激光微加工技术在集成电路制造中的应用

激光微加工技术以非接触加工方式,高效率、无污染、高精度、热影响区小的优点在微电子集成电路制造中得到了广泛应用.介绍了在集成电路制造封装中采用的激光微调、激光打孔、激光清洗、激光柔性布线和激光微焊技术.     

基于一种新微细加工技术的亚波长光栅的研制

描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术，即电子束（EB）扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形，再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构。用此加工技术获得了100nm以下的刻蚀精度，并研制成功亚波长光栅。该亚微米线宽微细加工技术可用于布拉格光栅、半导体激光器、无反射表面等需要亚微米结构的器件中。     

离子注入半导体的辐照损伤

光束、电子束、离子束等新型微细加工技术,使半导体集成电路制造工艺的加工尺度提高到了亚微米甚至更高的水平. 作为离子束加工的一个分支,把离子注入技术应用到半导体器件的掺杂工艺,是优于常规热扩散掺杂法的一种新工艺.它是用高能杂质离子强行入射到半导体晶片中,所以掺杂过程就伴有晶格损伤的产生.这些损伤直接影响半导体器件的电性能,因此人们对损伤的产生、观测及其消除情况颇为关心.目前,国际上对这一课题的研究很热烈.这一课题的解决,将使当今半导体工艺中不可缺少的离子注入技术得到更好的应用. 一、离子注入产生辐照损伤 离子注入…     

第八届国际应用激光技术中国研讨会

激光作为一种先进的技术,正应用于各行各业。中国激光市场蕴含着巨大的潜力,激光应用市场不断扩大,激光加工领域不断开拓,除了纺织、服装等轻工业和汽车制造业、航空、动力和能源等重工业,正逐步向精细、微细加工集中,向电子制造业、集成电路行业、通信、机械微加工,     

X射线光刻与超大规模集成电路

当前,集成电路正在向超大规模集成电路发展,预期在1985年到1990年间超大规模集成电路设计中将采用线宽为1至0.5微米的电路几何图形加工工艺(即亚微米工艺).这将使电路成本大大下降,例如采用2微米线条,存储器每位成本为3200微美分,采用1.5微米线条,成本为1925微美分,采用0.5微米线条,成本则下降至84微美分.由于这样明显的经济效益,超大规模集成电路所需的各种技术正在迅速发展,其中光刻技术更是突飞猛进. 一、超大规模集成电路对光刻技术 的基本要求1.高分辨率线条 三十万个元件组成的超大规模集成电路,其要求的最小线宽为1至1.5微米;一百万…     

电子散射效应对电子束光刻的影响

自七十年代中期,第一批计算机控制的亚微米对准精度的扫描电子束光刻机问世以来不到十年,一个引人注目的新技术领域──微细加工技术随之发展起来.人类有可能用这新技术来获得亚微米级(<1μm)、毫微米级(nm)的尺寸.电于束光刻在微细加工技术中份演着重要角色.超大规模集成电路、高速器件、超导结器件、声表面波换能器、高密度磁泡存贮器、集成光学元件、材料科学以及生物学等领域,都需要加工更小的尺寸.微细加工技术通常包括微光刻技术.干法腐蚀技术.离子注入技术和超薄层形成技术等.微光刻技术是形成微细图形和转移图形的重要技术.历史悠久…     

飞秒激光湿法刻蚀微纳制造

飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术,在复杂三维构型制作方面具有其独特的优势,但激光加工效率问题严重制约了飞秒激光微加工技术走向实际工程应用,提出一种飞秒激光湿法刻蚀微纳制造方法,以提高飞秒激光微加工的效率为突破口,通过调控激光与物质相互作用获得材料的目标靶向改性,进而结合化学湿法刻蚀实现硬质材料上的高效和高精度三维微加工,采用这一方法制作出的微透镜尺寸为80 m,球冠高6.7 m,表面粗糙度小于10 nm。利用这种方法,实现了不同结构与特性的高质量微透镜阵列的超精密制备,在石英内部也实现了螺旋微通道的复杂三维结构,螺旋通道直径为20 m,长径比超过100。     

