阶跃电压法确定产生寿命和表面产生速度

在分析MOS电容对耗尽的阶跃电压瞬态响应的基础上,本文提出了一种同时确定产生寿命和表面产生速度的方法。用该方法对一些样品进行了测试分析,结果表明该方法是合理的。并且指出,在表面产生与体产生相比较实际上不能忽略时,忽略表面产生的方法将导致测得的产生寿命低于它的真实值。 关键词：     

MOS电容法测硅的产生寿命和表面产生速度

本文指出在表面产生速度可以看作常数的情况下,用线性电压扫描MOS电容测硅的产生寿命和表面产生速度。测线性扫描饱和电容随扫描速度的变化,可以较方便地求出产生寿命和表面产生速度。对一些MOS电容样品进行了测试。结果表明,测试方法在一定条件下是可行的。 关键词：     

微机电系统红外脉冲光源调制特性的研究

针对微机电系统热激发红外光源的动态特性,采用一种新的计算方法。即通过建立光源在不同初始温度下升温与加电时间、功率之间的关系,定量估算不同脉冲频率下辐射功率的调制深度。该方法可以计算调制深度大情况下的动态特性。就其中两个重要影响因素加电方式和发射率分别进行讨论,得到:饱和功率相同的前提下,采用恒压源供电方式相比恒流源供电和恒定功率供电响应时间更小,从而更有利于改善光源的动态调制特性;相同条件下,选择高发射率的光源材料也有利于缩短上升时间。结合计算结果,对一个微型铂金薄膜红外光源的频响特性进行了验证测试,测试结果与计算分析符合较好。     

几种集成电路硅片工艺检测技术简介

集成电路是多工序(每道工序的加工成本相当高)的产品.在生产过程中对硅片加工质量进行检测,及早剔除不合格的硅片有利于降低加工成本;而对检测所得结果进行统计分析,追查原因,研究对策则有利于提高企业的质量管理水平和工艺水平.随着集成电路向大规模、超大规模方向发展,大块半导体平均参数的粗略测试已不能满足需要,对硅片的无损、微区、快速、自动测试技术正在迅速发展.表1列出了现今集成电路工艺检测的主要项目及方法.曾有专著[1-3]介绍了多种半导体测试技术.本文就新发展的、应用较广的几种集成电路硅片工艺测试技术进行简单介绍. 一、…