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1.
采用高温固相法合成Sr3B2O6:Eu3+,Li+红色荧光粉,考察了激活剂Eu3+和电荷补偿剂Li+浓度对Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发光性能的影响。结果表明:适量掺杂Eu3+、Li+离子并不改变Sr3B2O6的结构。当Eu3+掺杂量为4%、Li+的掺杂量为8%时,在900 ℃下灼烧2 h可以得到发光性能最佳的Sr2.9B2O6:0.04Eu3+,0.08Li+红色荧光粉。以394 nm的近紫外光激发时,Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发射出红光,对应于Eu3+的4f-4f 跃迁,其中以614 nm附近的5D0→7F2跃迁发光最强,是一种有潜力用于白光LED的红色荧光粉。 相似文献
2.
采用固相法在较低温度下合成了Eu2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体中占据两种不同Ca2+格位的Eu2+离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu2+浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu2+浓度为0.005mol-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca2SiO3Cl2:Eu2+可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。 相似文献
3.
4.
用高温固相反应法合成了Sr2EuxGd1-xAlO5红色荧光粉,研究了荧光粉的晶体结构和发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4) 特征发射组成,其中Eu3+离子的5D0→7F1(λ=590 nm)和5D0→7F2(λ=622 nm)跃迁发射的强度最大。当Eu3+离子的摩尔分数为 0.75时,样品的发光最强。研究结果表明,Sr2EuxGd1-xAlO5荧光粉是一种在近紫外芯片白光LED上有应用前景的红光荧光粉。 相似文献
5.
在N2气氛下,以Si3N4、SrCO3和Eu2O3为原料,采用自还原高温固相合成法制备了Sr0.97Si2N2O2:0.03Eu2+荧光粉。在近紫外光激发下,该荧光粉发出明亮的黄绿光,发射峰位于533 nm处。采用XRD分析了不同助熔剂(NH4F,NH4Cl,Li2CO3,H3BO3)条件下的荧光粉晶相发育情况。通过SEM和荧光光谱研究了不同助熔剂对Sr0.97Si2N2O2:0.03Eu2+晶粒形貌及发光性能的影响。结果表明,随着助熔剂的添加,荧光粉团聚现象缓解、结晶度增强、分散性提高,且不同程度地提高了荧光粉的发光强度,其中以NH4Cl的添加效果最佳。 相似文献
6.
采用固相反应法合成了组成为Ca1-xEuxSi2O2N2的Eu2+掺杂CaSi2O2N2荧光粉.通过荧光光谱对样品的发光性能进行了研究,发现Eu2+掺杂CaSi2O2N2荧光粉发射光谱为宽波段的单峰结构,主要包含绿光和黄光区,发射峰在556~568 nm.从发射光谱的宽带特征来看,CaSi2O2N2:Eu2+的发射主要对应着Eu2+离子4f65d→4f7跃迁.从激发光谱所覆盖的范围还可以看到,样品可以有效的被UV蓝-光激发,这意味着该类荧光粉在白光LED方面有可能得到广泛的应用.另外,样品的发光性能与激发离子的浓度有着很大关系.激发离子浓度增大时,发射光谱会发生明显红移.利用这一性质,可以通过改变Eu2+浓度来调节荧光粉的发光范围,从而满足不同场合的需要.同时,Eu2+浓度提高,样品发射光谱的强度也会随之增强,在x=0.06时发射强度达到最大值,之后继续增加Eu2+浓度,强度不仅没有增加反而降低,即出现浓度猝灭现象. 相似文献
7.
采用高温固相法成功合成了一种可用于白光LED的Ca2Li2BiV3O12∶Eu3+新型红色荧光粉,使用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成样品进行了表征,研究了合成温度和Eu3+含量对合成样品相组成和发光性能的影响。结果表明,采用高温固相法在650~700 ℃能合成纯度较高、结晶度好的Ca2Li2BiV3O12∶Eu3+荧光粉,合成样品激发带覆盖200~400 nm,发射光谱的线状发射峰可归属于Eu3+的5D0→7FJ(J= 1, 2, 3,4)特征锐线发射,Eu3+摩尔分数为14%时荧光粉的发光强度最大。 相似文献
8.
采用高温固相法合成出La2Mo2O9:Eu3+,W6+系列红色荧光粉,其结构为立方晶系的β- La2Mo2O9。在395 nm光激发下,样品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+发射出很强的红光,最强发射峰位于616 nm处。适量地掺杂W6+离子可以提高样品的激发和发射强度,在395 nm光激发下,La1.40Mo1.84O9:0.60Eu3+,0.16W6+荧光粉的Eu3+的5D0→7F2跃迁发射强度最大,是样品La1.40Mo2O9:0.60Eu3+的1.23倍。最后,将La1.40Eu0.60Mo1.84O9:0.16W6+荧光粉与~395 nm发射的InGaN芯片一起制作成红光发光二极管(LED),该LED发射出很强的红光。 相似文献
9.
Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+是一种有效的蓝色长余辉材料,采用高温固相法合成了Sr2MgSi2O7,Sr2MgSi2O7:Dy3+,Sr2MgSi2O7:Eu2+及Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+,利用同步辐射研究了它们的VUV-UV激发特性.在真空紫外光激发下,在基质中发现了稍弱的位于385nm的发射带,在双掺杂的样品中,除了Eu2+的4f5d→4f发射带(465nm)外,还观察到了575nm处的发射峰;通过和Dy3+单掺杂样品的发射谱比较,发现它是来自于Dy3+的4f-4f(4F9/2→6H13/2)跃迁.在它们的激发谱上可以看出Dy3+与基质发射的有效激发均处于真空紫外区,在近紫外及可见区激发下未见到它们发光.另外在Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+中观察到Dy3+的发射也说明了Dy3+在该类长余辉材料中不仅作为陷阱用来延长余辉,而且也以发光中心形式存在于基质中. 相似文献
10.
采用高温固相法制备了Sr3Gd0.5-xTb0.5(BO3)3∶xEu3+系列荧光粉,并研究了其发光性质与能量传递过程。Sr3Gd0.5-xTb0.5(BO3)3∶xEu3+系列荧光粉在300~400 nm的近紫外光有效激发下产生489,544,594,614,624 nm的发射谱线,分别对应于Tb3+和Eu3+的特征跃迁。荧光寿命测试表明,随着Eu3+掺杂浓度的增大,Tb3+寿命逐渐缩短,证实该体系中存在Tb3+→Eu3+的能量传递过程,能量传递效率最大值为20.53%。在对Tb3+和Eu3+的能级结构进行分析的基础上,进一步探讨了Tb3+→Eu3+能量传递过程。Sr3Gd0.5-xTb0.5-(BO3)3∶xEu3+系列荧光粉具有良好的红色发光性质,是潜在的可以应用于白光LED的光转换材料。 相似文献
11.
采用高温固相法,制得一种新型荧光粉Na4Ca3(AlO2)10∶Eu2+,Mn2+。样品的结构和发光性质分别由X射线衍射谱和荧光光谱来表征。在Na4Ca3(AlO2)10∶Eu2+的激发光谱中出现了Eu2+的f-d跃迁吸收带;在发射光谱中,出现蓝光发射,峰值位于441 nm。当在Na4Ca3(AlO2)10∶Eu2+中掺杂Mn2+时,发生了Eu2+→Mn2+的能量传递,在542 nm处出现了Mn2+的发射峰。在Na4Ca3(AlO2)10∶Eu2+,Mn2+中,随着Mn2+浓度的增加,Eu2+粒子的发射强度减弱,而Mn2+粒子的发射强度增强,且Eu2+离子发射的衰减时间缩短,同时色度由蓝光移向白光。 相似文献
12.
采用化学沉淀法一次煅烧工艺制备了Ba1.99-x/2-2ySiO4:Eu0.012+, Lix+y2+, Euy3+绿色荧光粉, 用X射线衍射仪和荧光分光光度计对样品的晶体结构、发光性能进行表征. 结果表明: 少量Eu2+, Li+和Er3+的共掺杂没有改变晶体结构; 其激发光谱分布在270–440 nm波长范围, 谱峰位于288 nm, 360 nm处, 可以被InGaN 管芯产生的360–410 nm辐射有效激发; 在360 nm近紫外光激发下, 测得其发射光谱峰值在500 nm 处, 是Eu2+4f65d1→4f7跃迁的典型发射; 荧光粉发光强度随着Li+掺杂量的增大先增强, 后减弱, 当x=0.1时, 发光强度最大; 随着Li+, Er3+共掺杂量的增加(y=0.012), 出现位于530 nm和488 nm的发射峰, 对应于Er3+的2H11/2→4I15/2和4F7/2→4I15/2特征发射, 同时分析了Eu2+→Er3+的能量传递过程.
关键词:
化学沉淀法
2SiO4:Eu2+,Li+,Er3+')" href="#">Ba2SiO4:Eu2+,Li+,Er3+
能量传递
发光性能 相似文献
13.
利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7:Eu2+(0.2%),Dy3+(8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2+:5d-4f跃迁的477nm发射带和对应Dy3+:4f-4f跃迁的两组线谱发射,其中只有来自Eu2+的5d-4f发射对长余辉光谱有贡献。在157.6nm激光激发下,除了上述发射外,还明显观察到对应Eu3+的红色线谱(590,614,626nm)。结合这些光谱特性,对Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+中稀土离子的发光特性以及长余辉发光机理进行了讨论,并提出了Eu2+充当空穴陷阱的可能性。 相似文献
14.
