Ir β+/EC衰变及其系统性分析

在在束实验条件下用γ-γ符合方法研究了具有β⁺/EC衰变性质的核素^176,178Ir的衰变γ射线. 另外借助氦喷嘴快速带传输系统在排除在束干扰的条件下, 进一步对¹⁷⁶Ir的β⁺/EC衰变进行了研究, 在确认在束测量新γ射线的同时建议了¹⁷⁶Ir的一个低自旋同核异能态. 从衰变系统性方面对^176,178Ir核中存在同核异能态的合理性和可能性进行了分析.     

缺中子120Ba核EC/β+衰变的再研究

利用171MeV ³²S束轰击⁹²Mo靶,熔合蒸发(2n2p)反应合成了¹²⁰Ba核.由氦喷嘴反冲快速带传输系统将反应产物送到低本底区.位于带子两侧的两个平面型高纯锗探测器对反应产物进行了符合测量.经离线数据分析,对早先发表的¹²⁰Ba衰变γ射线予以确认,并补充了19条强度较弱、能量较低的γ射线.建议了¹²⁰Ba的衰变纲图共包括35条γ射线和25条能级.     

缺中子130Pm和128Pr核的EC/β+衰变研究

171MeV³⁶Ar束轰击⁹⁶Ru靶由熔合蒸发反应生成了¹³⁰Pm和¹²⁸Pr核.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.基于X-γ-t,γ-γ-t符合测量,首次建立了¹³⁰Pm的(EC+β⁺)衰变纲图.重新研究了¹²⁸Pr核的衰变,订正和补充了γ射线,建立了新的(EC+β⁺)衰变纲图.     

83Rb的低激发态能级结构

用γ射线单谱测量和γ–γ–t符合测量研究了⁸³Sr(β⁺+EC)⁸³Rb衰变,将⁸³Sr衰变的γ跃迁由102条扩展到196条,发现了⁸³Rb的19条新能级,否定了前人测得的8条能级.测定了⁸³Sr(β+EC)衰变的分支比,重新确定了⁸³Rb各能级的自旋和宇称值.     

双奇核176Ir转动带的旋称反转

利用¹⁴⁹Sm(³¹P,4nγ)反应,通过γ射线的激发函数测量、X-γ和γ-γ符合测量研究了双奇核¹⁷⁶Ir的高自旋态.首次建立了双奇核¹⁷⁶Ir由4个转动带构成的能级纲图.依据从实验数据中提取出的带内B(M1)/B(E2)值与理论计算值的比较,以及相邻双奇核的带结构特征,给出了转动带的准粒子组态.基于本实验建立起的带间跃迁和在I=18h处观测到的旋称交叉,指出¹⁷⁶Ir核基于πh_9/2⊙νi_13/2和πi_13/2⊙νi_13/2组态的两个转动带在低自旋时出现旋称反转现象.     

131Pm衰变的首次观测

利用³²S轰击¹⁰⁶Cd靶,通过3p4n反应产生了¹³¹Pm,反应产物经过毛细管及带收集传输系统传输到低本底区,测量了反应产物的X,γ单谱,并进行了X-γ,γ-γ符合测量,得到了¹³¹Pm的半衰期及衰变γ线,并建立了简单的衰变纲图.     

95Ru的衰变

通过⁹²Mo(a,n)反应产生⁹⁵Ru,对半衰期为1.65小时的⁹⁵Ru的衰变Y谱学进行了研究,观察到了⁹⁵Ru衰变产生的130条γ射线,其中34条是新的.根据符合关系,将新γ射线中的29条放进了衰变纲图,同时确认了原纲图中7条γ射线的位置,发现了⁹⁵Ru衰变子体⁹⁵Tc的3个新能级,给出了⁹⁵Ru新的衰变纲图.     

23Al的β+延发质子测量

利用TOF-ΔE和0°注入探测器的方法,鉴别并测量了²³Al β⁺延发质子衰变能谱,通过精密脉冲发生器和计数器测得²³Al的半衰期T_1/2=(476±45)ms.实验中重现了能量为0.216,0.278,0.438,0.479MeV的低能衰变质子.另外,还观察到了一个新的β⁺延发衰变能级E_x=8.916MeV,并给出了它们的相对强度.     

20Na的β+延发α粒子测量

利用兰州放射性次级束流线提供的²⁰Na束流,通过²⁰Naβ^{+ 20}Ne→¹⁶O+α过程,测量了²⁰Na的衰变半衰期T_1/2及衰变α粒子能谱.结果表明,除了E_d≥2.688MeV的9条较高激发能级的衰变α粒子外,实验中还观察到衰变能量E_d为0.890和1.054MeV,1.991MeV,2.424和2.457MeV的²⁰Ne低激发能级的3条α谱线.     

208Hg β－ 衰变γ纲图

以¹⁸O重离子束轰击厚天然铅靶,通过多核子转移反应生成²⁰⁸Hg核.辐照铅片放入离线熔化铅靶气相热色谱装置中处理,分离并收集汞元素产物.完成了4πΔE_βγ-γ,γX(γ)关联事件谱及γ射线时序单谱测量.建议了21条γ射线,以及能量为1365,1727keV的两条²⁰⁸Tl新能级的²⁰⁸Hg β^－ 衰变部分γ纲图.     

