质子在α-LiIO_3单晶中的沟道效应研究

利用MeV能量的准直质子束,在不同的质子能量下,测定了α-LiIO_3单晶<001>向的轴沟道参数角度半宽度ψ1/2和产额极小值χ_(min)。在向静电场作用卞,首次观察到入射质子与表面处的Ⅰ原子沟道-背散射产额随电场作用时间而增加,并定量计算了表面无序Ⅰ原子数随静电场作用时间的关系。另外,入射质子与~7Li原子沟道-核反应[~7Li(p,α)~4He]产生的α粒子产额也随电场作用时间而增加。     

H+2，H+3团簇离子在沟道条件下的背散射 质子产额测量

采用卢瑟福背散射方法，测得了每质子能量为650 keV的H⁺₂，H+₃团簇离子在Si晶体<100>和<110>沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现，由于H⁺₂，H⁺₃团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应，H⁺₂的背散射质子产额大于H ⁺的背散射产额，而H^{+< 关键词： 团簇 沟道效应 库仑爆炸 背散射}     

近Bohr速度的152Eu20+入射Au表面产生的X射线谱

测量了动能为2.0–6.0 MeV的高电荷态离子¹⁵²Eu²⁰⁺ 入射Au表面产生的特征X射线谱, 结果表明, 相互作用不仅激发出了Au的 M_ζ, M_α和M_δ特征X射线, 还激发出了Eu的M_α X射线, 且X射线总产额随入射离子动能的增加而增加. 计算了Au的M壳层总的X射线产生截面, 并与理论模型的计算结果做了比较分析. 关键词： 高电荷态离子 X射线 产额 截面     

50~250 keV质子入射SiC和Si靶时的电子发射特性研究

在中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器国家实验室测量了能量范围为50~250 keV 的质子入射碳化硅靶和硅靶表面的电子发射产额。实验结果发现,两种半导体靶材的电子发射产额随质子入射能量变化趋势均与作用过程中电子能损随质子入射能量的变化趋势相似。通过分析电子发射的能量来源,发现实验中电子发射产额主要由动能电子发射产额贡献,势能电子发射产额可以忽略不计。两种靶材的电子发射产额均近似地正比于质子入射靶材过程中的电子能损,比例系数B随入射能量略有变化。     

电池正极材料中Li+运动特性的7Li NMR研究

利用变温⁷LiNMR实验对Li-电池正极材料LiMn₂O₄和LiCoO₂中Li⁺的运动特性进行了研究,结果表明,随实验温度的提高,LiMn₂O₄的⁷LiNMR谱线窄化,表明其中Li⁺迁移能力增加,而LiCoO₂的谱线无变化.此外随温度提高,LiMn₂O₄的⁷Li的T₁变短,而LiCoO₂的T₁变长,产生这种不同变化趋势的原因在于LiMn₂O₄和LiCoO₂晶相结构的差异造成其中Li⁺迁移能力的差别,它们各自的相关时间τ_c使⁷Li核的T₁分别位于T₁-τ_c曲线极小点两侧.     

离子导体LiCl(Al2O3)的核磁共振研究

本文报道了含分散第二相粒子的离子导体LiCl(或LiI)中⁷Li核磁共振的观测结果,测量了⁷Li核磁共振吸收谱线的线宽和自旋-晶格弛豫时间(T₁)。实验发现,在LiCl(Al₂O₃)中,⁷Li的核磁共振吸收谱线上叠加了一小峰,且随第二相粒子的类型、含量和温度而变化。⁷Li核磁共振信号的信噪比显著提高,自旋-晶格弛豫时间变短,且也随第二相粒子的类型、含量和温度而变化。结果表明,离子电导率的提高和附加小峰的出现都是由第二相粒子引起的,从而提出:靠近第二相粒子的LiCl界面附近的空间电荷区中高的离子传导是离子电导率提高和附加小峰出现的可能机理。 关键词：     

