用于0.35 μm接触孔图形相移掩模研究

基于霍普金斯（Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论,通过计算０．３５μｍ方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模的硅片表面空间像的光强分布,找出了适合于各种相移掩模的最佳参数。其中衰减相移掩模对提高光刻分辨率和增加焦深最为明显,尤其在相干因子（σ）较小时更是如此。     

提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅰ）

介绍了目前用于提高亚半微米投影光刻机成像分辨力、增大焦深的新技术及主要研究方向．对大数值孔径和短波长技术、倾斜（离轴）照明技术、相移掩模技术、光瞳滤波技术、多焦面曝光技术以及表面成像技术的原理和现状作了较为详细的阐述，通过与现有技术及条件比较，提出了研制亚半微米光刻机应采用的技术途径．     

Effects of Atomic Centre-of-mass Motion in T-C Model

ＥｆｅｃｔｓｏｆＡｔｏｍｉｃＣｅｎｔｒｅｏｆｍａｓＭｏｔｉｏｎｉｎＴＣＭｏｄｅｌＸ．Ｘ．Ｙｉ１，３）Ｔ．Ｊｉｎｇ２）Ｊ．Ｃ．Ｓｕ３）（１）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｈｅｏｒｅｔｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＮｏｒｔｈｅａｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉ...     

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１ＴｈｅｏｒｙｏｆＢｏｓｅ－Ｅｉｎｓｔｅｉｎｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎｉｎｔｒａｐｐｅｄｇａｓｅｓ（ＦｒａｎｃｏＤａｌｆｏｖｏ,ＳｔｅｆａｎｏＧｉｏｒｇｉｎｉ,ＬｅｖＰ．Ｐｉｔａｅｖｓｋｉｉｅｔａｌ．Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．,１９９９,７１：４６３—５１２）２Ｔｏｐ－ｑｕａｒｋｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ（Ｇ．Ｃｖｅｔｉｃ．Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．,１９９９,７１：５１３—５７４）３ＰｒｅｃｉｓｉｏｎｔｅｓｔｓｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｗｅａｋｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎａｔｔｈｅＺｐｏｌｅ（Ｍ．Ｍａｒｔ…     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

衰减相移掩模及其编码制作方法研究

在霍普金斯理论的基础上,对方孔的传统掩模、衰减相移以及加入光学邻近效应校正的衰减相移掩模在硅片表面光强分布的计算表明,衰减相掩模有提高光刻分辨率的显著功能,提出一种制作衰减相移掩模的编码方法。理论计算表明,该编码方法能够达到预定的衰减参数。     

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１Ｇａｍｍａｒａｙａｓｔｒｏｎｏｍｙａｔｈｉｇｈｅｎｅｒｇｉｅｓ（Ｃ．Ｍ．Ｈｏｆｆｍａｎ,Ｃ．Ｓｉｎｎｉｓ,Ｐ．Ｆｌｅｕｒｙｅｔａｌ．Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．,１９９９,７１：８９７—９３６）２ＳｅａｒｃｈｅｓｆｏｒｓｕｐｅｒｓｙｍｍｅｔｒｉｃｐａｒｔｉｃｌｅｓａｔｔｈｅＴｅｖａｔｒｏｎｃｏｌｌｉｄｅｒ（Ｍ．Ｃａｒｅｎａ,Ｒ．Ｃｕｌｂｅｒｔｓｏｎ,Ｈ．Ｆｒｉｓｃｈｅｔａｌ．Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．,１９９９,７１：９３７—９８１）３Ｂｒａｎｅｄｙｎａｍｉｃｓａｎｄｇａｕｇｅｔｈｅｏｒｙ（Ａ…     

用类金刚石碳掩膜制备LaAlO3台阶衬底

我们用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）方法在ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）衬底上生长了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜，并以此作为掩模，制备了台阶衬底．ＳＥＭ分析表明，制备的台阶衬底具有陡直的台阶角度（大于７００）．我们用这样的台阶衬底制成了ＹＢＣＯ台阶结并测量了结的基本特性，结果表明，结有较好的高频特性．     

