GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析

用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量Ge_xSi_1-x/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。 关键词：     

第一讲 二维结晶学的基本概念

近十几年来，由于生产技术的需要、表面分析方法的逐步完善以及固体物理本身的发展，表面物理迅速发展成为一门新的物理学分支学科．为了介绍表面物理各个方面的基础知识和基本规律，本刊从这一期起连续刊载“表面物理讲座”，供广大读者阅读、参考。     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的（111），（III）表面上的吸附

氢在GaAs, 和InP 表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS) 来探测.Ga-H侧, As-H , In-H 和P-H 键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失. 但是A-H 振动极容易和Ga-H 振动追加声子损失相混淆, 只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布. 对于GaAs (1 1 1)面, 低暴露量时只形成Ga-H 键, 而高暴露量时还可以形成As-H 键.而InP(1 1 1 ) 表面由于是经过磷气氛退火处理的, 在低暴露量下In 一H 与P一H 键均可形成. InP (III) 面上只看到P-H 损失峰, 说明这个表面是完全以P 原子结尾的. 在(1 1 1 ) 面上出现小面的情形, 则表面III族和V族原子均可同氢成键. 关键词：     

NaCl微晶粒大气中扫描隧道显微术成像研究

研究了NaCl晶粒在室温下大气环境中扫描隧道显微术(STM)成像性质。对不同形态大小的NaCl晶粒所作的研究表明:离子导电在隧道过程中起着关键作用。由于离子导电机理和强电场的作用,造成STM图像存在“牵引现象”,使针尖分辨能力降低。样品与针尖之间的偏压、环境湿度对隧道状态有较大的影响。     

非共价法分离光学活性单壁碳纳米管

单壁碳纳米管（SWNTs）由于具有独特的物理、化学性质,激起人们极大的研究兴趣。目前生产的SWNTs通常包含等量左旋和右旋对映异构体,无光学活性,极大地限制碳纳米管在光学和光电子领域的研究和应用。已报道的非共价法分离光学活性碳纳米管的方法主要有离子交换色谱法、nanotweezers选择法、密度梯度超高速离心法、共轭聚合物缠绕法和小分子吸附法。本文较为详尽地综述了非共价法分离光学活性碳纳米管的研究进展,对各种分离方法的机理进行阐述,并在此基础上分析这些方法和分离效果的关系,指导设计和合成新型的分离试剂。最后,本文还针对上述研究中存在的问题,提出了旋光性SWNTs分离技术的研究方向。     

同步辐射X射线掠入射衍射实验技术及应用

利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法.对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号.实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域.     

光辉的一生 崇高的品德——深切怀念谢希德教授

2000年3月4日晚9时35分,与病魔顽强斗争到最后一息的谢希德先生,不幸与世长辞,离开了我们,也离开了她毕生为之奋斗的共产主义事业.1　物理世家谢希德先生1921年3月19日出生于福建省泉州市蚶江镇赤湖乡.她的父亲谢玉铭早年毕业于燕京大学.1923年,她父亲得到洛克菲勒基金社的奖学金赴美国留学,母亲郭瑜瑾女士则在厦门大学念书.在谢希德4岁时,母亲不幸患病去世,此时,父亲正在美国芝加哥大学攻读物理博士学位,幼小的谢希德在祖母照料下过日子.1926年,谢玉铭先生学成回国,应聘在燕京大学物理系执教.谢希德7岁时,父亲与燕京大学数学系毕业生张舜英…     

InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究

用俄歇电子能谱观察清洁InP表面在电子束照射下与真空室中H₂O和O₂的相互作用,发现水蒸汽所引起的电子束感应吸附氧的作用比氧气要明显得多。在吸附氧的同时,In和P的俄歇信号也发生变化,分析其过程为一种氧化过程,氧一开始先同表面的In结合成为氧化铟,随后向表面以内透入,并不断同In和P结合,氧化层的厚度随时间几乎是线性地增加的。与InP的自体氧化层的俄歇深度分布相比较,二者极为相似,所不同的是,电子束感应吸附的氧不足以使表面层中的磷全部氧化,而ESO的氧化层中磷的 关键词：     

多孔硅发光研究的最新进展──纳米尺寸硅的发光和电子特性国际讨论会介绍

这是作者参加１９９３年２月在美国召开的有关多孔硅发光的国际会议后写的总结．它深入浅出地介绍了会议的全貌，概括了多孔硅发光及有关性质的研究现状和进展，有助于广大读者了解物理学中这一热点、领域的进展和现状．本刊热切希望参加有关物理学热点领域国际会议的同志及时为我刊撰写这类会议报道．     

薄膜物理及其应用讲座：第七讲 铁电薄膜神经元器件

在分析大脑神经元细胞的工作原理基础上，得出了在人工神经网络中的神经元器件应具有的特点，并介绍了硅基铁电薄膜神经元器件的模型及原理，该器件利用铁电薄膜具有随外加脉冲电压而改变的自极化状态，来调制半导体表面的电阻，以达到不同状态输出的目的。