178Hf同质异能态的γ自由度

采用三轴投影壳模型(TPSM)对¹⁷⁸Hf已发现的6条转动带进行了计算. 在γ=22°时, 很好再现了γ带. 在相同γ形变下预言了^178m2Hf(16⁺)态的γ态(I^π=14⁺)的存在, 其带头位置在^178m2Hf(16⁺)态之上大约900keV处. 该14⁺态与16⁺同质异能态具有相同的内禀组态, 因此, 应较容易从16⁺态激发上去. 我们希望, 该14⁺态有可能比^178m2Hf(16⁺)态有更多的机会跃迁到基带, 从而实现^178m2Hf(16⁺)的退激.     

高能α粒子轰击Yb箔制备~(178)Hf~(m2)核素的初步研究

在CS30回旋加速器上利用27MeV的α粒子束轰击天然金属Yb箔.对辐照样品进行了分析,确定产生的178Hfm2核素约1.5×1011个,辨识出样品中主要的长寿命核素,并推断产生这些核素可能的核反应通道.基于对样品放射性剂量率跟踪监测结果,初步确定了样品的冷却时间.这些研究结果一方面验证了所选择的制备途径是可行的,另一方面也为进一步开展该核素制备技术研究提供了参考依据.     

快速烧结合成Zr1-xMxW2O8(M=Hf,Sn,Y)固溶体的Raman光谱研究

首次采用快速烧结合成技术制备了Zr1-xMxW2O8 (M=Hf,Sn,Y)系列固溶体.制备的合适条件为:温度1523～1553 K,时间30 min～1 h,同传统固相反应烧结相比,该方法合成时间和能耗显著降低.XRD和Raman光谱分析表明,Zr1-xMxW2O8 (M=Hf,Sn,Y)固溶体具有α-ZrW2O8的...     

Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σabs=5.34×10-20cm2.测得样品的荧光光谱,计算出主峰1030nm受激发射截面σem=3.1×10-20cm2,并估算其荧光寿命为0.56ms,与实测值0.60ms吻合.计算出激发态最小粒子数(β)、饱和抽运强度(Isat)和最小抽运强度(Imin),通过与其他掺Yb3+晶体比较,结果表明Yb:KYW晶体的Imin(0.24kW/cm2)很小.     

立方C15b型YbCu_(5-x)In_x(0≤x≤1)中的原子混合价态与价态转移

利用电弧熔炼方法制备了YbCu5-xInx(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1)稀土金属相间化合物样品.多晶X射线衍射分析表明样品具有立方C15b型结构,并发现其晶胞参数随In含量的增加而线性增加.利用SQUID技术测量了样品在4.2K和300K之间的磁化强度与温度变化曲线,结果表明YbCu4In在40K附近显示出明显的具有一级相变特征的Yb离子价态转移现象;在150K以上YbCu5-xInx样品显示居里-外斯型(Curie-Weiss)型顺磁行为,Yb离子为局域三价态(Yb3+,4f13,J=7/2,μeff=4.54μB),这和先前报道的文献一致.     

激光离子源的首次在线实验结果

介绍了在线同位素分离器使用激光离子源的重要性、激光离子源原理和相关激光技术,以及热毛细管激光离子源和靶室的结构.在首次在线实验中使用50MeV/u ¹⁸O+^natTa→¹⁶⁷Yb(T_1/2=17.5m)反应道,实现了加速器、分离器和激光系统的联合运行.通过测量分离后产物的γ谱,确定了分离后的¹⁶⁷Yb的产额,并与从产生截面、束流强度、收集时间和靶厚度计算得到的产生率相比,得到总分离效率约为0.2%.通过有激光与无激光条件下测量的γ谱中¹⁶⁷Yb与¹⁶⁷Lu相应峰下面积比值K得到元素选择性η为3.2.发现了新的¹⁶⁷Yb的长寿命高自旋的同质异能态,分析了提高效率的途径.     

