高n双电子复合伴线对类氦镁离子Kα共振线贡献的理论计算

利用多组态Dirac-Fock方法计算了类氦镁离子的双电子复合截面.分析了类锂镁离子高n双电子伴线结构及其对类氦镁离子Kα共振线的影响.结果表明类锂镁离子高n双电子伴线和类氦镁离子Kα共振线之间存在着严重的混合,会导致Kα共振线强度的增加、谱形的加宽以及位置的移动.     

高n双电子复合伴线对类氦镁离子Ka共振线贡献的理论计算

利用多组态Dixac-Foek方法计算了类氯镁离子的双电子复合截面．分析了类氨镁离子的高n双电子伴线结构及其对类氯镁离子Ka共振线的影响．结果表明类氨镁离子的高n双电子伴线几乎都分布于Ka共振线的长波一侧．随着n的增加，DS强度呈现明显减小的趋势．虽然来自KLM（n=3）的发射线最强．但n〉3的部分依然给出了非常重要的贡献．即便是来自n〉10的共振的贡献也是不可忽略的．并且高n双电子伴线随着n的增加不断接近Ka共振线，导致和Ka共振线的强烈混合．在实验测量中会使Ka共振线峰位的测量值向长波方向移动，使谱形加宽，并且增强了Ka共振线测量值强度．     

类氦铀离子的双电子激发态辐射衰变特性

讨论了类氢铀离子与H2分子碰撞中,经KLL共振转移和激发过程形成类氦铀离子双电子激发态的机制,分析了实验测量到的X射线能谱和各种竞争过程对X射线能谱的贡献.对由于纯电子-电子相互作用形成的双激发态的Kα辐射衰变的超级卫星线的角分布测量结果表明,角分布呈各向异性,电子态布居存在很强的定向排列.     

高离化类Ne铕离子的双电子伴线结构的理论研究

在对高离化态类Ne铕离子及其临近的类Na、类Mg离子的n=3→2跃迁的波长和强度详细计算的基础上，考虑了等离子体中单个谱线的展宽和谱线之间的重叠，得到了类Ne铕离子n=3→2的共振线及其类Na和类Mg离子双电子伴线的结构，并系统地分析了这些伴线对共振线波长和强度的影响.     

硅类氦离子谱线组的强度诊断

一、引 言 类氦离子共振线的长波侧,除了互组合线外,还存在着大量的双电子伴线。这种双电子伴线跃迁的上能态,有两种形成机制:类氦离子的双电子复合和类锂离子的内壳层激发。有些伴线主要是双电子复合引起的,另一些伴线主要是内壳层激发引起的,还有一些伴线则同时由这两种机制引起。 根据实验测得的类氦离子共振线与互组合线的强度比,可以估算等离子体的电子密度Ne;根据双电子复合伴线与共振线的强度比,可以估算电子温度Te。此外,根据内壳层激     

高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，利用近期发展的计算双电子复合截面的程序，系统研究了高离化态类氦到类硼Hg和U离子的KLL双电子复合过程. 讨论了Breit效应和量子电动力学(QED)效应对Hg离子共振双激发态能级的贡献，得到了双激发态的共振能、总线宽和相应的双电子复合共振强度，所得结果与其他理论和实验结果都符合得很好. 在此基础上进一步研究了高离化态U离子的KLL双电子复合过程，并与已有的实验和理论结果作了比较.     

高离化态Hg和U离子的双电子复合过程的理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上,利用近期发展的计算双电子复合截面的程序,系统研究了高离化态类氦到类硼Hg和U离子的KLL双电子复合过程. 讨论了Breit效应和量子电动力学(QED)效应对Hg离子共振双激发态能级的贡献,得到了双激发态的共振能、总线宽和相应的双电子复合共振强度,所得结果与其他理论和实验结果都符合得很好. 在此基础上进一步研究了高离化态U离子的KLL双电子复合过程,并与已有的实验和理论结果作了比较. 关键词： 双电子复合 MCDF     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

五通道Z箍缩等离子体K壳层线谱成像

采用5个针孔配接5块对数螺线晶体单色器方案,研制了一台五通道靶室内置式X射线单色成像器,并利用该成像器在阳加速器上成功获取了铝丝阵负载Z箍缩内爆等离子体的K壳层自辐射五通道单色线谱图像。该成像器结构紧凑,安装调节简便精准,能谱分辨力高（小于1.3 eV）,能够清楚分辨Al的类氦主共振线（1 598.4 eV）和互组合线（1 588.3 eV）,以及类氢主共振线（1729 eV）及其伴线（1 727.7 eV）光谱图像。由于阳加速器驱动能力有限,这些图像均由若干的离散热斑组成,并且大都集中在柱状等离子体轴线上,说明这些热斑附近的电子温度和密度较周围要高;类氦主共振线较类氢主共振线图像强度高、热斑区域大,反映了Z箍缩等离子体温度不够高,原子被激发到类氢离子的数量远少于类氦离子。     

