多孔铝镶嵌8-羟基喹啉铝荧光光谱研究

利用多孔铝非常高的孔隙率,将8羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到多孔铝Alq3镶嵌膜.研究了镶嵌膜的荧光光谱,并与Alq3在溶液状态下的荧光光谱进行比较,发现其荧光光谱与Alq3在乙醇溶液中的光谱相似,呈现单分子的发光特征,并且光谱线形更加对称.实验表明,多孔介质有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光器件方面应用的新途径. 关键词： 多孔铝 8-羟基喹啉铝 光致发光光谱     

镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射

利用浸渍法将8羟基喹啉铝(Alq₃)镶嵌到多孔硅微腔中,制备了多孔硅微腔—Alq₃镶嵌膜,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq₃自发发射的微腔效应,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象。镶嵌于多孔硅微腔中的Alq₃荧光光谱的半峰全宽只有15nm,而非微腔样品,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq₃荧光谱半峰全宽在85nm以上。并且有微腔时Alq₃发光强度比没有微腔时Alq₃发光强度增强一个数量级。随机改变微腔中Bragg反射镜高折射率层的几何厚度可使高反射区展宽,从而更加有效地抑制了多孔硅本身的发光模,使发光色度更纯,但由于峰值透射率减小,导致共振峰强度有所减小。多孔硅微腔有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq₃在电致发光器件方面应用的一条新途径。     

多孔铝激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究

以多孔阳极氧化铝为基底,将激光染料分子RhB有效地嵌入多孔铝的孔中,获得多孔铝激光染料镶嵌膜。镶嵌膜的荧光光谱类似于低浓度液相染料的荧光光谱,但光谱线型更趋于对称。通过改变多孔铝孔的直径和深度及染料溶液深度,研究光谱的变化关系,初步提出了多也铝镶嵌染料膜的理想模型。     

有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征

叙述了制备高纯度有机电致发光材料8－羟基喹啉铝（Alq3)的方法；通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析，对Alq3的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在；分析了Alq3中各个H原子的归属、Alq3分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3分子中Al-O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分；由X射线光电子发射谱分析了Alq3分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3的荷质比为459.1以及由于金属Al本身的特性，使得在Alq3中Alq2^ 继续裂解为Alq^ 的几率很小。证实了Alq3的荧光发射光谱位于510nm处（绿光范围），光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比，Alq3中铝离子成键共价性弱，极化力较强。     

C102∶RH6G多孔铝镶嵌膜的发光研究

将香豆素102(C102)和若丹明6G(RH6G)按一定的比例混合在乙醇溶液中,结果发现其荧光光谱出现了双峰结构,并研究了浓度对荧光光谱的影响。再将C102和RH6G镶嵌在一定条件下制备的多孔铝中,研究了不同浓度对多孔铝发光光谱的影响。实验表明C102∶RH6G多孔铝复合体系有可能是展宽固体可调谐激光器调谐范围的一种新途径。     

多孔硅镶嵌C102的蓝绿发光特性

利用多孔硅(PS)独特的微孔结构、非常大的比表面积、很强的吸附能力和灵敏的表面光学性质等特点,将激光染料香豆素102(C102)镶嵌在多孔硅中,得到多孔硅镶嵌C102的复合膜。研究复合膜的荧光特性,我们发现：镶嵌在多孔硅中的C102荧光光谱与其在无水乙醇溶液中的荧光光谱相似,主要呈现单体发光特性;通过比较镶嵌在不同孔隙率中的C102荧光光谱,得知镶嵌在不同多孔硅中的染料分子主要以同种形式存在。另外还发现,放置一段时间后的镶嵌复合膜,荧光强度明显增强,对称性提高,保留了激光染料发光的很多优点。多孔硅镶嵌C102的荧光特性展示了多孔硅在发展固体激光器方面有一定的应用,并为实现硅基蓝绿发光打开新的途径。     

狭缝宽度与取样间隔对镶嵌铜多孔铝膜透射光谱的影响

用阳极氧化的方法制备了阳极氧化铝膜，向其孔中镀入了铜，制备了镶嵌铜多孔铝膜。为了研究狭缝宽度与取样间隔对其透射光谱的影响，利用岛津UV－3101型分光光度计，测得了相同取样间隔不同狭缝宽度和相同狭缝宽度不同取样间隔情况下镶嵌铜多孔铝膜的透射光谱，并分析了狭缝宽度和取样间隔对透射曲线的影响，得到了测试镶嵌铜多孔铝膜所需合适的狭缝宽度和取样间隔。测试结果表明：对镶嵌铜多孔铝膜而言，在可见光波段选择3nm的狭缝宽度和0.5nm或1nm的取样间隔为宜；在近红外波段选择5nm或8nm的狭缝宽度和2 nm的取样间隔为宜。     

