低温冷冻干燥超微粉制备陶瓷超导材料

本文首次报道采用低温冷冻干燥制备Ba-Y-Cu-O体系陶瓷超细粉末,并以此为基合成单相复合氧化物Ba_2YCu_3O_(9-δ)和陶瓷超导材料。实验证明,所得材料颗粒均匀,固相反应条件温和,超导电性能优良。     

YBa_2Cu_(1-x)Co_x(Cu_(1-y)Zn_y)_2O_z体系的Co,Zn共同掺杂效应

本文报道通过对YBa_2Cu_(1-x)Co_x(Cu_(1-y)Zn_y)_2O_x(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度T_c和载流子浓度n_h均迅速下降,Co和Zn的同时掺杂效应不是两者分别掺杂效应的简单叠加,而是存在着强烈的相关性。实验结果表明,Cu-O链与Cu-O平面之间的相互耦合对体系的电子输运性质和超导电性有着重大影响。还对载流子特性以及T_c与n_h之间的关系作了初步探讨。     

大尺寸LnBa2Cu3O7-δ单晶的生长及其超导电性

本文报道大尺寸LnBa₂Cu₃O_7-δ(Ln=Y,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)单晶生长及其超导电性,并讨论了(001)自然晶面的X射线多级衍射、劳厄相、旋进相等单晶鉴定法。 关键词：     

Pb-Sb合金脱溶过程对超导临界特性的影响

1961年Kunzler等人发现:Nb_3Sn,Nb-Zr等超导体在强磁场中临界电流密度jc仍然很大,可供制备获得强场的超导体磁体使用。 Mendelssohn曾将硬超导体临界磁场的增大,归源于样品内部存在尺寸很小的超导“系”。Kunzler将超导“系”和位错线联系起来,并且认为,他所观察到的高jc值是由于样品内部位错线密度很大。另一方面,却又把硬超导体当作均匀介质处理,他从理论出发,用负界面能效应来解释超导合金的反常磁行为。     

楔形薄膜逾渗系统的临界特性

报道一种楔形金属薄膜逾渗系统的制备方法和测量结果,这种新型逾渗系统具有独特的非线性I-V特性和临界规律,从实验中发现:在这一各向异性系统中,普适标度关系仍然成立,分析表明:这些特性是由于该系统中随空间坐标而变化的跳跃电导效应而引起的. 关键词：     

超导磁体物理研究的新实验技术

一、引 言 在文献[1]中评述了超导磁体稳定性的各种理论,作为续篇,这里我们讨论有关磁体物理研究的实验新技术. 稳定化是建造超导磁体的关键所在.在讨论稳定化时,我们首先应该明确,我们是针对哪一种不稳定因素或扰动来进行稳定的.电磁不稳定性以磁通跳跃为表征,经过多年的研究已趋于解决;而机械不稳定性可以看成是在应力连续作用下的不连续反应:剪切式相变(孪生和马氏体相变)引起的锯齿形屈服;浸渍剂的破碎;超导线的滑移或微滑移……。这些机械扰动的物理抽象是在磁体某一局域产生热脉冲,超导电性的猝灭是其次级效应. 当今磁体物理的前沿课…     

无规分形衬底上银膜逾渗系统的交流特性

通过对沉积在具有无规自相似结构的α-Al₂O₃断裂面上的银薄膜逾渗系统交流特性的测量,证明了在逾渗阈值p_c附近这一系统的交流电导率和介电常数满足指数临界规律和普适标度关系。还给出了这种逾渗系统的电容与直流电阻的关系,并对其意义作了讨论。 关键词：     

氧缺位对单相YBa2Cu3O7-x热电势率的影响

研究了氧缺位对单相YBa₂Cu₃O_7-x体系超导电性及热电势率的影响。结果表明,超导转变温度随氧缺位的增加而下降,热电势率随氧缺位的增加而增大。由实验结果推断,单相YBa₂Cu₃O_7-x的多数载流子为空穴。存在较大的声子曳引热电势表明。在YBa₂Cu₃O_7-x超导体中存在较强的电-声子相互作用。 关键词：     

Co,Zn元素对YBa2Cu3O7-δ的不同的掺杂效应

对单相掺杂样品YBa₂Cu_3-xCo_xO_y (x=0.00,0.025,0.05,0.075,0.10,0.125,0.15,0.20,0.25,O.275,0.30,0.325,0.35,0.375,0.40)和YBa₂Cu_3-xZn_xO_y(x=O.025,0.05,0.075,0.10,0.15,0.20,0.30)作了室温下的 关键词：     

GdBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的各向异性研究

本文报道了对GdBa_2Cu_3O_(7-8)单晶正常态电阻率、超导临界温变,以及磁转变的各向异性观测结果,发现ab平面上及c轴方向的电阻率,除T_c附近由于超导涨落引起的明显偏离以外,在正常态都能很好地满足Anderson-Zou关系:ρ=A/T BT,但两方向的A,B存在显著差异说明其输运电荷是由不同机制产生,它具有显著的二维特征;沿c轴方向的超导电性比沿ab平面的超导电性要弱,T_(ce)比T_(ce∥)低2K;H∥ab平面时的交流屏蔽效应仅是H⊥ab平面时的76％。