Nd0．3Sro．7Mn1-xCrxO3（0．01≤x≤0．15）的低温热导率研究

报道Nd0．3Sro．7Mn1-xCrxO3（0．01≤x≤0．15）的热导率在10-300K温区内随温度和Cr含量的变化关系,在所测温区，随着Cr掺杂的增加，样品热导率值整体上逐渐减小，但在x=0．15时，出现反弹．热导率值在绝缘体-金属转变附近有很大提高，这个提高随Cr含量的增加逐渐被压制，直到x=0．15消失．分析指出热导率在绝缘体-金属转变附近的提高是由声子热导率和自旋相关热导率两部分贡献的；Cr掺杂通过电荷、晶格和自旋相互作用影响和制约了热导率随温度的变化,结果表明体系中自旋对热导率的调制作用是不可忽略的。     

La1．89Ce0．11CuO4／La0．7Ca0．3MnO3异质结的原位制备及输运性质研究

采用脉冲激光沉积方法，在SrTiO3（STO）基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1．89Ce0．11CuO4（LCCO）与超大磁电阻（CMR）材料La0．7Ca0．3MnO3（LCMO）异质结．使用X射线衍射和透射电镜分析，表明异质结是c轴取向外延生长．LCCO层的超导转变温度了TC0是18．5K，LCMO层的金属一绝缘转变温度为195K．我们研究了这种异质结的界面微分电导，得到LCCO的能隙大小是4．2meV．     

铁电材料Pb（Zr0．44Ti0．56Ni0．3O）O2的光伏特性

通过对Pb（Zr0．44Ti0．56Ni0．3O）电材料单独掺杂铅后相界宽度的计算获得了铁电材料明显的通断光电流和较大的剩余极化强度,从而得出间接带隙为2．9eV,无栅极偏置电压大,偏置场的增加显著,光电流密度增大为0．1-0．5 mV/cm2。因此,铁电材料在极性相反的极化强度下可以决定开路电压（voc）和短路电流（Isc）,这一特性为非中心对称的铁电材料对可见光敏感的极性向前迈进了一步。     

熔融织构Y0．8Ca0．2Ba2Cu3Oy的电子比热

采用热驰豫方法在0到9T范围内测量了熔融织构Y0．8Ca0．2Ba2Cu3Oy的比热．零场下，2-180K的比热结果可以用Einstein模型来描述．通过4-Einstein峰拟合声子谱的方法，我们分别处理了不同磁场下超导转变附近的比热，获得了晶格比热和不同磁场下的电子比热，并将实验结果与London模型的计算结果进行对比，发现London模型能够很好地模拟出我们的实验结果．     

窄带隙Pr0．6Ca0．4MnO3体系的电荷有序和多重磁化转变

研究了窄带隙Pr0．6Ca0．4MnO3体系的电荷有序及低温下的团簇玻璃现象．实验表明，样品具有典型的相分离特征，在高温区于241K左右发生电荷有序（Charge Ordering，CO）转变，在高的外加磁场下破坏了样品的电荷有序和反铁磁，使材料发生绝缘—金属转变．在低温下（T～41K），形成自旋玻璃态（Spin Glass，SG）．发现了存在于低温团簇玻璃相中的多重磁化跳跃现象，利用外场作用下AFM团簇中磁矩的翻转而导致铁磁成分的增加对实验结果给予了初步解释，证明了磁场作用对Pr0．6Ca0．4MnO3的CO与团簇玻璃态冻结之间的直接关联作用．     

Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3体系调带宽引起的磁相变及电输运性质转变

采用固相法制备了Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3（x=0．0,0．2,0．4,0．6,0．8,1．0）多晶样品．通过测量样品的X射线衍射（XRD）谱、磁化强度-温度（M～T）曲线、电阻率-温度（ρ～T）曲线,研究了Sr^2＋替代Ca^2＋对Pr0．45Ca0．55MnO3体系磁性和电性的影响．实验发现：...     