低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟方法详细研究了低能Pt原子与Pt(111)表面的相互作用所导致的表面吸附原子、溅射原子、表面空位的产生及分布规律,给出了表面吸附原子产额、溅射原子产额和表面空位产额随入射Pt原子能量的变化关系.模拟结果显示:溅射产额、表面吸附原子产额和表面空位产额随入射原子的能量的增加而增加,溅射原子、表面吸附原子的分布花样呈3度旋转对称性质;当入射粒子能量高于溅射阈值时,表面吸附原子主要是基体最表面原子的贡献,入射粒子直接成为表面吸附原子的概率很小.其主要原因是:当入射粒子能量高于溅射能量阈值时,入射 关键词： 分子动力学 低能粒子 表面原子产额 空位缺陷 溅射     

MeV氢微团簇离子与固体介质的电荷交换

利用静电加速器提供的0.6—1.8MeV的H⁺，H⁺₂，H⁺₃离子，轰击不同厚度的碳膜，分别测量这些离子通过碳膜后各种产物的产额. 得到了不同能量的H⁺通过碳膜后中性原子H和负离子H^-的产额随入射质子速度的变化关系；分别得到能量为1.2MeV,1.8MeV的H⁺₂，H⁺₃团簇离子通过不同厚度碳膜的透射产额及其与团簇离子在碳膜中驻留时间的关系；对结果进行了理论分析与讨论. 关键词： 团簇离子 电荷交换     

非晶态离子导体Li2B2O4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li₂B₂O₄的⁷Li核磁共振研究。测量了⁷Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li₂B₂O₄的晶态、非晶态和部分晶化样品的⁷Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的⁷Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al₂O₃)的⁷Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl进行了⁷Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。 关键词：     

Li3VO4-Li4TO4(T=Ge,Si)固溶体离子导体7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li₃VO₄-Li₄TO₄(T=Ge,Si)系统不同成分的⁷Li的NMR谱。发现γ_II相固溶体室温⁷Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T₁的值都比Li₄GeO₄,Li₄SiO₄和Li₃VO₄小约一个数量级。这表明在γ_II相固溶体离子导体中,Li⁺离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现⁷Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_II相的不同成分中,间隙Li⁺离子占有的不等价位置个数不同,而Li⁺离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。 关键词：     

H+2,H+3团簇离子在沟道条件下的背散射质子产额测量

采用卢瑟福背散射方法,测得了每质子能量为650 keV的H+2,H+3团簇离子在Si晶体<100>和<110>沟道条件下的质子背散射能谱.结果发现,由于H+2,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应,H+2的背散射质子产额大于H+的背散射产额,而H+3的背散射质子产额又大于H+2的背散射质子产额.通过计算,分别得到了H+2,H+3在<100>和<110>沟道方向的背散射质子产额相对于随机方向背散射产额之比随深度的分布.     

6Li与核弹性散射的微观光学势

从基本的Dirac-Brueckner-Hartree-Fock微观理论出发,得到同时包含实部和虚部的核子-核散射的微观光学势,并利用折叠模型直接获得了核-核散射参数无关的整体微观光学势.考虑到核-核散射去弹过程高级项的贡献和⁶Li的碎裂效应,在微观光学势的实部和虚部中引入了修正因子N_R,N_I.系统研究了入射粒子⁶Li与靶核¹²C,²⁸Si,关键词： 弹性散射 Dirac-Brueckner-Hartree-Fock方法 折叠模型 微观光学势     

BaF2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响

２７ｋｅＶ Ａｒ^＋离子束沿法向分别入射在ＢａＦ₂单晶（１１１），（１００）和（１１０）的晶面上，用捕获器方法和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射分析法测定了Ｂａ原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面，它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为５×１０¹⁷ｉｏｎ／ｃｍ²的Ａｒ^＋离子分别轰击这三种晶面时，其溅射产额的顺序Ｙ_１００＞ｙ_１１１＞ｙ_１１０．对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时，测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。 关键词：     

