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81.
82.
冲击加载条件下材料之间摩擦系数的确定 总被引:4,自引:0,他引:4
尝试利用自制分离式霍普金森压剪装置对聚氨酯泡沫塑料、硅橡胶和MDF水泥材料与铝合金在冲击加载条件下的摩擦系数进行测试.结果表明:在冲击加载条件下,聚氨酯泡沫塑料、硅橡胶和MDF水泥与铝杆之间的摩擦系数与材料的性质关系不大,其摩擦系数测试结果存在一定的分散性,摩擦曲线出现抖动,且与加载条件有关,摩擦系数比通常意义下所得到的摩擦系数小;不同加载条件对所测试材料与铝压杆之间的摩擦系数数值影响不大,只是曲线的走势稍有不同.在冲击加载条件下硬质聚氨酯泡沫塑料与铝杆之间的静摩擦系数为0.29,动摩擦系数为0.25;硅橡胶与铝杆之间的静摩擦系数为0.285,动摩擦系数为0.24;MDF水泥与铝合金杆之间的静摩擦系数为0.28~0.29,动摩擦系数约0.23. 相似文献
83.
题1已知抛物线y2=4x及点P(2,2),斜率为1的直线l不过点P,且与抛物线交于点A和B,直线AP、BP分别交抛物线于另一点C和D.证明:AD与BC交于定点Q.文[1]分析了题1的"动源",并利用"动源"将上述问题演变成相关的三个问题,但未能彻底剖析"定因"与"动源"的关系,以致作者最后谈到,"由于运算量过大以及笔者自身的水平有限,未能完成:(1)能否将上述命题一般化;(2)能否将命题类比到椭圆、 相似文献
84.
85.
The title complex [Cd(IPA)L(H2O)]n(1,H2IPA = isophthalic acid,L = 1,4-bis(pyra-zole-1-ylmethyl)benzene) has been hydrothermally synthesized,and characterized by elemental analyses,IR spectroscopy,TGA and X-ray single-crystal diffraction.It crystallizes in the triclinic system,space group P1 with a = 9.3060(6),b = 10.2374(7),c = 11.9706(8) ,α = 73.804(6),β = 77.883(5),γ = 85.942(5)°,V = 1070.7(1) 3,Z = 2,C22H20CdN4O5,Mr = 532.82,Dc = 1.653 g/cm3,μ = 1.062 mm-1,λ(MoKα) = 0.71073 ,F(000) = 536,R = 0.0392 and wR = 0.0640 for 3751 observed reflections with I > 2σ(I).Crystal structure analysis showed that complex 1 has a 1D double chain structure,which is assembled together through strong O-H...O hydrogen bonding interactions between coordinated water molecules and carboxylate groups of isophthalate to form a 2D supramolecular network.In addition,the solid-state fluorescent spectrum of 1 exhibits strong emission at 364 nm. 相似文献
86.
87.
88.
89.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献
90.
The electroluminescence of GexSi1-x/Si single quantum well was measured at temper-atures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved. 相似文献