C102：RH6G多孔铝镶嵌膜的发光研究

将香豆素102(C102)和若丹明6G(RH6G)按一定的比例混合在乙醇溶液中，结果发现其荧光光谱出现了双峰结构，并研究了浓度对荧光光谱的影响。再将C102和RH6G镶嵌在一定条件下制备的多孔铝中，研究了不同浓度对多孔铝发光光谱的影响。实验表明C102：RH6G多孔铝复合体系有可能是展宽固体可调谐激光器调谐范围的一种新途径。     

8-羟基喹啉铝高分子复合物薄膜的瞬态荧光特性与机理

对 8 -羟基喹啉铝 (Alq3)高分子复合物薄膜的的瞬态荧光特性和机理进行了研究 ,发现复合物薄膜的荧光寿命比 Alq3样品的寿命明显缩短 ,荧光峰值波长紫移 ,高分子基质引起的淬灭过程可能是导致复合物薄膜寿命降低的主要原因 ,而 Alq3分子与基质分子间的互作用则引起荧光峰值波长的移动。     

8—羟基喹啉铝高分子复合物薄膜的瞬态光特性与机理

对8-羟基喹啉铝(Alq3)高分子复合物薄膜的瞬态光特性与机理进行了研究,发现复合物薄膜的荧光寿命比Alq3样品的寿命明显缩短,荧光峰值波长紫移,高分子基质引起的淬灭过程可能是导致复合物薄膜寿命降低的主要原因,而Alq3分子与基质分子间的互作用则引起荧光峰值波长的移动.     

多孔氧化铝薄膜的制备和光学特性研究

采用阳极氧化法制备了二维有序纳米孔氧化铝膜.研究了工艺参数对多孔薄膜有序性、孔径、膜厚度等的影响，测量了多孔氧化铝有序膜的光透过、光吸收和光发射等光学特性.结果表明，在波长360 nm附近多孔氧化铝有序膜的光透过谱线和光吸收谱线发生突变，波长大于360 nm时，光透过增强；波长小于360 nm时，光吸收增强.多孔氧化铝有序膜的光致发光强度和峰位与激发光波长有关，光致发光谱范围在340~600 nm.     

有机层厚度变化的有机电致发光器件与微腔器件光谱分析

设计中心波长为520nm,改变有机层厚度,即空穴传输层NPB和发光层Alq3的厚度,分别由10nm逐渐增加至100nm,器件的总体厚度也随着改变,分别计算模拟出有机电致发光器件(OLED)和微腔有机电致发光器件(MOLED)的电致发光谱(EL),并对光谱的积分强度、峰值强度、半峰全宽、峰值位置的三维分布图进行比较分析。综合考虑光谱的峰值位置(中心波长)、最大的峰值强度和积分强度(与亮度、效率相关)、最小半峰全宽(色纯度高)进行合理的设计,可以找到最佳厚度。发现:NPB和Alq3的厚度分别为70和62nm时,器件性能最佳,并且微腔器件的结果尤为明显。结果表明,通过模拟计算,可以深入探索MOLED和OLED发光特性,设计出合理的器件结构。     

聚对苯乙炔(PPV)的薄膜电致发光特性

聚对苯乙炔[poly(p-phenylene vinylene),缩写为PPV]是一种典型的线性共轭高分子.早在1968年,美国化学家Wessling就宣布合成出了PPV[1],但由于当时对该材料的应用前景不清,故未能引起科学界的重视.80年代中期,Murase等用AsF5及其它多种掺杂剂成功地对PPV进行了掺杂导电研究[2],使其电导率提高了16个数量级,由绝缘体变成了导体.     

电致发光色纯性增强的硅基有机微腔

报道了硅基有机微腔的电致发光（EL）.该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜（PS DBR）组成.半透明金属膜由Ag（２０nm）构成，充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成，其中的Al/LiF为电子注入层，ITO为正电极，SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的；该PS 关键词： 电化学腐蚀 电致发光 窄峰发射 硅基有机微腔     

基于包络线法的多孔阳极氧化铝薄膜光学常数的计算

采用二步阳极氧化法在草酸溶液中制备了多孔阳极氧化铝(PAA)薄膜。借助于扫描电子显微镜(SEM)分析了多孔阳极氧化铝薄膜的微观形貌。结果发现,在其表面孔径为30~40nm的六边形孔洞分布均匀,且垂直于表面平行生长。依据PAA透射光谱的实验数据,采用极值包络线算法计算出了PAA薄膜的复折射率以及光学能隙等光学常数。通过分析吸收系数与入射光子能量之间的关系发现,PAA薄膜具有直接带隙半导体的电子结构特征,而且由理论计算得到的PAA的带隙能与其光致发光谱的峰位能是一致的。     