采用溶胶-凝胶法在还原气氛下制备了Sr2MgSi2O7∶Eu2+,xBi3+(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)荧光粉,并用XRD、TG-DTA及激发与发射谱仪对样品的结构及发光性能进行了表征。结果发现:单掺杂Bi3+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激发光谱为一主峰为286 nm的宽带谱,这是由于激发态时Bi3+的3P1→1S0电子能级跃迁而造成的;单掺杂Eu2+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激发光谱为一主峰为358 nm的宽带谱,这是典型的Eu2+的4f65d1→4f7跃迁而引起的。当Bi3+离子掺杂到Sr2MgSi2O7∶Eu2+样品的摩尔分数为0.04时,样品的发射强度是未掺杂Bi3+离子样品的1.9倍。 相似文献
15.
研究了Eu2+激活的绿色发光材料Ca3SiO5的制备条件和发光性质. Eu2+中心形成主峰值为501 nm和次峰值为570 nm的特征宽带,两峰值叠加形成发射峰值为502nm的绿色发射光谱带. 利用这些光谱结果和Van Uitert 经验公式,确认Ca3SiO5:Eu2+中存在两种性质有差异的Eu2+发光中心,它们分别占据基质中八配位的Ca2+(Ⅰ)格位和四配位的Ca2+(Ⅱ)格位. 其激发光谱分布在250—450 nm的波长范围,峰值位于375 nm处,可以被InGaN管芯产生的350—410 nm辐射有效激发.
关键词:
发光
荧光粉
绿色荧光粉
3SiO5')" href="#">Ca3SiO5
2+')" href="#">Eu2+ 相似文献
16.
17.
利用高温固相法制备了Eu3+掺杂的La2Mo2O9红色荧光粉,并对这种荧光粉的结构及发光性质进行了研究。XRD结果表明,实验合成了单一立方相的La2Mo2O9荧光粉体。该荧光粉的激发光谱由一宽带和一系列的锐峰组成;发射光谱由一系列锐峰组成,这些都与Eu3+的特征跃迁5DJ(J=0,1)和7FJ(J=1~4)相对应。结果表明该荧光粉可被395nm的紫外光和470nm的可见光有效激发,并发出峰值位于620nm左右的红光,亮度可达到传统红色荧光粉Y2O2S:Eu3+的1.5倍以上,这表明它可以作为蓝+黄模式白光LED的红色补光粉,也可以作为UV-LED激发三基色荧光粉体系中的红色荧光粉。研究了Eu3+的掺杂浓度以及不同助熔剂对样品发光性质的影响。Eu3+的摩尔分数为0.3时,发光强度达到最强。质量分数为3%的NH4Cl作为助熔剂时效果最好。 相似文献
18.
通过高温固相法制得双峰可调节本征半导体发光BaZn2(BO3)2:Eu3+荧光粉,此类荧光粉在300~400 nm的紫外波段有很强的吸收。在375 nm的紫外光激发下,该荧光粉产生了两个宽带的发射峰,分别位于550 nm和615 nm处。并且,在395 nm的紫光激发下,荧光粉会由于Eu3+离子的5D0→7F2电偶极跃迁产生一个位于615 nm的强宽发射峰,这表明Eu3+离子占据了反演对称中心的位置,取代了BaZn2(BO3)2中部分的Ba2+离子。当Eu3+的摩尔分数达到10%时,发生浓度猝灭。在不同浓度的Eu3+离子的掺杂下,BaZn2(BO3)2:Eu3+荧光粉的发光从黄色延伸到红色,实现了荧光粉的色度可调。 相似文献
19.
利用Na2CO3作为助熔剂,采用高温固相反应方法制备了三价铕离子激活的Gd2Mo3O9红色荧光粉。利用XRD和荧光光谱,研究了助熔剂的量、制备时的温度以及激活剂Eu3+的浓度对荧光粉的晶体结构和发光性能的影响。测试结果表明,这种新型的荧光粉可以被紫外光280nm,近紫外光395nm和蓝光465nm有效激发,发射主峰位于613nm,并且证明Eu3+离子在晶体结构中占据了非反演对称中心的位置。395,465nm的吸收与目前广泛应用的紫外和蓝光LED芯片的输出波长相匹配。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。 相似文献
20.
通过高温固相法合成Sr3LaAxV3-xO12:Eu3+(A=Mo,W)荧光粉,利用MoO42-和WO42-取代基质中部分VO43-,改变基质组成和结构,进而影响基质和激活剂Eu3+离子的发光性能。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计对所合成样品的物相、形貌、荧光性能及荧光寿命进行表征。研究表明,MoO42-和WO42-的部分掺杂对基质发光位置和强度均有影响,能明显减弱VO43-的发光,但对Eu3+离子发光影响不大,添加电荷补偿剂F-可以加强VO43-对Eu3+离子的能量传递。通过调整基质VO43-发光和Eu3+离子发光,可以得到单一基质的白光荧光粉。初步探讨了阴离子掺杂对Eu3+离子红光发射增强的机理。 相似文献