飞秒激光精细加工含能材料

介绍了飞秒激光脉冲特点及其与物质相互作用机理, 论述了飞秒激光微加工含能材料技术特点及优势, 综述了飞秒激光加工含能材料技术及发展. 讨论了飞秒激光加工含能材料技术进一步发展所需的实验与理论研究工作以及相应的研究方案和关键技术. 关键词： 飞秒激光微加工 含能材料 冲击温度 冲击压强     

侧入式导光板的激光微加工技术的验证研究（英文）

从设计、仿真与加工入手研究液晶背光模组中侧入式导光板的激光微加工技术.通过光学软件构建导光板的光学结构并采用蒙特卡洛光线追迹方法进行模拟仿真,结果表明具有渐变密度分布的微结构能够提供高均匀性的光输出.基于仿真结果,运用激光微加工技术进行验证设计.激光微加工获得的微结构在100倍光学显微镜放大测量下尺寸约为30.14μm,接近于设计值30μm,同时对单个微结构的3D表面形貌特征进行分析.十组采用激光微加工技术与丝网印刷技术加工的导光板分别安装至侧入式背光模组样机中进行对比.对比结果显示,激光微加工的导光板相比于传统的丝网印刷技术具有更好的光学均匀性和更低的色差,均匀性提高了6.2%,而色差下降了0.002 7.激光微加工技术快而简单,且整个加工过程是完全环保的,具备高性能、自动化生产和易于薄型化的优点.     

一个新兴的近代光学分支——集成光学

集成光学是六十年代末期,在集成电子学和激光技术的基础上发展起来的一门新兴学科,是一门与光学、电子学和固体物理有关的交叉学科.集成光学主要是研究有关集成光路的理论、制造和应用.集成光路就是采用类似半导体集成电路那样的技术把一些光学元件(如激光器、光波导、耦合器、     

大功率半导体激光合束进展

经过近30年的发展,半导体激光器已由信息器件逐步发展成为能量器件,特别是大功率高光束质量半导体激光器,已从泵浦光源过渡成为直接作用光源,并部分应用在加工及国防领域。本文介绍了大功率半导体激光单元发展现状,分析讨论了各种激光合束技术及相应的合束光源,介绍了长春光机所在激光合束方面所做的部分工作,提出了我国半导体激光产业建设及发展的几点建议,并对半导体激光技术的发展新动向进行了展望。随着单元亮度的提升和合束技术的成熟,大功率半导体激光源作为间接光源和直接作用光源将在国防和工业领域大放异彩。     

超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

激光化学微加工技术

本文综述了激光化学微加工技术的原理及某些特性,并指出其可能的应用及发展前景.     

飞秒激光湿法刻蚀微纳制造

飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术,在复杂三维构型制作方面具有其独特的优势,但激光加工效率问题严重制约了飞秒激光微加工技术走向实际工程应用,提出一种飞秒激光湿法刻蚀微纳制造方法,以提高飞秒激光微加工的效率为突破口,通过调控激光与物质相互作用获得材料的目标靶向改性,进而结合化学湿法刻蚀实现硬质材料上的高效和高精度三维微加工,采用这一方法制作出的微透镜尺寸为80 μm,球冠高67 μm,表面粗糙度小于10 nm。利用这种方法,实现了不同结构与特性的高质量微透镜阵列的超精密制备,在石英内部也实现了螺旋微通道的复杂三维结构,螺旋通道直径为20 μm,长径比超过100。     

光-CVD技术的最新进展及其应用

采用光诱导激励化学反应气氛淀积成固态薄膜，是近些年来在国际上发展极为迅速的一种薄膜生长新技术．本文介绍了光－ＣＶＤ技术的基本原理及特性，以及用该技术淀积各种类型金属薄膜、半导体薄膜、绝缘性薄膜以及ш－ｖ族化合物半导体薄膜.介绍了光－ＣＶＤ技术在大规模集成电路、硅器件微加工过程中的重要应用，用光－ＣＶＤ技术在低到～２００℃温度下已成功地制备出～１００ｎｍ厚的薄层外延单晶硅膜．     