高压对大块（PrNd）xAl0．6Nb0．5Cu0．15B1．05Fe97．7-x合金微观结构和性能的影响冰

经配料、熔炼、制粉、成型和烧结后制备了（PrNd）xAl0．6Nb0．5Cu0．15B1．05Fe97．7-x（质量百分比）合金,将该合金分别采用1．5GPa和3．0GPa的压强进行压制,研究了此高压对其显微结构和磁性能的影响．分析发现,该块状合金承受的压强越高,其外观和微观结构破坏越严重,抗弯强度也会降低,但高温抗氧化性能却有一定程度的提高．与没有经过高压处理的磁体相比,经过1．5GPa和3．0GPa高压的样品最大磁能积分别提高了7．69kJ．m^-1和0．94kJ．m^-1,剩余磁通密度分别提高了0．02T和0．01L内禀矫顽力分别提高了20．06kA．m-1和30．33kA．m^-1．结果表明,高压对块状NdFeB烧结磁体的显微结构和力学性能及磁性能均有一定的影响．     

La1．48Nd0．4Sr0．12CuO4的结构相变研究

用高分辨电镜观察了室温下La1．48Nd0．4Sr0．12CuO4和La1.88Sr0.12CuO4样品的原子结构像，观察到了其中的La2O2层和CuO2层沿c轴方向交叉堆砌．这两个样品的微结构非常相似，说明Nd掺杂没有造成周期性的调制结构．用变温X射线研究了La1．48Nd0．4Sr0．12CuO4样品中低温正交（LTO）到低温四方（LTT）结构相变，给出了晶格常数随温度的演化过程．     

布里渊散射决定0．67Pb（Mg1／3Nb2／3）03-0．33PbTiO3单晶的弹性、压电和介电常数

我们报道了用高分辨布里渊散射,确定0．67Pb（Mg1／3Nb2、3）O2-0．33PbTiO2单晶中的弹性、压电和介电常数．所有的实验数据都是在一块沿[001]方向的极化的单晶样品上获得的。我们实验中得到的这些常数的数值和以往超声共振技术获得的数值相似。我们还研究了压缩模和剪切模在（010）和（001）平面内的方向依赖性。TA1和TA2模式的强度对散射角度有很强列依赖性。在散射角度为45°～65°内,一个新的峰出现在～18GHz附近。它可能与晶体中的微观不均匀性或者局域微结构相关。     

压力对La0．3Bi0．2Ca0．5MnO3中晶格畸变的影响

利用同步辐射X射线衍射技术,对La0.3Bi0.2Ca0.5MnO3中存在的Jahn-Teller畸变进行了原位的高压研究。实验表明,外加压力能有效地影响到晶格中Mn－O键长和Mo-O-Mn键角的变化。当压力为1．8GPa时,在晶格中存在的两种不同畸变模式之间的相互作用下,导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失。     

ZnSe(100)极性表面电子结构研究

从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ZnSe（100）表面电子结构，讨论了ZnSe（100）无再构无弛豫理想表面及其c（2×2）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ZnSe（100）非二聚再构表面较理想表面和二聚再构表面稳定，支持了Farel等的实验结果，分析了ZnSe（100）理想表面与非二聚再构表面表面电子态差别，并与同步辐射光电子能谱作了对比，理论与实验符合较好 关键词：     

THE U(5) AND O(6) LIMITS OF THE U(6/12) DYNAMICAL SUPERSYMMETRY

Using the pseudo-spin method, the U(6/12) supersymmetries can be decomposed into seven chains: three chains from the U^B+F(6) symmetries (I,Ⅱ,Ⅲ chains) and three "preserving" the IBM symmetries (I',Ⅱ',Ⅲ' chains). The last one is SU^B+F(3)^* synmetry.The physical meaning of chains Ⅱ and Ⅱ', the so-called SU(3)symutetries was discussed by Warner. That of chains Ⅲ and Ⅲ' was briefly in dicated previously by Vallieres et al. In this paper we will discuss the characteristics as well as the physical meaning of chains I and I', to so-called SU(5) limits, andwcontrast it with the discussion for Ⅲ and Ⅲ'.     

