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为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%~100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带. 相似文献
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Cu是制备双轴织构YBCO高温超导涂层的优良基带材料之一,立方织构的铜带可以提供良好的外延生长环境。文中采用轧制辅助双轴织构基带技术(RABiTS),研究了立方织构铜基带的制备工艺。将铜锭在初轧变形量达到88.4%后,进行400℃退火30min,再经二次轧制总变形量达到99.07%后,在氩气环境125—850℃之间不同温度下退火30min。用March-Dollase函数计算该系列样品的r值,其中850℃退火的样品具有最强的200择优取向,r值为0.25,用不完整极图对该样品的织构情况做进一步分析,用ODF函数定量计算了该样品立方织构的体积百分含量。该样品形成了较强的{001}<100>立方织构,体积百分含量为70.8%。 相似文献
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我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2. 相似文献
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我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77K,0T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc (77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2. 相似文献
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涂层超导是目前国际超导界的研究热点和重点,所采用的韧性金属基带多为Ni和NiW合金.本文采用粉末冶金方法制备了Ni-3 at.%W和Ni-5 at.%W合金.利用轧制辅助双轴织构基带(咖TS)技术制备了Ni-W合金基带,系统研究了Ni-W合金形变和再结晶织构转变规律.研究表明:通过大变形量的冷轧和高温再结晶退火,可以得到强立方织构的Ni-W合金基带. 相似文献
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本文报道了一种制备高取向 Bi 系块材的新方法一分解-结晶法,并系统地研究了分解温度、冷却速度及后处理条件等工艺参数对织构及超导电性的影响.实验结果表明,该方法能得到极好的织构样品,高温退火不破坏这种生长织构.冷却速度对织构及超导电性有一定的影响,低氧气氛下退火有利于改善样品的超导性能. 相似文献
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我们研究了T1-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有Ce02/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,T1-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明。T1-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的T1-2212薄膜的Tc达到102.8K,J,(77K,0T)达到2.6MA/cm^2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm^2. 相似文献
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分析了中学物理实验教学现状,指出大学与中学物理实验教学衔接存在的问题,根据现代教育理论,提出了大学一年级物理实验教学的对策。 相似文献
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从理论上推导了在液面下的小球何时达到收尾速度公式,并给出一组实验数据,得出小球从液面自由下落时很快能达到收尾速度的结论。 相似文献
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用基质晶片作参比,测量了Cu+、Er3+等离子激活的钨酸锌晶体的光谱,并进行了分析讨论,发现激活离子与基质晶格之间存在能量传递过程.晶体在可见光区有比较强的荧光. 相似文献
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晶柱粘连对CsI:Na转换屏分辨特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用MonteCarlo方法研究了CsI:Na转换屏中晶柱之间的粘连对其空间分辨特性的影响,给出了不同粘连程度下可见光在转换屏中的点扩展函数及相应的MTF曲线.通过几种不同粘连系数下模拟结果的比较可见,要获得一个高分辨的转换屏应尽可能减小晶柱之间的粘连.对于一个实际的转换屏其粘连系数至少应在40%以下,最好控制在20%以内. 相似文献
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本文通过对量热器中水的传热过程的理论分析和实验比较,证明应该用牛顿冷却定律修正量热器中水的终温。 相似文献
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