相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展     

The changes of holographic characteristics of photopolymer induced by temperature

The changes of holographic characteristics of photopolymer induced by temperature are studied experi-mentally. The results show that the exposure sensitivity increases with the increase of temperature. Themaximum diffraction efficiency and the final maximum diffraction efficiency increase with the increaseof temperature when the temperature is lower than Tg (glass transition temperature), while they decreasewith the increase of temperature when the temperature is higher than Tg. The effect of the change oftemperature on the saturation refractive index modulation is very weak.     

厚度对光聚物高密度全息存储记录参量的影响

本文用实验方法研究了光致聚合物的曝光时间常量、曝光能量常量、动态范围、曝光灵敏度和折射率调制度等高密度全息存储参量随样品厚度的变化规律,结果表明随着样品厚度的增加,曝光能量常量、曝光时间常量及材料的动态范围也增加,但材料的曝光灵敏度却减小,而折射率调制度却没有明显的变化规律.     

溅射气压对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化的影响 ,结果表明 :随薄膜制备时氩气气压的增加 ,Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率n先增大后减小 ,而消光系数k先减小后增大。二者都随波长的变化而变化 ,且在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 ,解释了溅射气压对Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数影响的机理     

薄膜厚度对AgInSbTe相变薄膜的光学性质的影响

采用射频溅射法制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,对深积态薄膜在300℃时进行了热处理,测量了不同厚度薄膜的反射、吸收谱及光学常数。研究了薄膜的光学常数与薄膜厚度的关系。结果表明在一定的厚度范围其光学常数随膜层厚度的不同有较大的变化,尤其在短波长范围内更为明显,这对于短波长记录相变光盘有重要意义。     

溅射工艺参数对AgInSbTe相变薄膜光学性质的影响

采用射频磁控溅射工艺,在K9玻璃片上用Ag-In-Sb-Te合金靶制备了相变薄膜,对沉积态薄膜在300℃下进行了热处理,测量了薄膜的光学性质。通过改变本底气压,溅射气压及溅射功率,研究了工艺参数对薄膜光学性质的影响,实验表明,本底气压,溅射气压及射功率综合决定了AgInSbTe薄膜的光学性质,对AgInSbTe薄膜的制备,选择较高的本底真空度,适当的溅射气压及溅射功率是非常重要的。     

软化学法低温合成银纳米线及其生长机制

以AgNO_3为起始物，采用DMF为溶剂和还原剂，无须采用晶种，在低温下 AgNO_3经DMF还原，通过软化学法合成了结构均匀的银纳米线，其直径为15-30nm， 长度高达20μm。通过引入乙酰丙酮，控制钛酸丁酯水解形成的多孔氧化物溶胶为 网络孔道结构，这种孔道结构为银纳米线的控制合成提供了有效的生长模板。     

RE对耐候钢溶质再分配的影响

为研究RE对耐候钢中各元素偏析的影响,进行了不同RE含量的耐候钢定向凝固实验,拉速为15μm.s-1,观察了RE对耐候钢定向凝固试样糊状区的影响,并用电子探针定量分析了耐候钢中各元素的溶质分配系数。结果表明,钢中加入RE可以抑制枝晶生长,细化枝晶,有利于二次枝晶的生长,可以促进等轴晶的生成。RE原子在晶界的富集可以抑制溶质元素在固液界面的析出,提高各元素的非平衡溶质分配系数,可以有效减轻耐候钢的宏观偏析。     

导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究

研究了光聚物高密度全息存储材料在全息记录过程中曝光量、曝光时间、厚度收缩比例、折射率调制度及记录角度等因素对布喇格偏移的影响规律,结果表明:曝光量一定时,布喇格偏移与曝光时间的关系不大,当曝光量不一定时布喇格偏移随曝光时间增加缓慢增加最后达到饱和;而布喇格偏移随厚度收缩比例和折射率调制度的增加以接近正比例的关系增加;记录光栅的倾斜度越大则布喇格偏移也越大.这些结论对光聚物高密度全息存储研究具有重要的意义.