椭偏光仪和薄膜测量

一、薄膜技术的广泛应用对 厚度测量提出的新要求 薄膜技术在近代科学技术中应用很广.在光学部件和仪器中,薄膜的使用是很重要的;特别是在激光技术中,薄膜技术更发展成为制造光学谐振腔等的重要工艺.在电子器件、金属材料表面保护、摄影、彩色电视、化纤材料、标准计量、物化分析等许多方面,薄膜都得到愈来愈多的应用.在物理、化学、天文、生物学、医药学等学科中,薄膜技术也是一种有用的研究手段. 对于半导体器件和集成电路,当前主要的基础工艺是硅平面工艺,就是在硅片上生长和光刻氧化硅膜.大规模MOS集成电路中的“O”,就是栅极和半导体…     

晶片、微电子与技术升级

人类社会正处在世纪之交的转变年代．２０世纪是科学技术突飞猛进的１００年，原子能、半导体、激光和电子计算机成为２０世纪的四大发明创造．可以看出，后三大发明是紧密相关的．激光器可以有气体激光器、半导体激光器和其他固体激光器等．其中半导体激光器是用半导体材料制作的．而组装电子计算机的芯片也是半导体集成电路．所以，可以说激光和电子计算机都是以半导体材料作为基础的．计算机和激光技术都是信息技术的重要支撑技术．因此，半导体材料技术在信息技术，以至于整个高技术领域有着举足轻重的作用．可以说半导体技术是人类进入…     

微离子束技术及其在微细加工中的应用

二十多年前,著名的美国物理学家费曼说过:如果微细加工技术能加工线度8nm的图形,就可以把二十四卷《大英百科全书》刻在一个针尖上.今天,他的预言正在变成现实,微离子束的束斑直径已达到10nm. 由于计算机和空间技术的需要,微电子学迅速发展,集成电路的集成度越来越高,目前已制成512K的ROM.要求微细加工的线度在亚微米量级(图1). 早在 1954年,W,Shockley在提出离子掺杂工艺时就设想用微离子束掺杂来获得p-n结.六十年代,国内外在发展毫米束离子注入工艺时也曾试探过获得微米离子束,以便进行微细加工.1973年美国休斯实验室的R.L.Seliger等…     

几种集成电路硅片工艺检测技术简介

集成电路是多工序(每道工序的加工成本相当高)的产品.在生产过程中对硅片加工质量进行检测,及早剔除不合格的硅片有利于降低加工成本;而对检测所得结果进行统计分析,追查原因,研究对策则有利于提高企业的质量管理水平和工艺水平.随着集成电路向大规模、超大规模方向发展,大块半导体平均参数的粗略测试已不能满足需要,对硅片的无损、微区、快速、自动测试技术正在迅速发展.表1列出了现今集成电路工艺检测的主要项目及方法.曾有专著[1-3]介绍了多种半导体测试技术.本文就新发展的、应用较广的几种集成电路硅片工艺测试技术进行简单介绍. 一、…     

激光诱导等离子体技术(LIBS)在金薄膜加工微检测中的应用研究

薄膜材料微加工是微纳技术、微机电系统、光电子领域的核心技术。文章提出了针对薄膜加工时缺乏有效的质量控制手段,应用激光诱导等离子体(LIBS)技术进行过程表征的方法。研究了脉冲激光微加工过程中等离子体量与激发条件的关系。得出了在低频(＜20 Hz)和在确定能量水平条件下, 等离子体量相对稳定,不依赖于脉冲次数。在单脉冲条件下,激发等离子体量随着能量的升高而增加。根据等离子体量和元素类别可实现对微加工过程去除量进行实时表征。