高离化态氩离子产生的Kα和Kβ谱线的相对论理论研究

利用多组态Dirac-Fock方法,系统研究了不同离化度氩离子的Kα和Kβ线的结构以及内壳层旁观洞态和高n旁观电子对其结构的影响.结果表明:剥离1s、2l壳层电子而引起的Kα和Kβ线的“紫移”要强于剥离3l壳层电子的;最内层的1s旁观洞态产生的伴线与Kα和Kβ线离得较远,而较外层的2l、3l伴线与Kα和Kβ线基本重合在一起;3pnl-1snl和2pnl-1snl(n=3…6;l=0…5)类型跃迁产生的伴线的形状和位置随nl的增加逐渐接近Kα和Kβ线.     

用类氦双电子复合伴线诊断Ar等离子体电子温度

在电子密度约为ne=10 13 cm-3 条件下计算了类氦Ar的伴线 j(1s2 2 p2 P3 / 2 - 1s2 p2 2 D5/ 2 )与共振线w(1s2 1S0 - 1s2P1P1)的强度比 ,采用Hartree Fork Relativistic (HFR)方法计算了伴线因子和波长 ,从而得到伴线强度以及强度比。根据计算的相对强度比随温度的变化关系可以利用实验诊断电子温度     

高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发

 采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合，对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率，以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明，对于Au类Ni离子的3d¹⁰-3d⁹4l5f-3d¹⁰4l双电子复合过程以及类Cu离子的3d¹⁰4l-3d⁹4l5f电子碰撞激发过程，当电子温度高于1.0 keV时，电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加，双电子复合速率随电子温度增加而减小，并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。     

电子碰撞激发机制中自电离与双电子俘获

 以Ge为例，研究了双电子复合代替自电离与双电子俘获对离子布居的影响；通过解包括双激发态和自电离与双电子俘获过程的速率方程组，研究了类F离子与类Ne离子基态对19.6nm与23.6nm激光线上、下能级的布居贡献因子及类Na离子与类Ne离子的电离速率，并讨论了这两条激光线的反转与增益。     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程.本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响.研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程.使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程. 本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响. 研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程. 使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

120TW/30fs激光产生的Al等离子体X射线发射谱分析

在SILEX激光装置上利用超强超短激光(120TW/30fs)与Al靶相互作用产生热稠密等离子体.采用类氢共振线与类氦共振线线强比诊断得到电子温度在480～670eV之间,采用类锂jkl伴线与类氦共振线强度比得到电子温度在430～610eV之间,两种诊断方法得到的结果基本一致.用类氦互组合线与类氦共振线强度比方法获得电...     

双电子复合过程的相对论理论研究 通道的变化特性

双电子复合是一种共振辐射复合过程,在这一过程中,一个具有特定能量的自由电子与电离度为q的离子A~(+q)碰撞,形成有两个电子激发的自电离态n_(?)l_(?)nl,该自电离态进一步发射光子,复合成A~(+(q-1))离子,一系列n(?)l_(?)nl自电离态(n_(?)l_(?)l固定,n从有限到无限变化)形成一个通道,本文在相对论单组态理论基础上,具体探讨了类氦铁离子(3s_(1/2)~nP_(1/2))J=(?)通道中,双电子复合速率随n的变化规律,根据本文得到的规律,可以很方便地计算任意离子的任意一 关键词：     

伴线强度比诊断激光等离子体温度

为诊断玻璃壳靶等离子体硅的电子温度,根据Gabriel日冕模型的理论目前已有3种计算方法:(1)利用类氢共振线(1s-2P)与对应伴线强度比(见图1曲线1);(2)利用类氦共振线(1s~2-1s2p)与对应伴线强度比;(3)利用两根共振线强度比。记类氢类氦共振线及其对应伴线的强度分别为I_(HR),I_(HeR),I_(HS)及I_(HeS)。利用所得到的X光谱线强度的实验数据用上述3种方法往往不能获得较一致的电子温度,主要原因在于共振线是光学厚的,