镁铝类氢类氦类锂离子双电子复合速率研究

 镁铝类氢类氦类锂离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在用双示踪元素谱线强度比研究ICF电子温度中占有很重要的地位。计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数，并给出不同离化度的总的双电子复合速率系数的变化规律，比较了它们在不同电子温度和不同跃迁通道的异同，对研究X射线激光、等离子体温度诊断等诸多应用领域提供了有价值的原子数据。     

类锌金离子的双电子复合过程研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,理论计算出类锌Au49+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度 0.02 keV～5.0 keV范围内的变化规律,分析不同离化度离子的能级特征,及影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数.     

类铜Dy37+离子的双电子复合速率研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类锌组态,理论计算出类铜Dy37+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度0.02 keV～5.0 keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数.     

类锌金离子的双电子复合过程研究

在自旋轨道劈裂阵模型（SOSA）下，理论计算出类锌Au^49＋的双电子复合速率系数，得出其在电子温度0．02keV-5．0kev范圈内的变化规律，分析不同离化度离子的能级特征，及影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能，这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数．     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

类镍Dy38+离子的双电子复合速率研究

在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类铜组态3d9nln′l′(n′=4,5,6;l′=s,p,d),理论计算出类镍Dy38+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度002—50keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参量 关键词： 自旋轨道劈裂阵 双电子复合 自电离系数 辐射衰减系数     

Ni27+离子Ka和Kβ型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni27+等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道,分析了Ni27+等离子体Ka型和Kβ型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1与电子温度的变化行为,计算了Ni27+等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明,在低密度条件下,Ka型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1有重要关系,前者的分支速率系数远大于后者.     

Ni27+ 离子Kα和Kβ 型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni²⁷⁺等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道，分析了Ni²⁷⁺等离子体Kα 型和Kβ 型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l与电子温度的变化行为，计算了Ni²⁷⁺等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明，在低密度条件下，Kα 型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l有重要关系，前者的分支速率系数远大于后者. 关键词： 27+离子')" href="#">Ni²⁷⁺离子 Kα型和Kβ型辐射衰变')" href="#">Kα型和Kβ型辐射衰变 双电子复合 速率系数     

类硼氧离子基态双电子复合速率系数的研究

由于氧广泛存在于星际物质中,对氧等离子体的诊断十分重要。双电子复合速率系数是对等离子体平衡状态诊断的重要参数。本文采用全相对论Flexible atomic code(FAC)研究了类硼氧离子从基态2s22p1(J=1/2)俘获电子,经过2s12p2 n′l′双激发态通道的双电子复合速率系数。忽略贡献很小的辐射级联效应,考虑组态相关,细致计算了n′≤9,l′≤n′-1的所有组态。使用了n′-3标度规律采用组态-组态外推法计算,计算了n′≤1000的所有组态总双电子复合速率系数。分析了双电子复合速率系数与不同被俘获轨道主量子数n′和轨道量子数l′的关系,认为对双电子复合其主要贡献的是n′=3和n′=5,且DR系数在l′=2时出现峰值。即基态通过2s2p2 n′l′的双电子复合伴线光谱中最强的光谱线对应跃迁为2s2p23d的双电子复合过程。该通道总的DR系数随温度升高而先增后减,在0.5eV左右出现最大值,认为此温度下双电子复合效率最高。低温时对于n′较大的组态可以忽略,高温时则需要考虑。     

基于双激发态对稠密等离子体中双电子复合速率系数的研究

讨论了稠密等离子体中双电子复合速率系数的计算方法,推导出了在双激发态间跃迁过程和关于双激发态的碰撞电离和自电离过程的影响下双电子复合速率系数作为关于电子密度函数的计算公式,并以类氖镍离子为例进行了计算.计算结果展示了双电子复合速率系数随电子密度增大的具体变化趋势.此外,还给出了在不同原子过程影响下双电子复合速率系数的数据,并进行了分析.     

类铍钛离子态-态双电子复合速率研究

 研究了类铍Ti¹⁸⁺离子三类态-态双电子复合过程,基于多组态准相对率自洽场方法和扭曲波方法,计算了该离子在电子温度 0.01~1.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化。     

高离化金离子态-态双电子复合速率系数

研究了类铍Au⁷⁵⁺离子三类态-态双电子复合过程，基于多组态准相对论自洽场 方法和 扭曲波方法，计算了该离子在电子温度0.6—10.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数， 并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化. 关键词： 75+离子')" href="#">Au⁷⁵⁺离子 态-态双电子复合     

