电场作用下高分子中自陷束缚激子的极化

用同时计入电场、对称破缺项t_e和电子-晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化.极化程度随场强增加，也与t_e有关.并发现t_e≤0.1 eV时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上     

极化子单激发态的反向极化研究

通过对有机高分子中极化子的单激发态进行研究，发现该态在外电场下呈现反向极化特征，极化规律与双激子态类似.在强电场下，反向极化消失，极化子单激发态解离为一个单极化子和一个双极化子态. 关键词： 极化子态 激子态 反向极化     

电场作用下聚对苯亚胺中的激子行为

从扩展的Ginder Epstein(GE)模型出发,计入静电场,数值模拟了有限长开链聚对苯亚胺(pernigrani line base)中的激子态。计算表明,当场强为零时,激子是自陷(self trapped)束缚的极化子激子;随着电场强度的增加,缺陷将沿电场方向发生移动(无论正反向施以电场);而当E≥3 6×104V/cm时,激子被静电场解离,形成正、负极化子而束缚在链端。本文关于零电场和强电场时的激子行为与李蕾,傅柔励等人关于m LPPP等电致发光材料的结果十分相似,但在弱电场时,并未出现预料中的极化,疑与本文引用的模型有关。     

高分子中双激子态对外电场的线性响应

在外电场中,非简并基态共轭高分子中的双激子具有反向极化的奇异特性.利用响应函数求得高分子链的双激子态在任意频率下的动态极化率χ(ω),并通过求ω→0极限,给出双激子态的静态极化率χ,证实了χ确实为负值.并与激子态和基态作了比较,分析了分子负极化率的起因.考察了响应函数在低频时的行为,指出激子和双激子的激发浓度增大会导致材料折射率n(ω)向不同方向变化. 关键词：     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质 ,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括：研究方法,外电场注入的或光激发引起的电子和穴穴会在高分子中形成极化子激子,弱或中等强度电场使极化子激子极化,强电场解离极化子激子,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

原子无序起伏对反向极化稳定性的影响

考虑到缺陷、温度效应、掺杂等外界环境的影响,用方形随机分布和高斯随机分布模拟了格点原子的无序起伏,研究了在电场中高分子材料的双激子态反向极化的稳定性,发现当原子涨落不大于0.0148nm时,反向极化能够稳定存在.在格点扰动达到原子间距的14时,反向极化消失.进一步研究了简并参数te与反向极化的关系,同时讨论了在无序起伏较大时正向极化的起因. 关键词： 反向极化 双激子态 原子无序起伏     

高分子中激子和双激子的极化率(解析计算)

高分子的电致发光是载流子在电场中的输运和复合,为了阐明它的机理,需要研究高分子中激子的极化性质,首先求得了激子和双激子的解析解,然后用线性响应的Green函数方法计 算了两者的极化率,解析地证明了一个重要的结论：激子的极化率为正,双激子的极化率为负.从激子跃迁至双激子,高分子的电偶极矩要反转方向. 关键词： 激子 双激子 解析解 负极化率     

链间耦合对聚合物中双激子态反向极化的影响

从紧束缚模型出发，研究了链间相互作用对双激子态反向极化的影响.结果发现：加链间耦合后，双激子态仍主要局域在一条链中.当简并破缺较小时，反向极化程度随耦合强度的增加大幅提高；当简并破缺较大时，反向极化程度随耦合强度的增加基本不变. 关键词： 反向极化 双激子态 链间耦合     

电场中高分子的发光和激子的解离

研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1.在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：(1)电场超过1.5MV/cm时，PPP衍生物的发光强度很快减弱；(2)电场对4.5MV/cm时，发光强度减为24%；(3)电场使发光光谱向蓝色移动.2.高分子中π电子具有“离域性”，易于极化.算得高分子中激子具有很大的极化率，比氢原子大三个数量级以上. 关键词：     

电子关联对C60激子极化子的影响

本文采用扩展的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在电子－晶格耦合的紧束缚近似下，研究了光激发下的Ｃ₆₀，分子的激子态和极化子态。我们发现，电子关联效应相当敏感地影响到单态和三态激子的束缚能。同时，Ｃ₆₀分子动力学晶格弛豫使激子极化子得以形成。光激发下的Ｃ₆₀分子，在电子相互作用Ｕ～５．０ｅＶ，Ｖ～２．０ｅＶ时，能够定性地解释荧光发射谱。 关键词：     

有机共轭高聚物的分子链间耦合局域态

有机共轭高分子中,孤子、极化子及激子都是基本的元激发,对解释有机聚合材料的导电发光特性起着主导作用.孤子、极化子以及激子等在晶格位形上都是各具特征的空间局域状态.本文将讨论在有机共轭高分子中存在着另一种局域态——链间耦合局域态,这种局域态是由于分子链间的相互作用所导致,在相互作用分子链端附近形成势阱,可有效束缚电子和空穴等带电粒子.     

