AgInSbTe薄膜的短波长记录性能分析

采用自制的装置研究了Ag5In5Sb47Te33薄膜的静态记录性能与记录激光的功率和脉冲宽度的关系，并对其记录畴形貌特点进行了直接观察。结果表明只有记录激光的功率和脉冲宽度在一定范围之内才能起到信息记录的作用，所得的记录畴形貌十分清晰，基本为非晶态Ag5In5Sb47Te33；小于该范围的激光能量不能使材料结构发生较大的变化，所得的记录畴形貌模糊，反射率对比度低于2％；大于该范围所得的记录畴由烧蚀区和其周围的非晶态Ag5In5Sb47Te33组成。另外，得到了记录激光功率为12mW、脉冲宽度为90ns的Ag5In5Sb47Te33薄膜的短波长最佳记录条件，其记录畴的反射率对比度为22％，直径为380nm-400nm。     

新型AgInSbTe相变薄膜的光学及记录性能

利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193．92℃。X射线衍射(XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态,而经过200℃热处理,X射线衍射图出现衍射峰,薄膜从非晶态转变到晶态。同时,研究了晶态和非晶态相变薄膜的吸收率、透射率和反射率随波长的变化。测定了650nm激光作用下的相变薄膜的记录性能,分析了记录功率、记录脉宽对薄膜反射率衬比度的影响,在同一记录脉宽条件下,记录功率越大,反射率衬比度也越大;在同一记录功率条件下,随记录脉宽的增加,反射率衬比度也增大。结果表明,新型AgInSbTe相变薄膜在激光作用下具有较高的反射率衬比度,可获得良好的记录性能。     

TeOx薄膜结构及短波长静态记录特性的研究

以真空蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeO_x单层薄膜.使用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行了分析.实验结果表明,薄膜是由晶态Te分散在非晶态TeO₂基体中形成的混合体系,TeO₂基体的存在增强了Te的抗氧化性能;薄膜具有精细粒状结构和粗糙的表面;退火后薄膜的反射率增加和Te向表面的偏析、重聚集及表面粗糙度的降低有关.采用波长为514.4nm的短波长静态记录仪对薄膜静态记录性能的测试结果表明:薄膜具有良好的记录灵敏性,在记录功率1.5mW、脉宽50ns时就可产生较高的反射率衬比(度).研究结果为选择合适掺和物使TeO_x薄膜实际用作高密度光存储介质有重要意义.     

酞菁铜薄膜的光记录特性

研究了有机染料酞菁铜（ＣｕＰｃ）真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数，发现酞菁铜薄膜在５５０－７５０ｎｍ波长范围内具有较强的吸收，在静态测试仪上测试了酞菁铜薄膜的光存储记录特性，发现用低功率氦氖激光照样品时薄膜反射率变化较大，在酞菁记录层上覆盖金属反射层将提高写入激光的阈值能量并且增大反射率的对比度。     

Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学及擦除性能研究

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大.并且,在1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态.对于脉宽为60 ns的蓝绿激光,擦除功率大于4.49 mW以后,薄膜的反射率对比度高于15％,这表明Ge2Sb2Te5相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度.同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜的光谱特性,对比研究了780 nm,650 nm,514 nm和405 nm波长处的反射率和反射率对比度,提出了Ge2Sb2Te5相变薄膜用于蓝光光盘的改进方法.     

SiSb相变薄膜的激光初始化研究

利用直流磁控溅射法将SiSb薄膜沉积到聚碳酸酯光盘盘基上,利用相变光盘初始化仪分别在400,500,600,700,800和1200 mW的激光功率下将光盘初始化。比较了在不同激光功率下SiSb薄膜在300～800 nm波段的反射率变化情况。研究表明,随着初始化激光功率的提高,SiSb薄膜的反射率和反射率对比度逐渐增加。在400～800 nm波长范围内,SiSb薄膜在1200 mW激光初始化下高达30%～35%的反射率对比度,说明此相变薄膜是一种有前途的新型光存储材料。将沉积态与400,800和1200 mW初始化后的SiSb薄膜进行X射线衍射分析,研究表明,沉积态的SiSb为非晶态,激光初始化后的样品发生了不同程度的晶化,激光功率越高,晶化程度越高,晶化相为Sb的六方晶系菱形中心结构。     

GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低，可通过膜层设计来提高     

有机薄膜光盘的微区结构

通过光学显微镜（ＯＭ）扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察了光记录有机薄膜的微区结构，从微区结构的形貌可以看出光记录后酞菁薄膜上产生了鼓泡，通过这些观察方法的比较发现扫描隧道显微镜可以提供更加详细，精确的三维参数，薄膜的微区结构研究对于分析光盘的性能，了解记录机理具有重要意义。     

磁控溅射法制备的高反Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜的光谱性质及短波长静态记录性能

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ。从这一角度讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的记录介质。另外，采用波长为５１４．４ｎｍ的短波长光学静态记录测试仪对Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３薄膜的记录性能进行了测试，结果表明，这种薄膜短波长记录性能较好，它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。     

GeSg2Te4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ－８３０ｎｍ区域的吸收，反射光谱和光学常数，发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ－６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的发射率对比度较低，可通过膜层设计来提高。     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光谱和光存储性质研究

利用旋涂法,制备了以二乙基胺基〖Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２〗作为推电子基因、以具有强电负性的羧基（ＣＯＯＨ）作为拉电子基团的推－拉型偶氮染料掺杂的高分子（ＰＭＭＡ）薄膜。在室温下测试了该偶氮染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射光谱和透过光,发现该薄膜在４００～５５０ｎｍ波长范围内具有强的吸收。在５１４．５ｎｍ光盘静脉测试仪上测试了膜片的静脉光存储性能,结果表明,用低功率Ａｒ＾＋激光（５１４．５ｎ     

Ge2Sb2Te5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究

利用直流磁控溅射制备了单层Ge₂Sb₂Te₅薄膜,研究了薄膜在400～800 nm区域的反射、透过光谱,计算了它的吸收系数,发现薄膜在400～800 nm波长范围内具有较强的吸收.随着薄膜厚度的增加,相应的禁带宽度Eg也随之增加.对Ge2Sb2Te5薄膜光存储记录特性的研究发现,在514.5 nm波长激光辐照样品时,薄膜具有良好的写入对比度,擦除前后的反射率对比度在6%~18%范围内.对实验结果进行了分析.     

High Reflection Ge_(0.45)Te_(0.55) Recording Films

ＨｉｇｈＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＧｅ０．４５Ｔｅ０．５５ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＦｉｌｍｓＬＩＵＨｕｉｙｏｎｇＪＩＡＮＧＦｕｓｏｎｇＭＥＮＬｉｑｉｕＦＡＮＺｈｅｎｇｘｉｕＧＡＮＦｕｘｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓ＆ＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉ...     

Thermal and Optical Properties of Cyanine Dye for High Density Digital Versatile Disc-Recordable (DVD-R)

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｓｔｏｒａｇｅｉｓａｎｉｍｐｏｒｔａｎｔｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌｏｂｊｅｃｔｉｖｅ.Ｔｏｉｎｃｒｅａｓｅｔｈｅｒｅｃｏｒｄｉｎｇｄｅｎｓｉｔｙｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｉｍｐｏｒｔａｎｔｓｕｂｊｅｃｔｓｉｎｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｆｕｔｕｒｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｏｐｔｉｃａｌｓｔｏｒａｇｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ .Ｔｈｅｄｉｇｉｔａｌｖｅｒｓａｔｉｌｅｄｉｓｃ ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ (ＤＶＤ Ｒ)ｆｏｒｍａｔｈａｓｂｅｅｎｐｒ…     

SbOx Thin Films Used for Write-Once Blue Laser Recording

SbOx thin films are deposited by reactive dc-magnetron sputtering from an antimony metal target in Ar＋O2 with the relative O2 content 7%. It is found that the as-deposited films can represent a two-component system comprising amorphous Sb and amorphous Sb2 O3. The crystallization of Sb is responsible for the changes of optical properties of the films. The results of the static test show that the SbOx thin films have good writing sensitivity for blue laser beams and the recording marks are very clear and circular. High reflectivity contrast of about 41% is obtained at a writing power 6mW and writing pulse width 300ns. In addition, the films show a good stability after reading 10000 times.