甲氧甲酰基三氯乙酰基亚甲基三苯基磷——Ylid-Ⅳ晶体结构研究

Ylid-IV(C₂₂H₁₈O₃PCl₃)的结晶属单斜晶系,空间群为(P2₁)/n,晶胞参数a=13.518(6)?,b=14.923(7)?,c=11.473(5)?,β=99.81(2)°z=4。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据;用直接法(MULTAN-78)解结构;用全矩阵最小二乘方法修正结构,对2582个可观察反射(l>3σ(I))最终的R=0.074;差值Fourier综合确定 关键词：     

Cl在GaAs(110)面上的吸附

本文主要研究Cl是吸附在GaAs(110)理想表面还是弛豫表面,是与表面正离子成键还是与表面负离子成键。计算采用集团模型和密度自洽的EHT方法。结果表明Cl只能吸附在弛豫的GaAs(110)面上,与表面As原子成键。在这个位置上吸附Cl的态密度与实验符合较好。 关键词：     

ZnS(111)表面电子结构研究

利用Ｍｕｆｉｎ-Ｔｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．理论态密度曲线与ＺｎＳ（１１１）表面同步辐射光电子能谱相符合     

GaAs(110)面的电子结构

本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。 关键词：     

流体的塔阱状态方程及其对迁移性质的推算

流体的塔阱状态方程及其对迁移性质的推算曾向东，严家（哈尔滨工业大学能源科学与工程学院哈尔滨１５０００６）牛文科，韩立中（哈尔滨船舶锅炉涡轮机研究所哈尔滨）关键词势能模型，配分函数，状态方程，平衡性质，迁移性质１流体的塔阱状态方程Ｐｒｉｇｏｇｉｎｅ认为...     

meso-四(4-磺基苯基)卟啉(TPPS)在微乳液中的行为研究

本文首次研究了ｍｅｓｏ－四（４－磺基苯基）卟啉（ＴＰＰＳ）在Ｏ／Ｗ型微乳液（Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００－壬烷－正戊醇－水）体系中的电子吸收光谱变化，计算了ＴＰＰＳ的电离常数Ｋａ及二聚常数ＫＤ。     

COMPATIBILIZATION OF POLY(ETHYLENE OXIDE)/POLY(STYRENE) BLENDS: EFFECT OF THE MOLECULAR WEIGHT OF THE COMPATIBILIZER

The effect of the molecular weight and concentration of the compatibilizer maleic acid-alt-styrene copolymer (MAaS) on the compatibility behavior of incompatible poly(ethylene oxide)/poly(styrene) (PEO/PS) blends was studied by differential scanning calorimetry (DSC) and polarized light microscopy (PLM). PEO with [Mbar] _w = 100,000 (PEO₁₀₀) and PS with [Mbar] _w = 225,000 (PS₂₂₅) were used for this study. DSC measurements showed two T _g values that were shifted relative to those of the pure components. This result should be indicative that MAaS acts as a compatibilizer for the blend. Diminishing of the spherulitic growth rate G was observed as the content and molecular weight of MAaS increased in the blend. This result was confirmed by morphological analysis, by which it was possible to observe that the amorphous component diminished its droplike domains. Contact angle measurements suggest that the wettability of PEO drops on a PS/MAaS surface are larger in the system containing MAaS as the compatibilizer.     

THE MULTISYNCHRO-SPHERICAL SOLUTIONS OF THE SU(N)GAUGE THEORY

We study the monopole solutions of the SU(N) gauge group systematically,generalize the current synchro-spherical symmetrical monopole to the multi synchro-spherical symmetrical case,and give the complete classification of the monopole so-lutions.As examples,we have calculated the SU(3) and SU(4) monopoles in detail,and discuss some problems such as angular momenta and topological quantum num-bers.