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基于压电双晶片的测量薄膜应变的膨胀仪 总被引：3，自引：1，他引：2
研制了一种基于压电双晶片的高灵敏度膨胀仪,它能够在较宽的频率范围内(1～103Hz),可靠、方便地测量自由状态下又薄又软的共聚物薄膜厚度方向的电场致应变．测试结果证明这种新型的膨胀仪在频率为100Hz时能探测低至0．1
nm的位移．最后测量了一种共聚物薄膜的电场致应变． 相似文献
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利用最小二乘法,对辐照改性后P(VDF-TrFE)薄膜试样的介电常数谱进行v-F关系模拟,得出该材料具有与自旋玻璃体系及弛豫铁电体类似的性质．同时研究了其冻结温度随加工和辐照条件变化的规律．研究结果表明,通过适当选择加工和辐照条件,可以满足不同应用对铁电共聚物的要求． 相似文献
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