晶格振动对激子运动的影响

在本文中用Haga研究极化子时提出的微扰法讨论晶格振动对激子运动的影响。把作者过去的工作推广到电子和空穴质量不相等的普遍情形。在忽略反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,导出了激子的基态能量、有效质量、约化质量和内部势能。指出:激子的有效质量和电子、空穴与声子的相互作用有关;激子的约化质量不仅和电子、空穴与声子的相互作用有关,而且还和电子空穴质量比有关;激子形成自陷态的条件并非由电子、空穴与声子相互作用的大小,而是由电子、空穴质量比决定。形成激子自陷的条件是电子、空穴质量比0.261<μ_e/μ_h<3.83。在μ_e/μ_h<0.261或μ_e/μ_h>3.83的情形,激子极化晶体中并不形成自陷态。 关键词：     

共轭高聚物中极化子散射引起的激子迁移(英文)

基于Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型并考虑到Brazovskii-Kirova对称破缺项,研究了共轭聚合物中注入极化子和激子在外电场下的散射过程.研究发现在外场作用下极化子总是能通过激子,而激子的运动行为则密切依赖于电场的强度.如果电场大于临界电场3.0×10~5V/cm,那么激子与极化子散射后并不发生任何运动;然而当电场小于此临界值时,激子将在极化子运动的相反方向上有一个明显的位移.激子在弱电场下所发生的这种迁移运动,是由于同极化子发生了慢散射作用.     

高分子中的激子激子复合过程

高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷（ｓｅｌｆｔｒａｐｐｉｎｇ）效应，两个单激子（ｅｘｃｉｔｏｎ）会复合形成双激子（ｂｉｅｘｃｉｔｏｎ），这是形成双激子的重要通道，其效率高于双光子过程．这种复合过程伴随着晶格畸变，需要了解其演变过程并确定其弛豫时间．本文利用动力学方程研究了激子激子复合的弛豫过程，确定了它的弛豫时间为１６０ｆｓ，同时还研究了外电场Ｅ对复合过程的影响，结果表明，当Ｅ大于０５ＭＶ／ｃｍ时，两个单激子不能复合成双激子，而是解离成正负双极化子．     

γ 射线辐照缺陷对单层 MoS2 光谱学性质的调控研究

围绕着过渡金属二硫族化合物( 简称 TMDs) 材料的研究在近十年来一直是相关领域的热点. 本文利用γ射线辐照, 在单层 MoS2 中引入辐照缺陷, 利用光谱学手段结合原子力显微术研究辐照缺陷对单层 MoS2 光谱性质和能谷特性的影响. 结果表明,γ 射线成功地在单层 MoS2 中引入了辐照缺陷, 辐照缺陷对其室温拉曼谱和光致发光谱(photoluminescence, 简称PL) 影响较小, 但对其低温PL 特性有显著影响, 并且缺陷态束缚激子呈现出与自由激子截然不同的谷极化特性; 相较于自由激子, 缺陷态束缚激子的谷极化度对外加磁场的变化更为敏感, 并在面外磁场>2 T 时达到饱和, 保持在约30% .     

宽禁带、绝缘体材料中的激子动力学研究(同步辐射应用)

本文综述了近年来使用同步辐射研究稀有气固体、碱卤化物、碱土卤化物以及含稀土的离子晶体等宽禁带、绝缘体材料在激子动力学特性方面所取得的主要进展。包括激子的基本特性,激子与晶格的相互作用,特别是激子的自陷与激子激励的解吸附,激子与稀土中心间的能量传递,高激子态的弛予以及团簇中的激子特性等。最后简介典型的实验系统。     

宽禁带、绝缘体材料中的激子动力学研究(同步辐射应用)

本文综述了近年来使用同步辐射研究稀有气固体、碱卤化物、碱土卤化物以及含稀土的离子晶体等宽禁带、绝缘体材料在激子动力学特性方面所取得的主要进展。包括激子的基本特性,激子与晶格的相互作用,特别是激子的自陷与激子激励的解吸附,激子与稀土中心间的能量传递,高激子态的弛予以及团簇中的激子特性等。最后简介典型的实验系统。     

SO和LO声子对GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中激子束缚能的影响

本文考虑了电—声子耦合作用,应用么正变换方法计算了GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中的激子束缚能;得到了激子束缚能随阱宽变化的曲线。当考虑激子声子相互作用后,激子相对于电子极化子和空穴极化子的第一子带底的束缚能小于相应的裸激子的束缚能量。     

二维声学极化子的基态能量和有效质量

自陷电子对了解光电材料的光学性质非常重要.近些年来,形变晶格中电子自陷的问题受到研究人员的广泛关注.电子既与声学模耦合,也与光学模相互作用,但电子由自由态向自陷态的转变缘于近程的电子-声学声子耦合.研究表明:声学极化子在大多数半导体以及Ⅲ-Ⅴ族化合物,甚至碱卤化物中都不可能自陷.另一方面,电子-声子耦合在束缚结构,如二维、一维系统中,会有所增强.换言之,电子在低维结构中更容易自陷.Farias等人指出:声学极化子在二维系统中自陷的临界电子-声子耦合常数为定值,不随声子截止波矢的变化而改变.这种结论在物理上不尽合理.通过计算二维系统中的声学极化子基态能量和有效质量,讨论了二维声学极化子自陷问题.研究发现,二维声学极化子自陷转变的临界耦合常数随声子截止波矢的增加朝电子-声子耦合较弱的方向变化.这一特征与前人关于体和表面极化子研究获得的结论定性一致.所得二维声学极化子基态能量的表达式与Farias等人一致,但自陷的结果与Farias等人的结果在定性和定量上均有不同,我们认为Farias等人关于二维声学极化子自陷转变点的确定方式有不妥之处.通过改进自陷转变点的确定方式,得到了在物理上更合理的结果.