NaBi（WO4）2晶体生长工艺研究

采用提拉法(Cz法)生长了45×40mm大尺寸钨酸铋钠(NaBi(WO4)2,简称NBW)晶体,探讨了工艺参数和晶体开裂间的关系,并根据Brice模型,讨论了晶体中的热应力、热应变和晶体尺寸、温度梯度、提拉速度、晶体转速之间的关系,设计了生长NBW的最佳工艺条件液面上下10mm内温差为0.8℃/mm,拉速2～4mm/h,转速12～18r/min,冷却速率25℃/h.     

Er:Yb:KGW激光晶体生长及缺陷研究

采用顶部籽晶(TSSG)法生长ErYbKGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件转速30～40 r·min-1;拉速1～2 mm·d-1;降温生长速率0.05 ℃·h-1;降温速率15 ℃·h-1;生长周期15～20 d.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.     

脉冲Hematopoiesis模型的概周期解

获得了脉冲Hematopoiesis模型{Q（t）=-c（t）Q（t）-α（t）Q（t）/1＋Q（t）＋β（t）∫^τ0F（u）Q（t-u）/1＋Q（t-u）ds △Q（tk）=αk（t）Q（t）k＋bk（t） 概周期解的存在性与指数稳定性．     

带有积分边值条件的分数阶微分包含解的存在性

本文利用Hausdorff非紧测度、分数阶的微积分理论和Kakutani不动点定理,研究了满足条件z(0)=z0,z(1)=λcI0+γ+z(η)=λ∫0η(η-s)γ-1/Γ(γ)z(s)ds的广义Bagley-Torvik型分数阶微分包含cDv1 z(t)-ac Dv2 Z(t)∈F(t,z(t)),t∈(0,1)解的存在性.其中1 0,a和λ是给定的常数.     

一种角速率输入的圆锥算法设计

针对角速率输入的传统捷联惯导姿态算法在高动态环境下精度低的问题,提出一种角速率输入的在期望的圆锥运动环境下的频域最优圆锥误差补偿优化算法。在分析圆锥误差补偿通式的基础上,建立了角速率输入的圆锥误差准则,基于最小二乘原理建立了圆锥误差补偿优化目标,并推导了角速率输入的圆锥误差补偿优化系数,讨论了载体运动环境。在圆锥运动环境下,将新算法与传统的频域泰勒算法通过数字仿真进行了对比分析,结果表明,在高频圆锥运动环境下,新算法的精度明显高于频域泰勒算法。     

带超前项的三阶脉冲中立型积分微分方程的初值问题

本文研究了带超前项的三阶脉冲中立型积分微分方程的初值问题.分别运用Leray-Schaude与Banach不动点定理,建立了两个存在准则.通过—个例子说明了主要结论.     

二阶脉冲时滞微分方程的振动性

具有固定脉冲时刻的二阶时滞微分方程的解的振动性条件被建立,结果改进和推广了已有文献的相应结果.     

LINEARIZED OSCILLATIONS FOR NEUTRAL DIFFERENTIAL EQUATIONS

Consider the nonlinear neutral delay differential equationwhere P, Q ∈ C([t0,∞),R), τ > 0, δ > 0. We obtain a linearized oscillation result by an associate linear equation in the case when liminfP(t) = p0 ∈[-1,0).     

Nd:GGG晶体生长与开裂研究

本文采用提拉法(CZ)生长了Nd:GGG晶体,并从理论上讨论了包裹物、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了生长元开裂Nd:GGG晶体的最佳工艺参数:径向温度梯度越小越好,纵向温度梯度在0.5℃/mm,提拉速度2～4mm/h,晶体转速20～40r/min,降温速率不超过20℃/h.通过设计合理而稳定的温场、选择最佳工艺参数及退火处理等方法,较好地解决了Nd:GGG晶体开裂问题.     

具脉冲时滞的Duffing型方程的周期解

利用Mawhin重合度理论,研究了脉冲时滞Duffing型方程的周期解的存在性.本 文结果即使对相应的非脉冲Duffing型方程也是新的.