小功率空气-氩气混合气冷却ICP中电子密度的测定

在与小功率全Ａｒ－ＩＣＰ类似的条件下,使用顺序扫描等离子体光谱,用Ｓｔａｒｋ加宽法,选择Ｈβ（４８６．１ｎｍ）谱线,测定了空气－氩气混合气冷却ＩＣＰ中在感应线圈上０、２、５、１０ｍｍ处电子密度的侧向分布并将其中部分侧向分布经Ａｂｅｌ变换为径向分布。     

ICP－AES初级专家系统中的谱线模拟

本文阐述了ＩＣＰ－ＡＥＳ初级专家系统中谱线模拟的理论基础，模拟了Ｃａ、Ｍｇ和Ａｌ在ＬＴＥ和ｎｏｎ－ＬＴＥ情况下的离子线与原子线，证明在ｎｏｎ－ＬＴＥ条件下，离子线与原子线的强度比增强了，比ＬＴＥ条件下的结果更接近实际扫描谱图。本研究模拟计算了Ｃａ和Ｍｇ离子线的跃迁上能级能量对离子线强度的影响。     

空气—氩气冷却ICP：有机溶液分析的工作条件及检出限研究

研究了冷却气含50%空气的ICP中,MIBK溶液里金属元素不同性质谱线的信背比与入射功率、观察高度、冷却气流量及冷却气中空气含量等工作条件的关系。测定了8种元素12条谱线的检出限并与氩有机ICP中相同谱线的检出限进行比较。另外还测定了在引入MIBK溶液的情况下,空气-氩气ICP中心通道的激发温度。结果表明,具有中等激发能的谱线在含50%空气的空气-氩气有机ICP中的检出限优于氩气有机ICP中的检出限。     

ICP—AES初级专家系统中的谱线模拟

本文阐述了ＩＣＰ－ＡＥＳ初级专家系统中谱线模拟的理论基础，模拟了Ｃａ，Ｍｇ和Ａｌ在ＬＴＥ和ｎｏｎ－ＬＴＥ情况下的离子线与原子线，证明在ｎｏｎ－ＬＴＥ的条件下，离子线与原子线的强度比增强了，比ＬＴＤ条件下的结果更接近实际扫描谱图，本研究模拟了Ｃａ和Ｍｇ离子线的跃迁上能级能量对离子线强度的影响。     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As、Se和Ge光谱信号影响的研究

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＮａＢＨ４溶液浓度对Ａｓ、Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ、Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

ICP-AES法测定KDP晶体及其培养液中的微量元素

用ＩＣＰ－ＡＥＳ法测定ＫＤＰ晶体及其培养液中微量的Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｂａ，并对ＫＤＰ基体对被测元素谱线强度的影响进行考察。以Ｓｃ作内标，方法简便，可获得满意的分析结果。     

因子分析法校正ICP-AES中光谱干扰及与其他方法的比较

本文将目标变换因子分析用于电感耦合等离子体原子发射光谱分析（ＩＣＰＡＥＳ）中光谱干扰的校正，对因子分析法校正谱线重叠和结构背景干扰作了较详细的讨论。     

ICP／AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的…

本文较系统地研究了ＩＣＰ／ＡＥＳ操作条件及酸介质。ＨａＢＨ４溶液溶度对Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ谱线强度以及信背比的影响，讨论了这些元素的最佳检测条件，考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响，观察到Ａｓ，Ｓｅ和Ｇｅ氢化物发生中Ｇｅ的光谱信号的一些特殊行为，及Ｃｕ对Ｇｅ的氢化物光谱信号的增强。     

用IRIS/AP-ICP-AES法同时测定废水中的Cd、Cr、Cu、Ni、Pb和Zn

本文采用ＩＲＩＳ／ＡＰ－ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定废水中的Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂ和Ｚｎ,选择了最佳的仪器工作条件,并选取了被测元素的最佳谱线,样品中的干扰因子通过谱线的背景校正方法予以消除,本法操作简便,结果准确,其相对标准偏差均小于２％,回收率在９８％－１０４％之间。     

激光蒸发进样ICP—AES测定地质样品中的钡和锶

本文讨论了用连续ＣＯ２激光器蒸发地质粉末样品，ＩＣＰ－ＡＥＳ测定Ｂａ和Ｓｒ。在样品中加入适量的粘合剂和石墨粉关压饼，用激光全部激发。在蒸发室出口处加入了一只多我孔过滤器，一定程度上改善了系统长时间工作的稳定性。对影响激光采样和ＩＣＰ－ＡＥＳ分析性能的参数进行了研究。实验结果表明，连续激光蒸发地质粉末样品、ＩＣＰ－ＡＥＳ测定Ｂａ，Ｓｒ，大部分分析结果满意。在选择的系统条件下，Ｂａ，Ｓｒ的检出限分别为     

火焰发射光谱测定微量钡的方法研究

本文在原子吸收光谱仪的发射方式上，选择钡５５３．５ｎｍ发射线，以空气乙炔火焰为发射光源，进行了火争发射法测钡的方法研究。全面讨论了测试条件和干扰试验，并与ＩＣＰ－ＡＥＳ、笑气乙炔ＡＡＳ，以及空气乙炔ＡＡＳ进行了比较，还讨论了乙醇的增感作用，并对出口材料中的可溶性钡进行了测定比较，得到满意结果。     

N^＋2和N^＋与Ar碰撞引起的激发和电荷转移激发

用发射光谱法研究了Ｎ＋２和Ｎ＋与Ａｒ碰撞产生的激发和电荷转移激发，获取了丰富的光谱信息。计算了各发射光谱线的发射截面，并研究了它们与入射离子能量的依赖关系。同种元素的分子离子和原子离子Ｎ＋２和Ｎ＋与Ａｒ碰撞引起的谱线发射截面的对比中发现了一些有趣的结果。     

ICP等离子体鞘层附近区域发光光谱特性分析

为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能最分布,采用光发射谱(OES)测量技术,对不同射频功率、放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究.原子谱线和离子谱线特性分析表明,在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度.改变放电气压和射频功率,对得到的光谱特性分析表明,鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大,在低压下随气压的升高而增大.低激发电位原子谱线强度增加迅速,高激发电位原子谱线强度增加缓慢,而离子谱线强度增加很不明显.改变基底直流偏压,对得到的发射光谱强度变化分析表明,谱线强度随基底正偏压的增加而增大.随着基底负偏压的加入,谱线强度先减小而后增大;直流偏压为-30 V时,光谱强度最弱.快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源.     

