用于白光LED的单一基质白光荧光粉Ca2SiO3Cl2:Eu2+，Mn2+的发光性质

用高温固相法合成了Eu²⁺，Mn²⁺共激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度白色发光材料，并对其发光性质进行了研究. 该荧光粉在近紫外光激发下发出强的白色荧光，Eu^{2+中心形成峰值为419 nm和498 nm的特征宽带，通过Eu2+中心向Mn2+中心的能量传递导致了峰值为578 nm的发射，三个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光. 激发光谱均分布在250—415 nm的波长范围，红绿蓝三个发射带的激发谱峰值分别位于385 nm，412 nm，370 nm和396 nm处，可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发. Ca₂SiO₃Cl₂:Eu2+，Mn2+是一种很有前途的单一基质白光LED荧光粉.}     

Ca3Sc2Si3O12:Ce3+的第一性原理研究

对Ca₃Sc₂Si₃O₁₂:Ce³⁺共掺杂N^3-、Sc³⁺、Mn²⁺、Mg²⁺和Na⁺进行第一性原理计算,研究不同的电荷补偿对发光中心Ce³⁺的影响．首先利用密度泛函理论构建超晶胞模型对Ce³⁺周围的局部结构进行了优化,然后通过CASSCF/CASPT2 RASSI-SO计算得到Ce³⁺的4f→5d跃迁能量．计算数据与实验光谱相吻合．实验光谱中的一个未知峰值理论分析确认是Sc³⁺替代Si⁴⁺导致的．     

BaZr(BO3)2:Eu的合成及发光性能研究

用硝酸盐热分解法成功制备了BaZr(BO₃)₂:Eu(Eu³⁺的掺杂量为摩尔分数5％)荧光材料，并研究了其在254及147nm光束激发下的发光特性.254nm光束激发下的发射主峰位于612nm处，归属于Eu³⁺的⁵D₀—⁷F₂的电偶极跃迁，但在147nm光束激发下的发射主峰位于592nm处，归属于Eu³⁺的相似文献   

Mg，Ti共掺Al2O3透明多晶陶瓷光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备Mg，Ti共掺透明氧化铝陶瓷，测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱，结果表明，由于Mg²⁺的电荷补偿，当Ti掺入量较小时，Ti主要以Ti⁴⁺形式存在，(Mg，Ti):Al₂O₃透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰，为O^2-→Ti⁴⁺的电荷转移跃迁产生的吸收，并产生Ti⁴⁺离子在280—290nm和410—420nm的荧光发射峰     

Ba0.98Ce0.8Tm0.2O3-α的离子导电性及其燃料电池性能

用高温固相反应法制备了Ba_0.98Ce_0.8Tm_0.2O_3-α钙钛矿型氧化物固溶体,粉末X射线衍射表明该固溶体为单相. 用交流阻抗谱技术和气体浓差电池方法研究了样品在500～900 oC、不同气体气氛中的导电性,以及该样品为固体电解质的氢-空气燃料电池性能. 该电池能稳定地工作,在900 oC时,电池的最大功率密度为110.2 mW/cm²,高于以Ba_xCe_0.8RE_0.2O₃^- (x≤1, RE=Y, Eu, Ho)为固体电解质的氢-空气燃料电池的功率密度     

Gd2O3:Eu3+纳米晶的燃烧合成及光致发光性质

采用柠檬酸作燃烧剂用燃烧合成法制备了Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计等对Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶的结构、形貌和发光性能进行了分析.结果表明：不同柠檬酸与稀土离子配比(C/M)制备的样品经800℃ 退火1 h后，均得到了纯立方相的Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶，晶粒尺寸约为30 nm，尺寸分布较窄，其中以C/M=1.0时制备的纳米晶结晶性最好，发光强度最大.Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶主发射峰位置均在612 nm处 (⁵D₀→⁷F₂跃迁)，激发光谱中电荷迁移态发生红移，观察到Gd³⁺向Eu³⁺的有效能量传递.对柠檬酸与稀土离子配比(C/M)对结晶度、发光性质等的影响也进行了分析和讨论.     

新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Sb3+的发光性能研究

采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr₂SnO₄:Sb³⁺. 结果表明: 208 nm (Sb³⁺ 的¹S₀→¹P₁)和265 nm (¹S₀→³P₁)的紫外光是Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(³P_0,1→^XXS₀), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料.     

新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr₂SnO₄:Tb^{3 +}, Li ⁺. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr₂SnO₄: Tb^{3 +}, Li⁺是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr₂SnO₄: Tb^{3 +}, Li⁺的光存储发光机理.     

