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1.
Diode-end-pumped continuous-wave(CW) Tm:YAP and Tm:YLF slab lasers are demonstrated. The a-cut Tm:YAP and Tm:YLF slabs with doping concentrations of 4 at.-% and 3.5 at.-%,respectively,are pumped by fast-axis collimated laser diodes at room temperature. The maximum CW output powers of 72 and 50.2 W are obtained from Tm:YAP and Tm:YLF,respectively,while the pump power is 220 W,corresponding to the slope efficiencies of 37.9% and 26.6%,respectively.  相似文献   
2.
本论文给出了一个计算绝缘晶体的热导率的简单计算公式,该公式的准确性已经在大多数的绝缘晶体材料热导率计算结果上得到证明,该计算公式与Slack和Berman提出的公式在本质上是一样的。然而,在Slack和Berman提出的公式中的一些参数,例如德拜温度等,很难直接得到。本文中我们不仅进一步简化了计算热导率的计算公式,公式中涉及的参数都可以利用一些简单的方法得到,同时又具有很高的准确性。本文的工作进一步证明了Peierls的导热理论。  相似文献   
3.
本文运用原子力显微镜检测传统机械抛光和化学机械抛光以及退火前后的钛酸锶(STO)衬底表面,研究了化学机械抛光和退火对钛酸锶(STO)基片表面形貌的影响,结果表明化学抛光可以使表面粗糙度达到0.214 nm,明显优于机械抛光.对比测量退火前后钛酸锶(STO)基片的双晶摇摆曲线,表明退火可以明显改善晶体质量,有利于实现超光滑STO基片的加工.  相似文献   
4.
Demonstrations of cw lasing in Cr^2+:ZnSe poly-crystal are reported. The laser consists of a 1.7-mm-thick Cr^2+ :ZnSe poly-crystal disc pumped by a Tin-silica double-clad fibre laser at 2050nm. Using a concave high- reflection mirror with a radius of curvature of 500mm as the rear mirror, the laser delivers up to 1030mW of radiation around 2.367μm.  相似文献   
5.
退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、a-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果。在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强。  相似文献   
6.
应用中频感应提拉法成功生长出新型的Co2 ,Er3 :Y3A l5O12晶体。研究了室温下晶体的吸收光谱性能。结合Er3 :Y3A l5O12晶体的光谱,并利用调Q判据对Co2 ,Er3 :Y3A l5O12晶体调Q特性进行了简单的分析。结果表明Co2 ,Er3 :YAG晶体是一种很有潜力的自调Q激光晶体。  相似文献   
7.
用分光光度计研究发现水热法白宝石晶体和籽晶界面使晶体透过率降低,用大视场偏光显微镜和原子力显微镜分析了该界面的包裹物分布以及界面的显微结构。结果表明平行于(1123)面的籽晶和生长层晶体界面包裹物含量少。界面的缺陷主要来自于晶格畸变及生长初期的温场不稳定所引起的结构缺陷,这也是引起晶体透过率下降的主要因素。  相似文献   
8.
本文研究了不同掺Ti^3+浓度对温梯法生长的Ti:Al2O3晶体吸收光谱、荧光光谱和X射线衍射光谱的影响。根据吸收光谱提出了一个色心模型。对比了样品各处420nm荧光谱,发现掺Ti^3+浓度越大,该处荧光强度越弱,同时解释了420肿处荧光峰的起源。对比了样品各处720nm处的荧光谱,发现掺Ti^3+浓度越大,该处荧光强度越强。X射线衍射谱(XRD)表明,衍射峰强度随掺Ti^3+浓度的增大而逐渐增强。  相似文献   
9.
用脉冲激光淀积法(PLD)在(111)面SrTiO3衬底上外延生长ZnO单晶薄膜。样品分别在衬底温度为350℃、500℃、600℃下外延生长。X射线衍射(XRD)的结果表明,所得的ZnO单晶薄膜结晶性能好,只出现(002)和(004)两个衍射峰,(002)峰的半高宽度(FWHM)为0.23°。在荧光光谱中我们只观察到来源于带边激子跃迁的强UV发射,并且随着生长温度的升高,紫外峰的强度逐渐增强。样品的SEM图像表明所得ZnO薄膜表面平整,晶粒均匀。衬底温度为600℃时,所得到的ZnO薄膜结构完整,晶粒尺寸最大,均匀;而且紫外发射最强。  相似文献   
10.
水热法ZnO晶体特征研究   总被引:9,自引:4,他引:5  
ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法。本文对水热法生长的面积约150mm^2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能。X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好。对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量。494nm附近的发光带可能与氧空位有关。520nm的发光可能与Na或者Si所形成的杂质能级跃迁有关。  相似文献   
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