研究了原子氢在Si(111)表面的吸附,得到了两个吸附状态。从脱附谱特性同Si(100)/H系统的相似性,可以推测氢在Si(111)表面也存在单氢化相和双氢化相两种状态。单氢化相主要是顶位吸附所形成的,而双氢化相的形成则可以用McRae所提出的Si(111)(7×7)表面原子结构的三角形二聚物层错模型来解释。 关键词：     

In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究

用光电子能谱结合LEED图样分析的方法研究了In在非解理的GaAs(111)面上的界面形成过程。观察到在这一过程中三维In集团的生长起支配作用。发现对于所有研究过的n型样品,包括Ga终止的GaAs(111)-A面和As终止的GaAs(111)-B面,淀积In之前的表面费密能级均在VBM上面0.75±0.05eV处,在淀积过程中迅速移至VBM上面0.90±0.05eV处。 关键词：     

多孔硅发光机理的新探索

自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提，该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型，并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后，提出了载流子注入，约束和复合机理的定性假设。     

新型锗硅异质结远红外探测器研制成功

工作于8～12μm波段的远红外探测器在遥感、制导、夜视技术等方面有着重要的应用.特别是在海湾战争以后,更加受到各国军方和高科技界的重视.1990年美国加州理工学院喷气推进实验室发展了一种新型的锗硅异质结远红外探测器.它具有金属硅化物肖脱基(PtSi/Si和IrSi/Si)势垒探测器的优点,即工艺简单,大面积的均匀性好,读出电路简单,能和硅大规模集成技术相容等,而它的工作波长比肖特基势垒更长,量子效率更高.与当前流行的镓砷/铝镓砷量子阱红外探测器相比,它可以在垂直光照下工作,因而容易实现大面积的阵列.1991年美国麻省理工学院用它研制成…