Y-Ba-Cu(Cr)氧化物超导体

我们在Y-Ba-Cu-O系中得到零电阻温度Tcf为94.1K,中点转变温度Tc为95K,起始转变温度Tci为100K,转变宽度△Tc为1K的超导体。低温X光衍射结构分析结果表明,多相超导体在低温区(123—173K)有相变。因此,我们认为Y-Ba-Cu-O系中多相超导体的高Tet是低温相变引起的,并不完全是超导转变点。在该系氧化物中以Cr取代1/3的Cu,仍然得到Tcf=82.8K、Tc=83.5K、Tci=92K、△Tc=1K的超导体。     

非晶Pd_(0.775)Si_(0.165)Ag_(0.06)合金的低温电子比热

用非绝热量热法测量了非晶Pd_(0.775) Sl_(0.165),Ag_(0.06)合金在4.2—77K的比热。此合金在低温下的电子比热为4TmJ/mole.K,德拜温度θ_D为221.1K。从低温电子比热研究合金的Fermi面态密度,讨论了态密度降低的原因。     

重电子金属CeCu(6-x)Nix低温电阻与比热的研究

测量了重电子金属CeCu6-xNix(x=0,005,01,015,02)01K—250K的低温电阻和5K—70K低温比热,发现样品电阻的极大值温度随着掺Ni含量的增大而急剧下降,这一现象反映少数与Ni邻近的Ce离子在极低温下磁矩的加强和整个Ce离子点阵对导电电子相干散射的减弱.与此相反,低温电子比热系数γ在较低温度下近于常数,而在8K附近因有效质量变大而明显上升,但γ明显上升的温度,对Ni的含量却不敏感,表明绝大部分Ce离子的状况并未受到影响 关键词： 重费米子系统 低温比热 低温电阻     

关于二硼化镁超导体比热的一点探索

在双带密度泛函理论的基础上,研究了双能隙超导体MgB2的超导态的比热跃变ΔC(T)与能隙的关系,指出了比热跃变的主要原因,并在转变温度Tc时将ΔC(T)/Tc的理论计算值与实验值作了对比,结果符合得很好。     

YBa_2Cu_3O(7-δ)在超导转变点处的比热反常

用连续量热法,在80—120K 对超导体 YBa_2Cu_3O_(7-δ)的比热进行了测量.结果表明在超导转变点 T_(mid)=92.4K 时,比热跳跃△Cp=7.1J/mol·K,由此计算出的△Cp/γT_c=2.05,比由 BCS 弱耦合理论推导出的1.43要大的多.说明高 T_c 氧化物 YBa_2Cu_3O_(7-δ)是具有强耦合相互作用行为,并由德拜公式拟合晶格比热计算出(?)_D=424.7K.     

常压和高压合成MgB2的低温比热及两个超导能隙研究

测量了常压和高压合成MgB2超导样品6K—80K的比热,并在数据拟合中考虑了爱因斯坦振动模的贡献,得到其电子比热数据.解释了超声测量得到的德拜温度和低温比热拟合结果之间的巨大差异.并且在12K附近观察到了异常的电子比热,此异常来源于MgB2的第二个能隙.此外,对高压和常压合成对样品的影响做了初步分析. 关键词： 低温比热 MgB2 能隙     

关于La_2CuO_(4-y)反铁磁性的研究

本文测量了三个不同制备条件的 La_2CuO_(4-y)样品以及原材料 CuO 样品在液氮温度以上的比热,实验发现四个样品在200K 附近都有明显的比热反常峰,分析表明 La_2CuO_(4-y)的比热反常并非 CuO 杂质相引起,而是样品发生反铁磁有序相变所致.在 Nèel 温度 T_N 附近,磁比热按 C_M∝1n|T-T_N|规律变化,与二维伊辛模型基本吻合,很小的熵变则表明大的零点量子自旋涨落的存在.其磁化率变化服从居里-外斯定律,并计算出 Cu^(2+)的有效磁矩为～0.6μ_B.低温下电阻按 InR∝(T_c/T)^(1/3)规律变化,表现为二维空穴导电机制.     