Photoluminescence properties of heat-treated porous alumina films formed in oxalic acid

Photoluminescence and optical properties of as-anodized and heat-treated at 500 °C porous alumina films formed in a 0.3 M oxalic acid at 40 V have been studied. The FTIR indicates that the oxalate ions are embedded in the anodic alumina as chelating bidentate structures and further heating up to 500 °C does not cause any change in ion coordination. The results of time-resolved spectroscopy show the presence of two luminescence centers both in the as-anodized and heat-treated anodic alumina films with lifetimes of about 0.25 and 4.0 ns. The F⁺-centers in anodic alumina are responsible for the luminescence peak at about 420 nm, with a lifetime of about 4.0 ns. The luminescence peak at about 480 nm, with lifetime of about 0.25 ns, can be attributed to the luminescence of carboxylate ions existing in bulk of anodic alumina.     

不同退火条件对纳米多孔氧化铝薄膜光致发光的影响

以草酸为电解液,采用二次阳极氧化法制备出了纳米多孔氧化铝薄膜,经不同退火温度和退火气氛处理氧化铝薄膜后,通过分析其光致发光光谱得出：相同的退火气氛中, 退火温度T≤600 ℃ 时,T=500 ℃具有最大的光致发光强度;退火温度T≥700 ℃时,随着退火温度的升高,样品的发光强度增大。在不同的退火气氛中,多孔氧化铝薄膜随着退火温度的升高,发光峰位改变不同,即在空气中退火处理后,随着退火温度的升高,发光峰位蓝移,而在真空中退火处理后,发光峰位并不随退火温度的升高而变化;通过对1 100 ℃高温退火处理后的氧化铝薄膜的光致发光曲线的高斯拟合,可以看出,经退火处理后的多孔氧化铝,主要存在三个发光中心,发光曲线在350～600 nm范围内对应三个发射峰, 发射波长分别为387,410,439 nm。相同的退火温度下,空气中退火得到的氧化铝薄膜的光致发光强度大于真空中退火处理后的氧化铝薄膜。基于实验结果,结合X射线色散能谱(EDS)、红外反射光谱等表征手段,探讨了多孔氧化铝薄膜的发光机制,并对经过不同退火条件得到的多孔氧化铝薄膜的光致发光特性的改变做出了合理的解释。     

有机电致发光器件中新型芴类小分子材料的光谱特性

针对新型芴类小分子材料6,6′-(9H-fluoren-9,9-diyl)bis(2,3-bis (9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl) quinoxaline) (BFLBBFLYQ)和空穴传输材料N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1, 1′-biphenyl-4,4′-diamine(TPD)及二者混合体系的荧光光谱和吸收光谱进行了测试表征,制备了结构为indium-tin oxide (ITO)/BFLBBFLYQ∶TPD/Alq/Mg∶Ag的双层有机电致发光器件。研究发现,BFLBBFLYQ∶TPD混合薄膜存在一个不同于单独分子薄膜的低能量发射光谱,发光峰在530 nm处,与tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Alq)薄膜的荧光光谱相同,亦与结构为BFLBBFLYQ∶TPD/Alq双层器件的电致发光光谱相同。鉴于荧光染料4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran(DCJTB)的吸收光谱与Alq的荧光光谱有很好的重叠,利用Forster能量传递理论,将DCJTB红色染料引入双层器件,通过调节掺杂位置,考察器件的发光光谱情况,进而对BFLBBFLYQ∶TPD/Alq双层器件的载流子复合区域进行了研究。结果表明,双层器件的载流子复合区域位于BFLBBFLYQ∶TPD/Alq界面附近的Alq层内。     

Morphology and transmittance of porous alumina on glass substrate

The porous optical film has higher threshold of laser-induced damage than densified films, for the study of mechanism of laser-induced damage of porous optical film with ordered pore structure. Porous anodic alumina (PAA) film with high transmittance on glass substrate has been prepared. Aluminum film was deposited on glass substrate by means of resistance and electron beam heat (EBH) evaporation. Porous alumina was prepared in oxalic acid solution under different anodizing conditions. At normal incidence, the optical transmittance spectrum over 300-1000 nm spectra region was obtained by spectrophotometer. SEM was introduced to analysis the morphology of the porous alumina film. The pore aperture increased with the increase of anodizing voltage, which resulted in a rapid decrease of the pore concentration and the optical thickness of porous alumina film. Damage morphology of porous alumina film is found to be typically defects initiated, and the defect is the pore presented on the film.