173Lu和174gLu衰变数据的测量

175Lu（n;2n）174m,gLu（n;2n）173Lu反应在高能中子通量监测中具有重要作用,其产物的放射性活度通常用HPGe探测器测量,这就需要174m,gLu和173Lu的半衰期和γ射线发射率等衰变数据必须准确无误。在主要的评价核数据库中,只有ENDF/B 7.1和JEFF 3.1.1数据库给出了173Lu和174Lu的半衰期和γ射线的发射几率等衰变数据,其中173Lu的射线发射几率ENDF/B 7.1库比JEFF 3.1.1库总体偏高,其他评价数据两个数据库非常一致。在中国原子能研究院的串列加速器上用20 MeV质子辐照金属Yb靶生产了含有173Lu,174m,gLu的放射性溶液,用激光共振电离质谱（LRIMS）和热表面电离质谱（TIMS）两种同位素稀释法测定了该溶液中173Lu和174m,gLu核素浓度,然后制备测量源在HPGe探测器上进行了近7年的跟踪测量,发现173Lu的半衰期为1.45 a,比目前评价的数据1.37 a高6.1%,636.1 keV射线发射几率的偏差最大,比ENDF/B 7.1的评价数据偏高7%。174gLu半衰期的测量结果3.37 a175Lu（n;2n）174m,gLu（n;2n）173Lu反应在高能中子通量监测中具有重要作用,其产物的放射性活度通常用HPGe探测器测量,这就需要174m,gLu和173Lu的半衰期和γ射线发射率等衰变数据必须准确无误。在主要的评价核数据库中,只有ENDF/B 7.1和JEFF 3.1.1数据库给出了173Lu和174Lu的半衰期和射线的发射几率等衰变数据,其中173Lu的射线发射几率ENDF/B 7.1库比JEFF 3.1.1库总体偏高,其他评价数据两个数据库非常一致。在中国原子能研究院的串列加速器上用20 MeV质子辐照金属Yb靶生产了含有173Lu,174m,gLu的放射性溶液,用激光共振电离质谱（LRIMS）和热表面电离质谱（TIMS）两种同位素稀释法测定了该溶液中173Lu和174m,gLu核素浓度,然后制备测量源在HPGe探测器上进行了近7年的跟踪测量,发现173Lu的半衰期为1.45 a,比目前评价的数据1.37 a高6.1%,636.1 keV γ射线发射几率的偏差最大,比ENDF/B 7.1的评价数据偏高7%。174gLu半衰期的测量结果3.37 a,比评价数据3.31 a高约1.8%,174gLu 76.5 keV和1 241.8 keV γ射线的发射几率比ENDF/B 7.1的评价数据分别低1.87%和12.8%。175Lu(n,2n)174m,gLu(n,2n)173Lu are important neutron reactions to monitor the high energy neutron fluxes and the residual nuclei, 174m,gLu and 173Lu, are usually measured by a HPGe spectrometer conveniently so that the decay data such as half lives and gamma-ray emission probabilities of 174m,gLu and 173Lu must be accurate. There are evaluated decay data only in ENDF/B 7.1 and JEFF 3.1.1 among the major evaluated nuclear data libraries, where the most data are almost same besides the gamma-ray emission probabilities of 173Lu are higher in ENDF/B 7.1 than that in JEFF 3.1.1. Yb metal as a target was irradiated by 20 MeV proton beams on a tandem accelerator in CIAE to produce 174m,gLu and 173Lu, and 176Lu isotopic dilution methods based upon a laser resonance ionization mass spectrometer (LRIMS) and a thermal surface ionization mass spectrometer (TIMS) were employed to determine the numbers of nuclides of 174Lu and 173Lu in a solution containing the irradiated target. Several radioactive sources made from the solution had been measured by a HPGe detector during the past 7 years and the peak intensities of the characteristic gamma-rays from 174gLu and 173Lu were analyzed to determine the half lives and gamma-ray emission probabilities. According to the measurements, the half life of 173Lu is 1.45 a, which is about 6.1% longer than the evaluated 1.37 a, and the gamma-ray emission probabilities of 173Lu is also different from the evaluated data, especially the emission probability of 636.1 keV gamma-ray of 173Lu is 7% higher than the value in ENDF/B 7.1. The half life of 174gLu is 3.37 a, about 1.8% longer than the evaluated 3.31 a, and the emission probabilities of 76.5 keV and 1 241.8 keV gamma-rays of 174Lu are 1.87% and 12.8% lower than the evaluated data in ENDF/B 7.1, respectively.     