有机导体(TMTSF)_2PF_6的超导性

法国巴黎sud大学固体物理实验室的D.Jerome,A.Mazaud,M.Ribault和丹麦哥本哈根奥斯特研究所的 K.Bechgaard 在 1980年2月 15日的J.Phy-sique　 Letter上报道:他们发现有机导体“二-(四甲基四硒富瓦烯)-六氟磷化物” [di-(tetramethyltetraselena-fulvalene)-hexafluorophosphate,简写为(TMTSF)2PF6]存在超导性,12千巴静压力下超导转变温度Tc为0.9K.这是第一次发现在有机固体中存在超导(见图1). 早在1964年,美国斯坦福大学的W.A.Little就提出了有机超导体的设想; 973年有机导体“四硫富瓦烯(TTF)-四腈对苯醒二甲烷(TCNQ)”在58K…     

电子超导体：对理论的挑战,超导竞争的新领域

正当Tc为年40K,90K的超导体的发现所引起的超导研究正在深入进行的时候,日本宣布发现的20K新类型超导体又引起了研究者的极大兴趣.过去三年所发现的钙钛矿型高Tc超导体的载流子是价带中的空穴或空位.相反,日本人所发现的新超导体的载流子是电子.这个发现为建立钙钛矿型超导体的正确理论模型提供了新的线索,也可能引导研究者发现高于125K的新型超导体. 在化学上,新村料与 G.Bednorz 和A.Muller1986年发现的超导体是类似的.Bednorz-Muller超导体La_(2-x)((Ba,Sr)_xCuO_(4-y),是在La2CuO.中用二价钡或锶部分代替三价镧得到的.在电子超…     

近藤(Kondo)效应介绍

在稀磁合金中,由于杂质与传导电子的交换作用,使这类系统的低温电子特性表现出一系列的反常.最早观测到的是在电阻随温度变化的曲线上出现极小;其次是磁化率偏离居里定律,有效磁矩随温度降低连续减小,以及比热和热功率在低温下出现宽峰等一系列反常现象.日本物理学家近藤(J.Kondo)首先对电阻极小现象作出了正确的理论解释,并提出了深入研究的基本问题,大大活跃了这一研究领域,从此人们将稀磁合金中低温反常现象的研究通称为Kondo效应. 一、电阻极小现象 早在1930年Meissner和Voight[1]就观测到金(Au)的电阻温度曲线在10K附近出现了一个浅…     

准一维有机超导体(TMTSF)_2ClO_4的高精度温差电动势研究

测量了准一维有机超导体 (TMTSF) 2 ClO4 单晶a方向不同降温速率下的高精度温差电动势 (6— 2 80K) .高温下的温差电动势表现出线性行为 ,不能被正常的一维电子能带理论所解释 .在 2 4 0K左右观察到温差电动势斜率发生反常突变 .在 14 0K左右温差电动势向下逐渐偏离线性行为 ,这与 1D— 2D的维度渡越相关 .对阴离子有序—无序相变温度Ta(Ta=2 4K)附近的温差电动势结果与比热和电阻率的数据进行了比较 .对于极慢速降温的温差电动势 ,求导后可以看到相变的痕迹 .随着通过Ta 降温速率的增大 ,在Ta 之下的温差电动势数值出现了一个逐渐增大的整体抬高 .对此进行了讨论 .     

Mn掺杂对La_(0.925)Pr_(0.925)Sr_(0.15)CuO_4磁性和超导电性的影响

La0.925Pr0.925Sr0.15Cu1-xMnxO4+y(LPSCMO)多晶样品采用传统的固相反应法制备.X射线衍射表明:LP-SCMO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构.磁化率测量显示:Mn掺杂在x≤0.05范围内具有超导转变;Tc随x的增大逐渐减小.对x≥0.10的样品,在低温区(大约10K)存在反铁磁转变,并且转变温度变化不大.对于x≥0.15的样品,在220K附近存在类似巨磁阻材料的铁磁性转变,并对其产生的机理进行了分析.     