C+轰击铍的分子动力学模拟

使用分子动力学模拟方法研究了入射能量对C⁺离子与Be样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,随着C⁺离子的入射能量增大,C⁺离子注入深度也增加,Be原子的溅射产额近似线性增加,而滞留在样品中的C原子数量变化不大,在C⁺离子轰击Be样品的初始阶段,样品中Be原子的溅射产额较大,而随着C⁺离子注入剂量的增加,Be原子的溅射产额逐渐减小并趋于稳定。在此作用过程中,在样品表面形成一个富C层,减缓了样品中Be原子的溅射速率,起到了保护Be样品的作用。     

在2.52MeV质子P波窄共振能量附近56FeK层电离几率的测量

本文报道为验证新的原子碰撞机制所进行的⁵⁶Fe共振弹性散射实验。在质子能量为2.52MeV共振处,观察到了⁵⁶Fe原子K_X射线发射几率随入射能量不再保持平滑连续的变化关系,而是呈现出有大于50％的相对变化。这一实验结果表明,当原子电子结合能U_K及共振宽度Г的比值U_K/Г大到5.27的条件下,入射粒子在形成复合核前的碰撞电离反复合核共振散射出射粒子碰撞电离之间仍存在着干涉效应。利用Blair-Anh 关键词：     

分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用

通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响. 通过模拟数据与实验数据的比较, 得到H原子吸附率随入射量的增加 呈先增加后趋于平衡的趋势. 沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜, 刻蚀产物(H₂, SiH₂, SiH₃和SiH₄)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响, 并且也决定了样品的表面粗糙度. 当入射能量为1 eV时, 样品表面粗糙度最小. 随着入射能量的增加, 氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH, SiH₂, SiH₃)的量以及分布均有所变化. 关键词： 分子动力学 吸附率 表面粗糙度 氢化非晶硅薄膜     

砷化镓中质子注入之研究

本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×10¹⁷-1×10¹⁸cm^-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×10⁴—2×10⁶eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度x_j和径向扩展x_L与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程R_p,电子阻止本领S_n(E)和核阻止本领S_e(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。 关键词：     

现代物理信息

 1.D_?⁺的新衰变道.第一次观测到D_?⁺→ηρ⁺,η¹ρ⁺,确定了D_?⁺→φρ⁺.这些衰变方式的分支比,比D_?⁺→φπ⁺要大.（CLEO collaboration,No.9）2.新的质子放射同位素.用300MeV的⁵³Ni离子轰击¹⁰⁶Cd靶,经质量分离而得最重的放射质子同位素¹⁶⁰Re与¹⁵⁶Ta.测到放出质子的能量、总寿命和质子分支比,对¹⁶⁰Re是1261±6KeV、790±160μs和（91±10）%,对¹⁵⁶Ta是1022±13KeV、165_-55⁺¹⁶⁵ms和～100%.（R.D.Page et al.,No.9）3.飞秒激光产生MeV级能量的X射线0.5TW、120fs Ti:兰宝石激光照射到固体靶上,当聚焦达10¹⁸W/cm²时,产生的等离子体会放出能量超过1MeV的X射线.产额随入射激光功率的3/2而上升.40mJ激光打靶,X射线能量在20Key以上的能量转换达0.3%,X射线的能谱符合1/E分布.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子²⁰⁷Pb^q+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 关键词： 高电荷态离子 经典过垒模型 电子发射产额     

质子轰击钨靶表面时的电子发射产额与靶温度的相关性研究

在中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器国家实验室测量了能量为50~250 keV 的质子入射不同温度下钨靶表面的电子发射产额。实验结果发现,不同能量的质子引起的电子发射产额均随着靶温度的升高而降低;利用功函数对温度的依赖性定性地解释了该结果。在不同靶温度下,总电子发射产额与电子能损的比值随着质子能量的增加而逐渐变小;利用靶原子不同壳层中电子之间的电离竞争机制来解释实验结果。