高温快速固相烧结合成Zr1-xHfxW2O8的Raman光谱研究

首次采用高温快速固相烧结的方法合成了Zr1-x Hfx W2O8(x=0, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 1)固溶体。合适的合成条件为: 温度1573~1693 K, 时间10 min~1 h, 该方法使合成时间和能耗比传统固相反应烧结显著降低。Zr1-x Hfx W2O8的晶胞参数与晶胞体积随Hf4+含量的增加而减小。合成的样品晶粒尺寸比常规固相烧结合成样品的颗粒尺寸较小, 颗粒大小在1～10 μm之间。拉曼光谱分析表明, Zr1-xHfxW2O8(0相似文献   

Particle-number conserving analysis for the 2-quasiparticle and high-K multi-quasiparticle states in doubly-odd 174,176Lu

Two-quasiparticle bands and low-lying excited high-K four-, six-, and eight-quasiparticle bands in the doubly-odd 174,176 Lu are analyzed by using the cranked shell model (CSM) with the pairing correlations treated by a particle-number conserving (PNC) method, in which the blocking effects are taken into account exactly. The proton and neutron Nilsson level schemes for 174,176Lu are taken from the adjacent odd-A Lu and Hf isotopes, which are adopted to reproduce the experimental bandhead energies of the one-quasiproton and one-quasineutron bands of these odd-A Lu and Hf nuclei, respectively. Once the quasiparticle configurations are determined, the experimental bandhead energies and the moments of inertia of these two- and multi-quasiparticle bands are well reproduced by PNC-CSM calculations. The Coriolis mixing of the low-K (K=|Ω1Ω2 |) two-quasiparticle band of the Gallagher-Moszkowski doublet with one nucleon in the Ω=1/2 orbital is analyzed.     

α,α‘—联喹啉测定工业已内酰胺中铁含量的研究

在 p H=5 .2 HAc- NH4Ac的缓冲介质中 ,α,α′-联喹啉 ( α,α′- BQ)与 Fe( )生成红色 3∶ 1络合物 ,λmax=5 1 5 nm,ε=2 .0 0× 1 0 4 L· mol- 1· cm- 1 ,Fe( )含量在 0— 30 μg/2 5 m L内符合比耳定律 ,本方法用于工业己内酰胺中铁含量的测定 ,结果令人满意。     

Yb掺杂C60薄膜的x射线光电子能谱研究

在超高真空系统中制备了C60的Yb填隙化合物薄膜.用x射线光电子能谱研究了Yb和C60结合过程中C1s,Yb4f和Yb4d的变化.利用Yb4f和C1s的谱峰强度确定出相纯样品的化学组分接近Yb2.75C60,这一结果与晶体x射线衍射结果一致.Yb4f和Yb4d的峰形与峰位表明化合物中Yb的价态为Yb2+.相纯样品(Yb2.75C60)的C1s峰位相对于纯C60向低结合能方向移动约0.5eV.C1s结合能减小说明有Yb6s电子转移到C60的最低未充填分子轨道能带上.结合能变化大小及峰宽的具体数值为进一步在薄膜样品上研究Yb2.75C60提供了表征样品的手段.     

超强激光超热电子激发的KαX射线发射研究

建立了无色散型X射线谱仪.利用SILEX-I激光装置的超强激光辐照固体物质,分别在靶前、后定量测量了Cu和Mo物质在不同激光功率密度时的X射线谱和Kα光子产额,推导了不同激光强度时的Kα X射线光子转换效率.实验发现,打靶激光能量越高,靶后出射的Kα产额越高,100μm Mo靶可获得10-5量级转换效率.     

