| 模拟分析少子复合速率及吸收层对HIT太阳电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 任瑞晨,张研研,李彩霞,史力斌,史冬梅.模拟分析少子复合速率及吸收层对HIT太阳电池性能的影响[J].原子与分子物理学报,2014(3). |
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| 作者姓名： | 任瑞晨 张研研 李彩霞 史力斌 史冬梅 |
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| 作者单位： | 辽宁工程技术大学矿业学院;渤海大学新能源学院;渤海大学数理学院; |
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| 基金项目： | 教育部科学技术重点项目(211035);国家青年基金(11305017) |
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| 摘 要： | 采用AMPS-1D程序模拟分析了前后接触少子复合速率以及吸收层的厚度和少子迁移率对非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.模拟发现,与太阳电池的前接触少子复合速率相比,背接触少子复合速率对太阳电池光伏性能的影响更为显著.吸收层单晶硅的厚度对太阳电池光伏性能的影响要受到单晶硅隙间缺陷态密度以及背接触少子复合速率的制约.当背接触复合占主要地位时,吸收层越厚电池的转换效率越高;当吸收层隙间缺陷复合占主要地位时,电池的转换效率在某一厚度处达到峰值.吸收层的少子迁移率对太阳电池性能的影响,也要受到背接触少子复合速率的制约.当背接触复合速率较低时,少子迁移率越大,电池的转换效率越高;当背接触复合速率较高时,少子迁移率越小,电池的转换效率越高.
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| 关 键 词： | 太阳电池 少子复合速率 厚度 少子迁移率 |
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