磁化水技术在电感耦合等离子体-原子发射光谱法中的应用

考察了被测元素谱线强度随磁感应强度的变化情况.在优化磁感应强度0.24T条件下,研究了搅拌条件下样品溶液磁化时间对谱线强度及信背比的影响.经过测量自来水样品中元素Zn、Fe、Mg(I、I)、Si、V谱线强度表明,在对水样品进行搅拌磁化时,所测元素的谱线强度及信背比均有所增大;当水样品被磁化处理3h,上述元素的谱线强度分别比未磁化时增加了42.2%、97.9%、10.4%、10.1%、81.2%和28.8%,而且元素Zn、Fe、Si和V的信背比也分别增加了13.8%、86.9%、64%和28.8%,有利于降低光谱分析检出限.     

ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素

本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应，选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ＩＣＰ操作条件，建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ法，用本法测定了三氧化钨标准样ＢＹＧ１２０１－２，３，４号样）结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。     

ICP-AES直接测定硅灰石中Al、Mg、Fe

以电荷耦合器件为检测器的ＩＣＰ－ＡＥＳ光谱仪直接测定硅灰石中Ａｌ、Ｍｇ、Ｆｅ。研究了等离子体轴向观测方式下在炬中心通道及偏离中心通道位置，硅灰石中Ｃａ对各元素谱线基体效应。通过选取合适的工作参数与对比来消除基体干扰，测定了合成样及实际硅灰石样中Ａｌ，Ｍｇ，Ｆｅ基体匹配法，结果满意。     

飞秒激光低压镍等离子体光谱的实验研究

分别对低于0.1 MPa的空气和氩气环境气体条件下的飞秒激光镍等离子体光谱进行了实验研究。结果表明,在两种环境气体中,激光镍等离子体光谱均表现为连续谱和原子线状谱的叠加。随着环境气压的降低,由于电子密度的下降,从而使得低压条件下的谱线比高压条件下的谱线具有更好的分辨特性。同时,谱线强度经历了由缓慢增强发展到迅速降低的演化过程。另外,还讨论了环境气体成分对谱线强度的影响。     

Windows环境下的ICP-AES信息系统

在本实验室开发的ＭＳ－ＤＯＳ下的ＩＣＰ－ＡＥＳ分析信息系统的基础上,进一步发展了Ｗｉｎｄｏｗｓ下图形用户界面的ＩＣＰ－ＡＥＳ信息系统。该系统不仅包括了２８０００余条谱线的信息,还可作ＩＣＰ发射光谱模拟,因而对谱线选择有很大帮助。该系统还有可进行光谱峰位优化的卡尔曼滤波和因子分析的应用程序,并包括了大量的实际光谱扫描实例可供使用中参考,使该系统具有更强的实用性     

发射光谱研究氩气/空气混合气体介质阻挡放电能量传递过程

使用水电极介质阻挡放电装置,对比氩气与氩气/少量空气的混合气体以及空气与空气/少量氩气的混合气体放电的发射光谱,研究了氩气与空气相混合时气体放电中的能量传递过程。实验发现, 当氩气中加入少量的空气时,氩原子谱线均变弱,说明空气中的氮分子对氩原子的各激发态具有猝灭作用。并且随着空气含量的增加,各谱线变弱的速率不同。越是与氮分子的激发电位接近的氩原子的激发态被猝灭的作用越明显。另一方面,当空气中加入少量氩气时,发现氮分子第二正带系和氮分子离子第一负带系的谱线均被增强。说明在空气/少量氩气放电中,氮分子的激发由于亚稳态氩原子的潘宁激发传能而增强。因此在氩气/空气混合气体放电中,气体成分及比例影响放电的发光特性和能量传输特性。     

激光微区发射光谱谱线品质的研究

利用单脉冲YAG激光、YGJ Ⅱ激光微区分析仪结合光电检测系统 ,在减压氩气环境下实验研究了金属分析样品发射光谱中CuⅠ 32 4 7nm和CuⅠ 32 7 4nm的时间特性、谱线强度及空间分布 ,并与空气环境下的实验结果进行了比较。实验结果表明在减压氩气环境下 ,激光微区发射光谱与环境气体、环境气压和辅助激发参数密切相关。当辅助电极端面直径为 1 5mm、辅助电极距分析样品表面高度为 4mm、辅助电极间距为3mm、辅助激发电压为 1 30 0V、氩气压力 33 2kPa时 ,CuⅠ 32 4 7nm和CuⅠ 32 7 4nm谱线的发射时间比空气下延长了 50 0 μs,谱线强度约为相同气压空气环境下的 4倍 ,约为 1个大气压空气环境下谱线强度的 2倍 ,谱线的半最大值宽度明显变窄。因此氩气环境延长了谱线的发射时间 ,减少了自吸效应 ,使谱线强度明显增强 ,谱线品质得到显著改善。