118K零电阻(Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-(O,F)超导体的研制

本文对自行制备的名义成分为 Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2 Ca_2Cu_3O_(y-x)F_x(x=0—1.2)的超导体进行了研究.摸索出了一套较稳定的掺 F 样品的制备工艺,探讨了氟对体系烧结工艺及超导电性的影响,讨论了氟对稳定和加速体系高温相生长的动力学过程所做的贡献.X-射线衍射结果表明,在(Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-(O,F)超导体中只存在110K 高温相和85K 低温相,二者均属正交相,其晶胞参数分别为 a=5.398(?),b=5.376(?),C=30.742(?)(85K 相)和 a=5.400(?),b=5.407(?),C=37.088(?)(110K 相),不存在氟化物等其他杂相.     

氧化物超导体YBa_2Cu_3O_(9-x)的交流磁化率研究

我们研究了不同烧结次数的单相氧化物超导体 YBa_2Cu_3O_(9-x)(x 2)超导体的AC磁化率随温度的变化.发现在低于Tc后磁化率曲线大致可分为随温度线性变化(占10K 温度范围)的陡降区和平缓的尾巴区。并对此提出了定性的解释。     

超导临界温度测量

1911年翁纳斯(Onnes)在测量低温下汞的电阻时,发现在4.2K附近电阻突然消失,突变前后,电阻值变化超过10~4倍。这种在低温下电阻突然消失的现象称为超导电性。具有超导电性的材料称为超导体。     

关于YBa_2Cu_3O_(7-δ)在200K附近的比热反常

本文采用扫描法对四个具有同一配方而烧结次数不同的样品作了液氮温度以上的比热测量,发现在200K 附近存在比热反常现象,并且随着烧结次数的增多其比热变化反而减弱,与T_c 处的反常呈相反趋势.对原材料 CuO 的比热测量结果表明这一反常不是 YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品中 CuO 杂质相所产生.     

高压下A15结构Nb_3Si合成条件的估计

目前,在新的超导材料的研究中,A15结构(A_3B型)化合物引起了广泛的兴趣,尤其是Nb族的A15结构超导材料都有很高的超导转变温度Tc,例如Nb_3Sn(18.3K),Nb_3(Al_(0.75) Ge_(0.25))(21.3K),而Nb_3Ge达到23K。 经验表明,在A15结构的超导体中,对同一的A原子,Tc一般随B原子质量下降而增加。例如:     

ZrV_2H_(5.05)的定域振动

我们在原子能研究所的铍过滤探测器谱仪上用热中子非弹性散射的方法分别测量了室温(20℃)和低温(97K)下的金属氢化合物超导体ZrV_2H_(5.05)的定域模,ZrV_2H_(5.05)的超导电性是被氢的高浓度所抑制的。     

零电阻温度96.3K的Y_(0.4)Ba_(0.6)CuO_(3-δ)超导体及其不稳定性

已获得零电阻温度为96.3K,中点转变温度为97.6K的Y_(0.4)Ba_(0.6)CuO_(3-δ)超导体,并发现这个超导体经过数次冷热循环和表面结霜以后,超导电性逐渐退化的现象。     

单晶NdMnO3的比热研究

研究了低温下NdMnO3单晶的比热随温度和磁场的变化(2K≤T≤200K,0T≤H≤8T).对应于Mn磁矩亚晶格的A型反铁磁(A-AF)相变,零场下的比热曲线在85K附近出现尖锐的λ形峰,随着磁场的增加,此λ峰降低展宽而且平滑变化,这与此温度附近磁化强度的变化规律一致.与磁有序相变相关的熵变约为理论值的26%,这可能是由于磁有序涨落延续在较大温区造成的.在20K以下,比热曲线出现了明显的肩膀形状的Schottky反常,其峰值随着磁场的增加而逐渐向高温移动.考虑了低温下比热的各种贡献,根据Nd3+位有效分子场(Hmf)引起的Nd3+基态双重态(GSD)劈裂对上述现象进行了解释.通过对2K≤T≤20K,0T≤H≤8T范围内比热数据的拟合,得到了样品的GSD劈裂,德拜温度和A-AF自旋波劲度系数以及它们对磁场的依赖关系.发现GdFeO3型八面体旋转引起的A-AF结构中Mn磁矩亚晶格的铁磁成分可能是Hmf的来源.