高离化金和铅离子双电子复合速率研究

 基于多组态准相对论自洽场方法和扭曲波方法,理论研究了类铍金和 铅离子三类双电子复合过程,计算了这些离子在电子温度0.6～10.0keV范围内的双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。     

Au激光等离子体的双电子复合速率系数

基于准相对论多组态HartreeFock理论和扭曲波近似,采用组态平均的方法,从头计算了类铁金离子类镓金离子的双电子复合速率系数,计算中包含了大量稠密的自电离能级,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应,造成高Z材料Au的双电子复合速率系数不同于低Z元素的特征,与现有文献的类镍金离子比较,结果表明,在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度约为2keV,电子密度约为6×1021cm-3,Au激光等离子体不同理论之间的双电子复合速率系数误差不到10%.这对于使用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带细致 关键词： 双电子复合 类铁金离子类镓金离子 复合速率系数     

Rapid evaluation for dielectronic recombination rate coefficients of Ni－like ions Gd and Ta

ＲａｐｉｄｅｖａｌｕａｔｉｏｎｆｏｒｄｉｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｒａｔｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓｏｆＮｉ－ｌｉｋｅｉｏｎｓＧｄａｎｄＴａ￥ＴＥＮＧＨｕａｇｕｏ；ＸＵＺｈｉｚｈａｎ；ＺＨＡＮＧＷｅｎｑｉ（ＣＣＡＳＴ（Ｗｏｒｌｄｌａ...     

类He的Y离子双电子复合计算

采用准相对论的多组态Hartree-Fock(HFR)方法计算了类Li的Y离子(Z=39)的能级和振子强度,并且通过采用扭曲波方法计算自由电子的波函数,我们得到了由类He的基态到类Li的双激发态的自电离几率和双电子复合系数。在计算中,相对论质量—速度和Darwin修正都包含在哈密顿中。为了便于等离子体细致能级占据数密度的动力学计算,我们用一个解析表达式来表示作为自由电子温度函数的双电子复合速率系数,这个表达式精确地描写了从类He的基态到类Li的单激发态的双电子复合。     

W44+ 离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用方法,详细研究了W44+ 离子从基组态3s23p63d104s2俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s2)nln′l′(n = 4 ~ 6,n′= 4 ~7) 的双电子复合(DR) 过程。通过比较不同壳层电子激发的DR 速率系数,得知4s 电子激发和3d 电子激发的DR 速率系数分别在低温和中高温度时给出了主要贡献,得到了主要的电子激发DR通道。在1 eV~50 keV 温度范围内,计算了n = 4~18 的DR速率系数,并外推到了n= 100,得到总DR 速率系数。比较总DR 速率系数、三体复合(TBR) 以及辐射复合(RR) 速率系数,结果表明DR 速率系数在研究的温度范围内远大于TBR 和RR 速率系数,其将明显地影响ITER 等离子体的电离平衡和离化态布居。Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out to research the dielectronic recombination (DR) processes, in which W44+ ions in the ground state 3s23p63d104s2 trap an electron to form doubly excited states (3s23p63d104s2)nln’l’(n =4~6,n′= 4~7). The comparison of the DR rate coefficients of different shells shows that DR approach is as follow: the 4s subshell excitation dominates to DR at low temperature, but 3d subshell excitation attributes to DR at high temperature. Total DR rate coefficients from n=4~18 are evaluated directly, and the results are extrapolated up to n = 100 in the temperature range from 1 to 5×104 eV, and thus get the total DR rate coefficients. Compared total DR rate coefficients to three-body recombination (TBR) rate coefficients and radiative recombination (RR) rate coefficients, it showed that the total DR rate coefficients obviously significantly greater than other two recombination rate coefficients, and thus it obviously influence ionization equilibrium and ionization state population of ITER plasma.     

Dielectronic recombination rate coefficient for Cu-like Au^50＋ ion

The rate coefficients α^{DR} of dielectronic recombination (DR) for Cu-like Au^{50+} ion collided with the incident free electron are calculated based on the quasi-relativistic multi-configuration Hartree－Fock theory. The results clearly show that the α^{DR} of all recombination channels exhibits resonance characters with electron temperature. At lower temperatures, the recombination for electrons caused by 4s excitation is dominant through outer electron radiative transitions among the intermediate doubly excited autoionizing levels, in which the most components come from 3d^{10}5pns states, whereas with increasing electron temperature, DR caused by 3d excitation turns out to be dominant, and the contribution from the 3d^94s4fnf state to the total rate coefficient of electron 3d is the largest with α^{DR}=1.15×10^{- 11} cm^3·s^{-1} at an electron temperature of T_e=0.35 keV. Under this condition, there exists a strong competition between the two types of recombination channels.