氧化锌-银复合纳米粒子的制备：吸收光谱和荧光光谱

金属和半导体纳米粒子的制备及性质的研究是当今材料科学和物理化学的热门课题［1－6］．在利用太阳能光降解环境污染物、生物传感器以及光生物等方面这些纳米粒子都具有实际应用的可能性．对纳米粒子表面进行修饰而形成的复合纳米粒子可以有效地调整单一颗粒的表面性质甚至颗粒的稳定性．另外，复合纳米粒子的制备对研究纳米粒子的尺寸量子化效应、非线性光学性质及其它光电性质都有重要的意义．人们已成功地制备了许多复合金属－金属纳米粒子，如Cu－Ag［7］，Ag-Pd［8］及Ag－Pt［9］等．关于复合半导体－半导作纳米粒子也有报导，如C…     

乙醇溶液中ZnO纳米粒子的形成机理研究

半导体纳米粒子的研究是当今材料科学及物理化学的热门课题[1－3]．由于纳米粒子具有极大的比表面、尺寸量子化效应及增强的氧化和还原能力等不同于扶林的特殊性质，它被广泛地用于光催化，光电材料的制备及非线性光学材料的研究等[4－6]．ZnO作为一种重要的半导体材料，其纳米粒子的制备近年来也有报导[7－14]．由于ZnO在水中的生成自由能较正，所以一般都在醇溶液中制备，但其具体的成核机理至今并不十分清楚．本工作通过仔细的研究，阐明了ZnO纳米粒子形成过程中的成核和生长机理．1实验部分醋酸锌，氢氧化钠和乙醇均为分析纯试剂．制…     

叶酸受体靶向CdS量子点应用于HepG2细胞成像研究

0引言量子点(quantum dots,QDs)又称半导体纳米晶体(semiconductor nanocrystal),是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的尺寸在2￣20nm之间,稳定的微     

胶体半导体纳米晶的能带宽调控新方法

由于量子限域效应,半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。单纯依靠改变纳米晶大小来调控能带宽将引起许多技术和应用上的不便。本文对胶体半导体纳米晶的能带宽调控新概念和新的合成途径,包括近年来发展起来的通过采用合金纳米晶、反转Type－I及Type－II核/壳结构等进行了综述,并对各种途径的优缺点进行了描述。     

超声电化学制备PbSe纳米枝晶

近年来，纳米晶态半导体粒子因其具有大的表面体积比、高的活性、特殊的电学性质和独特的光学性质引起了科学界的广泛关注犤１，２犦。基于半导体纳米粒子的量子尺寸效应和表面效应，半导体纳米粒子在发光材料犤３犦、非线性光学材料犤４犦、光敏传感器材料犤５犦、光催化材料犤６犦等方面具有广阔的应用前景。如何实现对半导体纳米粒子的尺寸大小、粒度分布以及形状和表面修饰的控制，寻找更简便的合成方法以及改善制备环境等是半导体纳米粒子研究的关键。超声电化学是结合了电化学和超声辐照而建立起来的一种新方法，它显示了两者的优点犤…     

金属、半导体及其复合粒子的表面和界面行为

纳米粒子因其特殊的性能和潜在应用背景而成为当代科学研究中的一大热点。本论文以银和二氧化钛为代表,以界面和环境反应,如光诱导电子转移、表面修饰等为重点,研究了金属、半导体纳米粒子的表面/界面化学和光化学。在此基础上,研究了金属半导体复合纳米粒子。     

多级复合半导体纳米材料的制备

金属氧化物、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ等半导体纳米材料由于其独特的功能性质已广泛应用于光学、电子、太阳能转化、催化等领域,是当今先进材料领域的研究前沿与热点。随着科技的发展,人们对材料的高效、多功能要求已成为必然,对半导体材料发展要求亦如此。多组分复合、多层次结构协同是实现半导体纳米材料多功能化与高效化的有效途径。构筑多级结构组合纳米半导体,不但可以调控其能带结构而提高半导体材料的光电与催化性能,而且由于多级低维纳米结构聚集时形成的空间位阻效应可以有效克服纳米晶“易团聚”难题。本文提出多级结构组合纳米晶的概念、分类,结合近年来该领域的研究实践,较系统地综述了多级复合半导体纳米结构制备的最新研究进展。首先简要介绍了多级复合半导体纳米材料的概念与典型结构; 其次对典型多级复合半导体纳米材料的制备方法进行了重点评述,分别综述了液相法、气相法以及最新发展起来的静电纺丝等方法在多级结构半导体复合纳米材料制备中的应用实践。再其次,对以具有半导体特性的石墨烯及其功能化衍生物为基体的新型多级复合半导体纳米材料的制备做了综述。最后对半导体/半导体多级结构复合纳米材料的发展方向做了展望。     

