实现Ⅱ—Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径

介绍了一种以ＢｅＭｇＺｎＳｅ与ＺｎＳｅ组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点、它有可能是实现长寿命Ⅱ－Ⅵ族半导体蓝色激光器的一条新途径。     

ZnCdse－ZnSe多量子阱中的激子发光

在７７－３００Ｋ温度下研究了Ｚｎ（１－ｘ）ＣｄｘＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）的光致发光特性．首次在７７Ｋ，Ａｒ离子激光器的４５７．９ｎｍ激发下，在Ｚｎ（０．６８）Ｃｄ（０．３２）Ｓｅ－ＺｎｓｅＭＱＷｓ中观测到５个发光带，其中三个发光带被归因于不同的激子发射：即ｎ＝１重空穴（ＨＨ）激子；ｎ＝ｌ轻－重空穴（ＬＨ）激子和ｎ＝ＩＨＨ激子同时发射两个纵光学声子的复合发光，并且，；ｎ＝１ＨＨ激子发光可延续至室温．     

半导体激光器的新突破——蓝绿激光二极管

本文介绍最近国外在研制半导体可见光激光器方面的一项重大进展，即人们首次用ＺｎＳｅ材料在蓝绿光波段（４９０ｎｍ）实现了激射，这是目前用半导体激光器可以获得的最短的激光波长．由于在ＺｎＳｅ外延膜的生长和激光器的制备过程中仍存在一些问题，激光器的特性尚不理想，仅在 ７７Ｋ下脉冲工作，但它终究已经开辟了通向制造实用器件的道路．本文概要介绍了制作这一激光器的困难、解决途径和现状．     

电场调制下单量子阱ZnCdSe／ZnSe的激射行为研究

近年来,随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］,对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２,３］,同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基单量子阱的激射行为研...     

用泵浦-探测方法研究ZnCdSe量子阱/CdSe量子点复合结构中的激子衰减

用飞秒泵浦－探测方法测量了ＺｎＣｄｓｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ垒层厚度为 １５ｎｍ,泵浦一探测结果得到上升沿时间为 ３６７±６０ｆｓ,下降沿时间为１．３±０．２ｐｓ。获得ＺｎＣｄＳｅ量子阱中激子寿命约为１ｐｓ。     

Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。     

宽禁带II—VI族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究

介绍了宽禁带ＩＩ－ＶＩ族化合物半导体ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ和ＺｎＣｄＳｅ外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长。用Ｘ射线衍射法（ＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）法分别对其结构特性和光学特性进行了研究。尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的ＰＬ研究，得出了对于ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ超晶格，其激子激活能（Ｅａｃｔ）仅为１７ｍｅＶ，我们用ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ导带不连续较小来解释这个结果。而对于ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超     

Zn1—xMnx／ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６），超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构，应变分布以及光学性能进行了研究，结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶     

ZnSe—ZnS多量子阱光学吸收非线性时间特性及其机制

利用飞秒泵浦一探测技术，在７７Ｋ温度下测量了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光学吸收非线性时间特性，其上升时间为１０ｐｓ，恢复时间为１４ｐｓ，讨论了其产生机制为带填充。     

1994年第7期《物理》内容预告

１９９４年第７期《物理》内容预告知识和进展原子－分子混合激发及所产生的受激和相干辐射（王祖赓）；亚微微秒光整流效应（马新发等）；ＺｎＳｅ蓝色半导体发光和激光器件的进展（范希武）；地震预报的物理学问题（吴忠良）；数学、物理学与生态学的结合——种群动力学...     

ZnSe－ZnTe多量子阱室温下的反射型皮秒激子光双稳

本文首次研究了ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒激子光双稳，实验结果表明，ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的反射型皮秒光双稳的阈值光强和对比度分别为１．１ＭＷ／ｃｍ２和６：１．根据测量得到的ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱在室温下的激子吸收光谱及激子的非线性吸收理论，归结ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱室温下的皮秒光双稳的主要非线性机理为ＺｎＳｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的激子饱和吸收引起的折射率变化．     

分子束外延Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ＾－１，３７０ｃｍ＾－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

Ⅱ—Ⅵ族稀磁半导体ZnSe／Zn1—xMnxSe超晶格中的应力效应

本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１￣３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度     

ZnSe：A1深能级的研究

为研究ＺｎＳｅ中的本征缺陷和Ａ１在ＺｎＳｅ中的深能级行为，首先测量了Ｚｎｓｅ单晶体中的深能级，发现只存在Ｅｅ－０．３３ｅＶ一个电子陷阱．然后，通过热扩散的方法，在３００℃～７００℃温度范围内把Ａ１掺杂到ＺｎＳｅ单晶体中，结果发现存在Ｅｅ－０．３３ｅＶ和Ｅｅ－０．７０ｅＶ两个电子陷阱．本文从缺陷化学角度对ＺｎＳｅ中的本征缺陷和Ｅｅ－０．７０ｅＶ深能级的结构及起源进行了讨论．     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．     

ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

ＺｎＳｅ－ＺｎＳ量子阱的光学非线性张希清，范希武，申德振，杨爱华，陈连春，吕有明，陈一民（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视．利用半导体量子阱和超晶格可以制备出...     

外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究

外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅＡｌｌｏｙｓＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒ...     

ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。