130Nd和140Tb的EC/β+衰变研究

利用能量为170MeV左右的³⁶Ar重离子束轰击⁹⁶Ru和¹⁰⁶Cd浓缩同位素靶,分别生成缺中子同位素¹³⁰Nd和¹⁴⁰Tb.借助氦喷嘴带传输系统,用X–γ和γ–γ符合方法,分离鉴别了这两种核素,并进一步测定了它们的衰变性质.得到¹³⁰Nd的半衰期为(13±3)s,首次建议了它的EC/β+衰变纲图,推测了其子核¹³⁰Pr的基态和低位能级的自旋宇称.修订了¹⁴⁰Tb的原有极简单的EC/β⁺衰变纲图并指认¹⁴⁰Tb的基态自旋宇称为7⁺.     

首次测定短寿命缺中子同位素153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图

利用¹⁶O重离子束轰击¹⁴²Nd和¹⁴⁷Sm同位素靶分别生成¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb的EC/β⁺衰变纲图.从中指认出¹⁵³Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出¹⁵⁷Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.     

175Hf核ε衰变的IXK/Iγ(343keV)比值计算和分析及其辐射数据计算

简要地介绍了¹⁷⁵Hf核ε衰变的I_XK/I_γ(343keV)比值的计算方法与实验测量的比较与分析,并在此基础上,计算得到了P_γ(343keV)=0.869±0.004,还给出了¹⁷⁵Hf核ε衰变的辐射数据的计算与推荐     

208Hg鉴别

本文较详细地描述了新丰中子核素²⁰⁸Hg的鉴别及半衰期测定程序.²⁰⁸Hg的鉴别采用了二步离线化学分离:第一步是基于热色谱原理的高效、高选择性的Hg产物收集,第二步是周期性地提取生长起来的T1.在提取的T1样品中观察到半衰期约3min的2614.6keVγ活性.该γ活性可归结为由²⁰⁸Hg β^－衰变而生长起来的²⁰⁸T1的衰变γ.     

缺中子核素129Ce的(EC/β+)衰变

利用102MeV¹⁶O⁶⁺束轰击同位素靶¹¹⁷Sn,通过熔合蒸发4n反应产生核素¹²⁹Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.通过化学分离来制备待测的Ce样品,与此同时用¹⁶O束轰击¹¹⁷Sn的两种相邻的同位素靶¹¹⁸Sn和¹¹⁶Sn,并比较上述3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素.结果一种半衰期为4.1min的活性被鉴定为¹²⁹Ce.基于X–γ–t和γ–γ–t符合测量,建议了包括51条射线在内的¹²⁹Ce的(EC/β⁺)衰变纲图.其中,¹²⁹Ce基态直接馈送到¹²⁹La基态的份额(26±7)%是用观测到的¹²⁹La衰变的278.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的.另外还给出了用La-K_α-X射线和68.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱.     

175Er的衰变纲图

用14MeV中子照射天然Yb靶,通过¹⁷⁶Yb(n,2p)¹⁷⁵Er反应产生了新的重丰中子同位素¹⁷⁵Er,借助X-γ,γ-γ符合测量方法,首次鉴别出了¹⁷⁵Er,并测得其半衰期为(1.2±0.3)min.同时还观察到了¹⁷⁵Er衰变所发射的8条新γ射线,建立了¹⁷⁵Er的部分γ衰变纲图,从中指定了¹⁷⁵Tm的一个基态转动带.     

新重丰中子同位素175Er的合成和γ衰变

用14MeV中子轰击天然镜靶,通过¹⁷⁶Yb(n,2p)¹⁷⁵Er反应,首次合成了新同位素¹⁷⁵Er.利用γ(X)谱学方法,对¹⁷⁵Er的活性进行了观测,发现了能量为76.5,120.9,123.7,128.5,227.3,234.0,281.4,1167.5keV半衰期为1.2±0.3min的八条新γ射线,并指定为¹⁷⁵Er的β-衰变.建立了¹⁷⁵Er的部分衰变纲图.     

形变双奇核178Ir转动带能级的旋称反转

利用¹⁵²Sm(³¹P,5nγ)¹⁷⁸Ir反应产生并研究了双奇核¹⁷⁸Ir的高自旋态.实验中进行了¹⁷⁸Ir核的在束γ测量,包括γ射线的激发函数测量、X–γ和γ–γ符合测量.首次建立了双奇核¹⁷⁸Ir基于πh_9/2νi_13/2和πh_11/2νi_13/2准粒子组态上的转动带能级纲图.发现在低自旋区,两个转动带能级均出现旋称反转.对此核区半退耦带的旋称反转作了简要的分析和讨论.     

76Se的低自旋新能级及其晕带能级结构的讨论

分别用反康谱仪和两个高纯锗探测器进行了单谱和符合谱测量,研究了⁷⁶Br的衰变.用⁷⁵As(α,3n)⁷⁶Br和⁷⁶Se(p,n)⁷⁶Br二种核反应生成了⁷⁶Br核.实验结果证实了以前报道的属于⁷⁶Se的能级和γ射线.首次发现了39条新γ射线和15个新能级.基于logft的计算值、所观测到的能态的退激发方式和一些核反应的实验结果,提出了新能级的自旋和宇称.建议了一个新的⁷⁶Br衰变纲图.用在束γ谱学方法所观测到的高自旋态,对正宇称晕带和在角动量投影壳模型框架下的计算结果进行了比较.     

伴随β－衰变的γ射线强度归一化因子计算

简要介绍了伴随β^－衰变的γ射线强度归一化因子的计算方法,并以实例说明,还给出了有关的强度平衡自洽检验方法及其简要讨论.