光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(如GaAs、InP、GaP等)具有抗辐射性能高、温度特性好、耐高温等特点。相比于其他材料构建的光电催化体系,由这类半导体构成的光电极具有更高的太阳能吸收效率和光电转换效率。然而,大多数Ⅲ-Ⅴ族半导体在水溶液电解质中的物理化学性质很不稳定,导致太阳能驱动分解水性能衰减较快。基于此,本文综述了薄膜保护层在改善Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极电化学稳定性方面的主要成就和研究现状,分析总结了获得稳定高效的光电反应界面和分解水效率的策略,探讨了导致材料衰减的原因和相应改善措施,最后展望了薄膜保护策略的未来发展前景。     

纳米二氧化钛富集石墨炉原子吸收光谱法测定环境水样中痕量锑

研究了纳米二氧化钛对锑(Ⅲ)和锑(Ⅴ)的吸附性能。研究结果表明：在pH1～lO范围内,纳米二氧化钛对锑(Ⅲ)和锑(Ⅴ)的吸附率均可达98％以上。建立了纳米二氧化钛富集锑(Ⅲ)和锑(Ⅴ),石墨炉原子吸收光谱法测定环境水样中痕量总锑的方法。该法的检出限(3d,n=6)为0．73μg／L,相对标准偏差(RSD)小于2．94％,回收率在92％～95％之间。     

基于微流控技术制备微/纳米粒子材料

具有特殊性质的微/纳米粒子,在药物传递、吸收分离、光电材料和磁性设备等多个领域具有重要的应用价值。近年来,微流控技术在有机合成、高分子化学以及材料制备等领域表现出传统釜式反应器无法比拟的优势。本文介绍了基于微流控技术制备微/纳米粒子的最新研究进展,包括以单乳液为模板合成球形和非球形聚合物粒子、无机物粒子、贵金属纳米粒子和半导体纳米粒子,以多重乳状液为模板制备壳核粒子、Janus粒子和微囊。     

基于适配体-金纳米粒子和光热-激光背向散射干涉技术的水中As(Ⅲ)的定量检测

针对As(Ⅲ)的检测问题,提出了一种基于适配体-金纳米粒子探针和光热-激光背向散射干涉原理的水中As(Ⅲ)的定量检测技术。结合了As(Ⅲ)适配体的金纳米粒子溶液呈现稳定的酒红色,对绿光有较强的吸收作用。采用532 nm的激光照射毛细管内的金纳米粒子溶液,由于光热效应溶液折射率发生变化,激光背向散射干涉(Back-Scattering Interference,BSI)产生的干涉条纹就会发生移动。待测溶液中存在As(Ⅲ)时,As(Ⅲ)与适配体相结合,导致适配体从金纳米粒子颗粒表面脱落,在高浓度盐的作用下,金纳米粒子颗粒聚集,溶液的颜色由酒红色变成蓝紫色,光热效应引起的干涉条纹移动量减小。建立As(Ⅲ)浓度与干涉条纹移动量之间的关系,通过检测干涉条纹的移动量实现了水中As(Ⅲ)的定量检测,检出限为0.127 mg/L。     

相图在研究Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中的应用

半导体是一门边缘技术科学,它的发展有赖于各门基础科学理论,其中包括固体化学的成就。这一点对化合物半导体尤为突出。化合物半导体其中主要是Ⅲ—Ⅴ族化合物及其固溶体合金,近十几年来继锗、硅之后得到了很快的发展,已成为各种尖端技术(如红外、微波、激光、     

合成聚丙酰胺-硫属半导体复合纳米材料的新技术

在水溶液体系中采用同步聚合-水解技术（Simultaneous Polymerization-Hydrolysis）制备聚丙烯酰胺-半导体纳米复合材料。该SPH技术是基于丙烯酰胺单体的聚合和MS(M=Cd,Pb,Zn)纳米粒子的形成同步发生,使生成的半导体纳米粒子可均匀分散在聚丙烯酰胺基质中。该技术还为制备其它有机聚合物-金属硫化物纳米复合物提供了一种新途径。     

Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶

半导体纳米晶是近年来发展起来的一类新型功能材料,因其独特的量子限域效应和光电性质,在太阳电池、发光二极管、光电探测器、生物标记、非线性光学等领域中具有潜在的应用。与目前研究比较多的Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族纳米晶相比,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶,不含镉和铅等重金属元素,具有毒性小、带隙窄、光吸收系数大、Stokes位移大、自吸收小以及发光波长在近红外区等特点,有望成为新一代低成本太阳电池和低毒荧光量子点生物标记材料, 还可用于发光二极管和光电探测等领域。因此,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶的合成、性质及应用研究成为近期纳米晶研究领域的热点之一。本文将综述Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶的研究进展,着重介绍其制备方法、光学性质及其在生物标记、太阳电池等领域的应用。     

用TiO2，ZnO及Fe2O3纳米粒子光催化氧化庚烷的反应

 制备了三种n－型半导体氧化物TiO2，ZnO和Fe2O3纳米粒子，用X射线衍射和N2吸附技术分别对它们的结构及比表面积进行了表征．考察了三种氧化物粒子对庚烷的气相光催化氧化反应的催化活性．研究表明，对于同种催化剂，随着焙烧温度的升高，催化剂的粒径增大，比表 面积减小，光催化活性下降．三种催化剂纳米粒子的光催化活性顺序为TiO2（锐钛矿）＞ZnO＞Fe2O3，金红石型TiO2粒子的催化活性低于ZnO粒子．结合能带理论探讨了三种催化剂光催化活性差异的原因．     

介电限域效应对SnO_2纳米微粒光学特性的影响

半导体纳米微粒作为一种新兴材料，在声、光、电、磁、热及催化等方面显示出全新的异于体相材料和分子或原子的特性，在理论和实验上已引起。们极大的兴趣I‘，’］．当纳米微粒的尺寸接近或小于激于玻尔半径时，表现出明显的量子尺寸效应，其表现光学能隙变大，一些半导体粒子如CdS，Cdse等纳米微粒的量予尺寸效应已经被人们利用有效质量近似模型做了定性解释。八但是，由于纳米微粒尺寸小，具有相对大的表面积，因而粒子周围的介质可以强烈地影响它们的光学性质【’，‘1．我们采用胶体化学方法，对SnO。阶电常数为13）半导体纳米微粒…     

CdTe纳米晶与蛋白相互作用研究

当半导体纳米晶的直径小于其电子的玻尔直径时 ,半导体纳米晶对电子具有量子限域效应 ,其发光波长与纳米晶的尺寸相关 .与有机荧光分子相比 ,荧光半导体纳米晶具有以下优点 :(1 )其激发谱在吸收阈值以上几乎是连续的 ,利于多波长激发 ;(2 )高强荧光发射 ,谱峰窄 ,峰形对称 ;(3 )发射波长随着粒径的增大而有规律地红移 ,只需改变粒径即可获得多色发光 ;(4)纳米晶的发光稳定性好 ,不易被光分解和漂白 .因此 ,半导体纳米晶作为新一代荧光生物标记物已有研究[1～ 6] .荧光生物标记要求使用水溶性的纳米粒子 ,水相合成半导体纳米晶操作简便、重复…     

纳米二氧化钛对砷(Ⅲ)和砷(Ⅴ)吸附性能的研究

研究了纳米二氧化钛对As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的吸附行为。结果表明：纳米二氧化钛在pHl—10范围内对As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的吸附率可达99％。另外还考察了吸附时间、吸附体积、共存元素对吸附率的影响。此研究对合砷废水的处理、痕量砷的分离、分析有较高的应用价值。     

氧化铁超微粒的光电化学特性

近十年来,。J、粒1（smalParticle）或超微粒f（ultrafinParticle）研究在化学、物理、材料学科等领域中兴起［‘一‘］．超微粒子是指粒径在Inm～几十n－m范围的物质山．快体（如金属、半导体）的性质并不是单个原子或分子本身的性质,而是由许多原子或分子在晶体中的周期排列造成的．当晶体的尺寸在纳米级范围内连续减小时,存在一个从金属或半导体的性质到分子或原子的性质的逐渐过渡．在这个变化范围内,半导体的光学性质有很大变化,金属的电化学行为也发生了变化．这被称为“尺寸量子化效应’．同时当半导体的尺寸在纳米范围时,其…     

半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射基底的研究进展

在总结半导体纳米材料作为表面增强拉曼散射(SERS)基底的一些相关研究工作的基础上, 讨论了半导体纳米粒子SERS基底的增强效应与纳米材料的种类、尺寸的相关性; 对半峰宽、激发波长进行了分析, 并对半导体纳米材料作为SERS基底时, 化学增强、电磁增强、纳米半导体缺陷和激子波尔半径的影响等进行了阐述.