复合层状Bi7Ti4NbO21铁电陶瓷的结构与介电和压电性能研究

制备了Bi₇Ti₄NbO_{21，Bi4Ti3O12及Nb掺杂Bi4Ti3O12(Nb-Bi4Ti3O12)层状结构铁电陶瓷材料.结合Nb-Bi 4Ti3O12的介电温谱和 退极化实验结果，研究了Bi7Ti4NbO21的晶体结构 对其介电、压电性能的影响 .高分辨透射电镜结果表明，在Bi7Ti4NbO21中， 沿着c轴方向，(Bi2Ti3O10)^2-和(BiTiNbO7)^2-两个类钙钛矿层分别 与(Bi2O2)²⁺层叠加堆积而成.这种晶体结构决定了Bi7Ti4NbO21的 介电温谱在668℃和845℃出现介 电双峰.结合极化样品的退化实验分析，说明材料在这两个温度附近发生了铁电—铁电相变 、铁电—顺电相变，分别是(Bi2Ti3O10)^{2-< /sup>和(BiTiNbO7)2-层状 结构发生微观结构相变的结果.在退极化过程中，由于受热时钙钛矿层内空位引起的缺陷偶 极子的定向排列受到破坏，引起材料部分退极化，表现为300℃热处理后Bi7Ti 4NbO 21的压电活性降低了10%，显示了室温下材料的压电性能来源于自发极化的固有电 偶极子和缺陷偶极子的共同贡献.}}     

白光LED用LiBaBO3:Eu2+材料发光特性研究

采用高温固相法制备了LiBaBO₃:Eu²⁺绿色发光材料.测量了Eu²⁺浓度为1mol%时样品的激发与发射光谱,其发射光谱为双峰宽谱,主峰分别为482和507nm,与理论计算值符合很好;监测482nm发射峰时,对应激发光谱的峰值为287和365nm,监测507nm发射峰时,对应的激发峰为365和405nm.研究了Eu²⁺浓度对材料发射光谱的影响,结果显示,随Eu²⁺浓度的增大,蓝、绿发射峰均发生了     

Na0.25K0.25Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的介电特性研究

用固相反应法制备了Na_0.25K_0.25Bi_0.5TiO₃ (NKBT50)陶瓷，研究了该陶瓷在室温至400℃温度范围内的介电性能.发现该陶瓷的介电温谱与烧结气氛、极化状态有关.在空气中烧结的未极化样品在70℃附近存在介电和损耗峰，而极化后及在氧气氛中烧结的样品并不存在该介电、损耗峰.分析认为70℃的介电和损耗峰与氧空位形成的缺陷偶极子的极化弛豫有关.热激电流显示，陶瓷的去极化温度为225℃，与此相对应的介电、损耗峰也 关键词： 介电性能 氧空位 极化弛豫 钛酸铋钠钾     

Crystallization of Ge2Sb2Te5 phase—change optical disk media

In this paper, the crystallization behaviour of amorphous Ge₂Sb₂Te₅ thin films is investigated using differential scanning calorimetry), x-ray diffraction and optical transmissivity measurements. It is indicated that only the amorphous phase to face-centred-cubic phase transformation occurs during laser annealing of the normal phase-change structure, which is a benefit for raising the phase-change optical disk's carrier-to-noise ratio (CNR). For amorphous Ge₂Sb₂Te₅ thin films, the crystallization temperature is about 200℃ and the melting temperature is 546.87℃. The activation energy for the crystallization, E_a, is 2.25eV. The crystallization dynamics for Ge₂Sb₂Te₅ thin films obeys the law of nucleation and growth reaction. The sputtered Ge₂Sb₂Te₅ films were initialized by an initializer unit. The initialization conditions have a great effect on the reflectivity contrast of the Ge₂Sb₂Te₅ phase-change optical disk.     

The microwave response of MgB2 /Al2O3 superconducting thin films

Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The experimental results can be described very well by a grain-size model which combines coplanar resonator theory and Josephson junction network model. It was found that the penetration depth and surface resistance of thin films with smaller grain sizes are larger than those of thin films with larger grain sizes.     

La0.3Sr0.7TiO3模板层对Pb(Zr0.5Ti0.5)O3薄膜的铁电性能增强效应的研究

通过sol-gel法在Si (111) 基片上分别制备了LaNiO₃(LNO)底电极和LaNiO₃/La_0.3Sr_0.7TiO₃ (LNO/LSTO)底电极.然后采用sol-gel 方法，在两种衬底上分别制备了Pb (Zr_0.5Ti_0.5)O₃ (PZT)铁电薄膜.XRD分析表明，两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构，且在LNO底电极上的PZT薄膜呈(100) 择优取向，而在LNO/LSTO底电极上的PZT薄膜呈随机取向.铁电性能测试表明，相对LNO衬底上制备的PZT薄膜，在LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜的剩余极化强度得到了有效的增强，同时矫顽场也增大.介电常数和漏电流的测试表明，LNO/LSTO底电极上制备的PZT薄膜具有大的介电常数和漏电流. 关键词： PZT薄膜 铁电性 漏电流 0.3Sr_0.7TiO₃')" href="#">La_0.3Sr_0.7TiO₃     

纤维状TiO2/Bi2O3光催化剂的制备及其光催化性能

以C₁₆H₃₆O₄Ti和Bi(NO₃)·5H₂O为原料,以棉花纤维为生物模板,合成了系列纤维状TiO₂/Bi₂O₃光催化剂．采用XRD、SEM、UV-Vis等测试技术对样品的相结构、形貌和吸光性能等进行了表征分析．结果表明,样品中的Bi₂O₃为单斜相和四方相共存的混晶,纤维长度达到毫米级,     