Phase-Mixture Algorithm Applied to Design of Pure Phase Elements

Ｐｈａｓｅ－ＭｉｘｔｕｒｅＡｌｇｏｒｉｔｈｍＡｐｐｌｉｅｄｔｏＤｅｓｉｇｎｏｆＰｕｒｅＰｈａｓｅＥｌｅｍｅｎｔｓＤＥＮＧＸｕｅｇｏｎｇ￣１；ＬＩＹｏｎｇｐｉｎｇ（Ｙ．Ｐ．ＬＩ）￣（１，２）（￣１ＰｈｙｓｉｃｓＤｅｐａｒｔｍｅｎｔ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

Realizing 20 Gbits OTDM Transmission over 50km Truewave Fiber with Dispersion Compensation

Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｔｈｅｒｅａｒｅｔｗｏｍｅｔｈｏｄｓｔｏｅｎｈａｎｃｅｔｈｅｃａｐａｃｉｔｙｏｆｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｓｙｓｔｅｍ：ｏｐｔｉｃａｌｔｉｍｅｄｉｖｉｓｉｏｎｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ（ＯＴＤＭ）ａｎｄｏｐｔｉｃａｌｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｄｉｖｉｓｉｏｎｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ（ＷＤＭ）．ＯＴＤＭｉｓｂｅｉｎｇｗｉｄｅｌｙｒｅｓｅａｒｃｈｅｄｂｅｃａｕｓｅｏｆｓｏｍｅｖｉｒｔｕｅｓｉｎｏｐｔｉｃａｌｎｅｔｗｏｒｋｓ［１～４］．ＯＴＤＭｗｉｔｈｔｈｅｓｉｎｇｌｅｃｈａｎ…     

磁电子学的兴起

磁电子学的兴起１９９５年是每年举行的磁学和磁性材料会议（简称ＭＭＭ会议或３Ｍ会议）创办４０周年（１９５５—１９９５）．这一会议一直是由美国物理学会（ＡＩＰ）和电与电子工程师学会（ＩＥＥＥ）主办的．为了纪念这一具有历史意义的学术活动，《ＰｈｙｓｉｃｓＴ...     

含ZnS∶Mn~(2+)纳米晶玻璃中Mn~(2+)三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋ 不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量， 发现Ｍｎ 离子可能占据替位（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ 和间隙（Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ两种格位． 进一步的电子顺磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍ ａｇｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ， ＥＰＲ）实验证实了这一判断， 并从ＥＰＲ谱确认（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ， （Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ和Ｍｎ 团三种格位态的存在． 观测到ｇ 因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增大． 这可能是由于量子限域效应下ＺｎＳ的ｓｐ３ 和Ｍｎ 的３ｄ５ 电子态杂化和表面态所引起的．     

1994年诺贝尔物理学奖

１９９４年诺贝尔物理学奖今年的诺贝尔物理学奖获得者为ＣｌｉｆｆｏｒｄＧ．Ｓｈｕｌｌ（７８岁，美国麻省理工学院教授）和ＢｅｒｔｒａｍＮ．Ｂｒｏｃｈｋｏｕｓｅ［７６岁，加拿大麦克麦斯特（ＭｃＭａｓｔｅｒ）大学教授］．前者曾于４０年代初完成了中子衍射实验．...     

半导体超晶格的多声子拉曼散射研究

半导体超晶格的多声子拉曼散射研究／张树霖，杨昌黎，侯勇田（北京大学物理系北京１００８７１）彭中灵，李杰，袁诗鑫（中科院上海技物所上海２０００８３）Ｒ．Ｐｌａｎｅｌ（ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬａｂｏｒａｔｏｒ...     

金M带谱时空特性测量

给出了金Ｍ带发射的空间尺度和时间尺度。用晶体配软Ｘ光条纹相机测得三倍频激光与金平面靶相互作用金Ｍ带发射的时间尺度：ＥＬ＝４６Ｊ，τ＝５７１ｐｓ时，金Ｍ带发射持续时间（ＦＷＨＭ）～８５０ｐｓ。用狭缝配晶体谱仪测得金Ｍ带发射的空间尺度：λ＝１．０６μｍ，ＥＬ＝１０６Ｊ，τ＝５５０ｐｓ时，金Ｍ带发射的空间尺度（ＦＷＨＭ）为５７μｍ；λ＝０．３５μｍ，ＥＬ＝２５～３８Ｊ，τ＝４８０～５７０ｐｓ时，金Ｍ带发射的空间尺度（ＦＷＨＭ）为２７～３９μｍ。     

6─或8─脂代─7─氧香豆素与二氢呋喃香豆素的NMR，MS研究

对从重齿毛当归（ＡｎｇｅｌｉｃａｐｕｂｅｓｃｅｎｓＭａｘｉｍｆ．ｂｉｓｅｒｒａｔａＳｈａｎｅｔＹｕａｎ）根及根茎中分得的１２种６－或８－脂代－７－氧－香豆素和８种二氢呋喃香豆素衍生物进行了１Ｈ和１３ＣＮＭＲ分析研究．结合文献．做出规律性总结．运用２ＤＮＭＲ技术．对文献中当归醇类化合物碳谱中的个别错误归属给予了纠正，并首次探讨了此类化合物的ＭＳ裂解途径．     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导膜的Raman标定

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导膜的Ｒａｍａｎ标定张鹏翔１，２，Ｈ．－Ｕ．ＨＡＢＥＲＭＥＩＥＲ２，Ｍ．Ｃａｒｄｏｎａ２（１云南工业大学材料科学与工程系昆明云南６５００５１中国）（２Ｍａｘ－Ｐｌａｕｄ－ＩｎｓｔｉｔｕｔｆüｒＦｅｓｔｋｏｒｐｅｒｆｏｒｓｃ...     

Laser Diode Pumped Unidirectional Ring Laser Resonator with AOM Q-switch

ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅＰｕｍｐｅｄＵｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌＲｉｎｇＬａｓｅｒＲｅｓｏｎａｔｏｒｗｉｔｈＡＯＭＱ┐ｓｗｉｔｃｈＪ．Ｃｈｅｎ１）Ａ．Ｄｅｈｎ２）Ｈ．Ｊ．Ｅｉｃｈｌｅｒ２）Ａ．Ｈａａｓｅ２）Ｏ．Ｍｅｈｌ２）（１）ＮａｔｉｏｎａｌＫｅｙＬ...     

M.德布罗意对科学的贡献

Ｍ．德布罗意对科学的贡献王较过（陕西师范大学物理系，西安７１００６２）Ｍ．德布罗意（ＭａｕｒｉｃｅｄｅＢｒｏｇｌｉｅ），是法国著名的Ｘ射线物理学家，在实验物理学领域作出了显著的贡献．Ｌ．德布罗意（ＬｏｕｉｓＶｉｃｔｏｒｄｅＢｒｏｇｌｉｅ）就是在他...     

分辨力增强技术的频谱分析

离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口,实现65~32 nm分辨成像。从频谱的角度分析了离轴照明和衰减型相移掩模对成像系统交叉传递函数和像场空间频率分布的影响,研究这两种技术的物理光学本质,由此进一步优化光学成像系统设计、分辨力增强技术和确定设备使用的参量。对分辨力增强技术的频谱分析研究表明,分辨力增强技术通过调整像场频谱分布,改善了光学光刻的图形质量。对于65 nm密集图形,离轴照明和相移掩模结合后可以使成像衬比度最高达到0.948,工艺窗口在5%曝光范围内焦深达到0.51μm。