La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

ClONO2及其异构体光解反应的从头算研究：Ⅰ.ClONO2→^hv Cl＋NO3…

用量子化学从头计算方法讨论了大气臭氧层主要破坏物之一ＣｌＯＮＯ２的存在，寻找到６种可能的异构体，并在ＭＰ２／６－３１ｇ级别比较了它们的能量，得出ＣｌＯＮＯ２（构型ａ）是较常见的稳定构型。研究了ＣｌＯＮＯ２在光照下最易发生的分解反应ＣｌＯＮＯ２→Ｃｌ＋ＮＯ３，寻找到反应过渡态ＴＳ１，并讨论了反应的可能历程。     

EuBa2Cu3O7的化学键性质和穆斯堡尔谱研究

利用电介质的平均能带模型计算了ＥｕＢａ２Ｃｕ３Ｏ７的化学键参数,得到Ｃｕ（１）－Ｏ键的平均共价性为０．４１４,Ｃｕ（２）－Ｏ键的平均共价性为０．２８１,应用由共价性和极化率定义的化学环境因子计算了＾５７Ｆｅ、＾１１９Ｓｎ在ＥｕＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的穆斯堡尔同质异能位移,确定了＾５７Ｆｅ、＾１１９Ｓｎ的价态和占位情况。     

用X—射线和电子衍射对合成汞系超导体的预烧样品的研究

在６００℃－９００℃的温度范围内，每间隔１００℃用固态反应技术将按２：２：３的比例混合的ＢａＯ，ＣａＯ及ＣｕＯ的混合物进行烧结，将不同温度和不同反应时间下进行反应的产物通过Ｘ－射线衍射和电子衍射分析，我们得到了一种新的相化合物可能具有Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ７的分子式。     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．     

氯化钙—聚乙二醇配位聚合物的配位数研究

ＣａＣｌ２与ＰＥＧ在无水乙醇中发生反应制得的试样,以ＸＰＳ和ＩＲ测试的结果,表明该试样中存在Ｏ－Ｃａ配位键。通过溶液电导率的测量,发现１个Ｃａ＾２＋与ＰＥＧ４个链节单元的氧形成配位结构,又以电导率手段测得ＣｕＣｌ２－ＰＡＡｍ配位聚合物的配位数,其结果与利用Ｃｕ＾２＋２ｐＸＰＳ谱上的Ｓｈａｋｅ－ｕｐ效应研究所得该配位聚合物的配侠数一致,间接地验证以电导率手段测得ＣａＣｌ２－ＰＥＧ配侠聚合物配位数的可     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

铊系超导单昌的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ＾３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ＾３。Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶。     

RBa2Cu3O7—x（R=Y,Yb）形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的…

本文通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热分析（ＤＴＡ）和超导电性测量等手段对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙ－１２３）和ＹｂＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙｂ－１２３）相的形成，单相Ｙｂ－１２３超导体的制备，单相Ｙ－１２３超导体的最低形成温度及Ｒ－１２３相的熔点与Ｒ离子半径的关系进行了研究。结果表明Ｙ－１２３和Ｙｂ－１２３相形成过程显著不同，Ｙ－１２３主要通过下一化学反应生成：Ｙ２Ｏ３＋４ＢａＣＯ３＋６ＣｕＯ＋１－２     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

用X－射线和电子衍射对合成汞系超导体的预烧样品的研究

在６００℃－９００℃的温度范围内，每间隔１００℃用固态反应技术将按２：２：３的比例混合的ＢａＯ，ＣａＯ及ＣｕＯ的混合物进行烧结．将不同温度和不同反应时间下进行反应的产物通过Ｘ－射线衍射和电子衍射分析．我们得到了一种新相化合物可能具有Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ７的分子式．其结构为四方相，晶格参数确定为ａ＝１．２９４８（２）ｎｍ，ｃ＝０．９１５６（４）ｎｍ     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

YBa2Cu3O7—δ中Cu—O伸缩振动的红外吸收峰

测量了ｃ轴高度定向的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜经３００～７５０℃退火后的红外反射光谱和不同掺Ｚｎ量的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＺｎｘＯ７－δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Ｃｕ－Ｏ吸收峰的变化，证实了在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的红外光谱中，６３０ｃｍ＾－１、５９０ｃｍ＾－１、和５５０ｃｍ＾－１三个吸收峰分别对应的Ｃｕ－Ｏ伸缩振动膜，以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响     

PrBa_2Cu_3O_7中的Pr－O共价因素及其影响

本文提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份．文中阐述了这种共价作用的性质和原因．讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２ＣＵ３Ｏ７电子结构的影响．定性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序．     

PrBa2Cu3O7中的Pr—O共价因素及其影响

本提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份，中阐述了这种共价性作用的性质和原因。讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７电子结构的影响，这性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序。     

小型光泵NH_3分子远红外激光器的模式竞争

通过求解四能级系统的半经典密度矩阵方程，用迭代法计算了ＣＯ２－１０Ｒ（６）泵浦小型超辐射光泵ＮＨ３分子远红外激光器（ｍｉｎｉ－ＮＨ３－ＯＰＦＩＲＬ）的Ｐ支和Ｑ支跃迁输出光强的增量比。计算表明在超辐射小型ＮＨ３光泵远红外激光器中，Ｖ２ａ→ｓＰ（５，４）和ａ→ｓＱ（５，４）模式竞争结果，Ｑ支跃迁占优势，使Ｐ支被抑制。理论计算与实验结果一致     

YSZ／Si上溅射BSCCO超导膜的生长机理分析

本研究了利用ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层在Ｓｉ衬底上单靶偏轴溅射Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ高温超导薄膜的工艺条件，给出了ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜的性能测试结果，并根据电镜分析结果，提出了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。