Effect of Hf~(4+) doping on structure and enhancement of upconversion luminescence in Yb:Tm:LiNbO_3 crystals

A series of Yb:Tm:LiNbO_3 crystals doped with x mol% Hf~(4+)ions(x = 2, 4, and 6) were grown by the Czochralski method. The dopant occupancy and defect structure of Hf:Yb:Tm:LiNbO_3 crystals were investigated by x-ray diffraction and infrared transmission spectra. The influence of Hf~(4+)ions concentration on UV–VIS–NIR absorption spectra of Hf:Yb:Tm:LiNbO_3 crystals was discussed. The upconversion luminescence of Hf:Yb:Tm:LiNbO_3 crystals was obtained under 980 nm excitation. Strong emissions were observed at 475 nm in the blue wavelength range and 651 nm in the red wavelength range. Remarkably, enhancement of the red and blue upconversion luminescence was achieved by tridoping Hf~(4+)ions.     

Mixing of two-quasineutron and two-quasiproton Kπ=6+ configurations in the vicinity of 174Yb

In the framework of the projected shell model, we investigate the competition between the two-quasineutron and two-quasiproton K^π=6⁺ states in the ytterbium isotopes and N =104 isotones adjacent to ¹⁷⁴Yb. The ¹⁷⁴Yb results are compared with the experimental data.The K^π =6⁺ isomer observed in ¹⁷⁴ Yb is assigned as an admixture of the ν7/2^-[514] ν5/2^-[512] and π7/2⁺ [404]π5/2⁺ [402] intrinsic structure, which explains the experimental |g K-g R | value. Similar mixing would appear in ¹⁷⁴ Yb, ¹⁷⁶ Hf,and ¹⁷⁸ W. The low-lying K^π=6⁺ states are also predicted in ^170-178 Yb.     

Yb掺杂对Er/Yb共掺Al2O3薄膜光致荧光性能的影响

采用反应射频磁控溅射技术,通过调整溅射靶面上金属Er和Yb的面积比例制备出了不同Yb含量的Er／Yb共掺Al2O3薄膜,重点探讨了薄膜制备过程中Er、Yb成分比例控制的可靠性及Yb的掺杂浓度对Er／Yb共掺Al2O3薄膜室温光致荧光谱强度及峰型的影响。利用卢瑟福背散射谱(RBS)和电子能谱(EDX)对薄膜成分进行的分析表明：薄膜中Er、Yb成分的比例与实际的Er、Yb靶面积比基本一致。薄膜经过1000℃退火2h的室温光致发光谱表明：Yb掺杂显著提高了薄膜的光致荧光强度,当Yb／Er靶面积比为4：1时,光致荧光强度和半峰全宽最大。研究结果表明：对于Al2O3薄膜,合适的Yb／Er浓度,不仅可以显著改善薄膜的发光效率,而且可以增加频带带宽。     

钽(Ta)的添加对V_2(HfZr)三元C15化合物超导转变温度的影响的研究

本文研究了四元C15结构化合物V_2(ZrHfTa)超导转变温度的变化规律.发现Ta对V_2(HfZr)超导转变温度T_c的影响与组分有关.在富Hf区和富Zr区,Ta的添加都使T_c升高.而在三元系T_c峰值组分的V_2(Hf_0.5Zr_0.5)附近,T_c随Ta含量增加而下降,这与V_2Hf、V_2Zr加Ta后T_c随Ta含量增加而上升的趋势正相反,测量了样品的低温电阻、低温比热,未发现该四元系存在标志相变的温度反常区. 运用由角动量分波表象的能带论方法分析电子-声子作用得出的杂化能带理论分析本实验结果,认为V_2Hf与V_2(Zr_0.5Hf_0.5)的本质差异和加Ta后T_c完全相反的变化可能与Hf、Ta原子封闭的4f壳层电子与Zr原子的4d导带的相互作用有关.在某些化合物中4d与5d元素的相互作用有利于导带中的d-f杂化,因而对提高T_C可能是有利的.     