具有介孔结构的MnSiO3@Fe3O4@C纳米粒子的制备以及作为pH响应的T1-T2*双模MRI造影剂的研究应用

本文通过一个简单的、温和的方案制备了平均尺寸为120 nm,介孔结构的纳米粒子MnSiO₃@Fe₃O₄@C. 粒子的细胞毒性微小,可以用作T₁-T₂^*双模MRI造影剂. 酸性条件下MnSiO₃@Fe₃O₄@C释放出大量的Mn²⁺缩短T₁弛豫时间,提高成像分辨率. 超顺磁性的Fe₃O₄可以增强T₂对比成像,检测病变组织. 类似于肿瘤微环境/细胞器的酸性PBS(pH=5.0)中Mn²⁺的释放率达到31.66%,约为中性条件(pH=7.4)下的7倍. 释放的Mn²⁺通过内吞作用被细胞摄取,经肾脏排出,细胞毒性实验表明,MnSiO₃@Fe₃O₄@C具有低的细胞毒性,即使高浓度的200 ppm MnSiO₃@Fe₃O₄@C对HeLa细胞的毒性也相对较小. 对荷瘤小鼠静脉注射定量MnSiO₃@Fe₃O₄@C后,可以观察到一个快速增强的对比成像,给药24 h后,T₁MRI信号显著增强,达到132%,而T₂信号则明显降低至53.8%,活体MR成像证明了MnSiO₃@Fe₃O₄@C可以同时作为阳性和阴性造影剂. 此外,得益于介孔MnSiO₃优秀的酸敏感性,MnSiO₃@Fe₃O₄@C可以作为一种潜在的药物载体,实现肿瘤的诊疗一体化.     

Mo掺杂SrBi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能

用传统的固相烧结工艺，制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi₄Ti₄O₁₅(SBTi)铁电陶瓷SrBi_4-2x/3Ti_4-xMo_xO₁₅(x=0.00，0.003，0.012，0.03，0.06，0.09).X射线衍射的结果表明，样品均为单一的层状钙钛矿结构相，Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现，样品晶粒为片状，随掺杂量的增加，晶粒逐 关键词： 4Ti₄O₁₅')" href="#">SrBi₄Ti₄O₁₅ Mo掺杂 剩余极化 居里温度     

C72,La2@C72几何结构和电子性质的计算研究

采用密度泛涵理论(density functional theory, DFT)中的广义梯度近似(generally gradient approximation, GGA)对富勒烯C₇₂和内掺金属La富勒烯La₂@C₇₂三种同分异构体的几何结构和电子结构进行研究.发现在C₇₂的三种同分异构体中，满足独立五边形规则(isolated-pentagon-rule，IPR)的C₇₂(D_{6d< 关键词： 72}')" href="#">C₇₂ 2@C₇₂')" href="#">La₂@C₇₂ 密度泛涵理论 几何结构 电子结构     

980 nm激发下Er3+/Yb3+共掺杂ZrO2-Al2O3粉末的上转换发光特性

通过固相反应法制备了Er³⁺/Yb³⁺共掺杂ZrO₂-Al₂O₃粉末的样品，并对样品在980nm激光激发下的上转换发光特性进行了研究.从发射光谱可以发现，在可见光范围内有3个强的发光带，一个位于654nm附近的红光带和两个分别位于545nm、525nm附近的绿光带，分别对应于Er³⁺离子的以下辐射跃迁：⁴F_9/2→⁴I_15/2、⁴S_3/2→⁴I_15/2、 ²H_11/2→⁴I_15/2.其中又以Er³⁺离子的⁴F_9/2→⁴I_15/2跃迁产生的红色荧光辐射最强.对其上转换发光机制进行了分析，发现这三个发光过程都是双光子过程.对样品粉末进行了XRD检测，发现ZrO₂主要以立方相为主，并且计算得到了这种立方结构的晶格常数.Al₂O₃固溶于ZrO₂中，Al³⁺嵌入ZrO₂后产生氧空位，导致ZrO₂晶体的对称性降低，这种结构变化更有利于提高上转换效率，即上转换发光强度增强. 关键词： 3+/Yb³⁺')" href="#">Er³⁺/Yb³⁺ 上转换 2-Al₂O₃')" href="#">ZrO₂-Al₂O₃ 荧光 稀土     

Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的基础上 ，制备了Ag/Bi₄Ti₃O₁₂栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明，在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi₄Ti₃O₁₂ 铁电薄膜并有利于改善Bi₄Ti₃O₁₂/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi₄Ti₃O_{12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(I< sub>sd}-V_G)特性曲线显示Ag/Bi₄Ti₃O_{12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应. 关键词： 铁电场效应晶体管 4}Ti₃O₁₂')" href="#">Bi₄Ti₃O₁₂ 存储 特性 溶胶-凝胶工艺