Er3+/Yb3+共掺碲钨酸盐玻璃的光谱性质和热稳定性的研究

制备了Er3+ 和Yb3+ 共掺的碲钨酸盐玻璃样品 6 5TeO2 2 5WO3 10RmOn(RmOn =PbO ,BaO) ,(6 5 +x)TeO2 (2 5 x)WO3 10La2 O3(x=0 ,5 ,10 ) ,(6 0 +x)TeO2 (30 x)WO3 10Bi2 O3(x =0 ,5 ,10 ) .测试了玻璃样品的吸收光谱、荧光光谱、能级寿命及热稳定性能 .结果表明除含Bi2 O3的碲钨酸盐玻璃外 ,其余玻璃样品均没出现析晶开始温度 (Tx) ,说明碲钨酸盐是一种适合于光纤拉制的玻璃基质材料 .应用Judd Ofelt理论计算了强度参数Ωt(t =2 ,4 ,6 ) ,研究表明Ω2 在碲钨酸盐玻璃中主要受到Er O键的共价性的影响 ,而Er3+ 离子周围配位场的非对称性影响可以忽略 .测得了Er3+ 在 1 5 μm发射谱的荧光半高宽 (FWHM =71— 77nm )和Er3+ 的4 I1 3 2 能级寿命 (τm =3— 3 .4ms) .应用McCumber理论计算了Er3+ 在 1. 5 μm处的受激发射截面 (σpeak=0 . 6 8— 1. 0 3× 10 - 2 0 cm2 ) .比较了Er3+ 在不同玻璃基质里的 1. 5 μm荧光带宽和发射截面 ,研究结果表明碲钨酸盐玻璃是一种制备宽带光纤放大器的理想基质材料 .     

α-TeO2∶Tm3+,Ho3+,Yb3+纳米材料的红绿蓝色上转换发光（英文）

利用简单的水热合成法成功制备出α-TeO2∶Ho3+,Yb3+、α-TeO2∶Tm3+,Yb3+和α-TeO2∶Tm3+,Ho3+,Yb3+纳米材料,用980 nm的近红外光作为激发光源测定了样品的室温上转换发射光谱。结果表明:样品α-TeO2∶Ho3+,Yb3+分别发射绿光(545 nm)和红光(651 nm),分别对应于Ho3+离子的5S2→5I8和5F5→5I8能级跃迁。随着Yb3+的摩尔分数从5%增加到15%,样品在545 nm处的绿光强度明显变大,发光颜色由黄光向绿光转变。样品α-TeO2∶Tm3+,Yb3+在476 nm处发射出蓝光,对应于Tm3+离子的1G4→3H6能级跃迁,两个弱红光峰(651,675 nm)分别对应于Tm3+离子的1G4→3F4和3F2→3H6能级跃迁。随着Yb3+离子浓度的提高,蓝光与红光的相对强度也在显著提高。基于可调控性蓝光、绿光和红光的产生,α-TeO2∶Tm3+,Ho3+,Yb3+纳米材料能产生不同颜色的光,包括白光。     

Yb3+,Er3+:YAG透明陶瓷的制备和1.5 μm波段光谱性能研究

采用固相法和真空烧结技术制备了5at%Yb3+,2at%Er3+:YAG透明陶瓷.在1760 ℃真空烧结30 h后, 陶瓷样品具有较高透过率.SEM观察表明制备的透明陶瓷在晶粒和晶界处无气孔、第二相的存在.样品的吸收光谱和荧光光谱的测试结果表明: Yb3+在940 nm波长处有具有较强的吸收系数.样品在1030 nm波长的荧光寿命仅为0.274 ms,以及在1.5 μm波段的荧光衰减寿命曲线中,初始的荧光强度呈上升趋势,这些表明了Yb,Er:YAG陶瓷中的Yb3+→Er3+离子间存在能量转移.利用Judd-Ofelt理论拟合出Er3+的强度参数Ωλ,计算出了各能级跃迁寿命和积分发射截面等参数. Er3+离子在1.5 μm波段的光谱参数(发射截面和荧光寿命)的理论结果与实验结果符合较好.比较了Yb,Er:YAG透明陶瓷各能级跃迁的光谱参数, 1.5 μm波段对应的4 I13/2→4 I15/2能级跃迁较其他能级跃迁具有较大的发射截面、荧光分支比和上能级寿命,证明了 Er,Yb:YAG 透明陶瓷实现在1.5 μm人眼安全波段激光输出的可行性.     

Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO₄)₂(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析，结果表明，分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相，抑止了实验中的挥发问题；所生长的晶体为β-Yb:KYW，计算其晶格常数为a=1.063nm，b=1.034nm，c=0.755nm，β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱，结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰，计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词： Yb:KYW TSSG法 晶体结构 光谱参数