准-维材料蓝青铜电荷密度波动力学的掺杂效应研究

对包括纯的、铷掺杂、钨掺杂的准-维电荷密度波材料蓝青铜系列单晶样品的电阻率温度行为、非线性输运行为进行了比较研究。实验发现,与铷掺杂相比,钨掺杂对样品的电输运特性和派尔斯相变的影响更加剧烈。特别地,对于纯样品和铷掺杂样品,电荷密度波的解钉扎阈值在100K附近表现出极大值行为;而对于钨掺杂样品,阈值行为是单调的。针对以上结果,从蓝青铜在100K附件可能存在的非公度-公度转变以及电荷密度波与样品中杂质缺陷和正常载流子问的相互作用角度进行了讨论。     

掺杂蓝青铜的低频电压噪声研究

通过对掺杂蓝青铜的低频宽带噪声(BBN)的研究,发现在掺杂样品中杂质和缺陷能大大的加强低频电压噪声,并且噪声的幅度、波形又强烈地与单晶在冷却过程中的初始电流状态有关,从而揭示出电荷密度波的宽带噪声可能来自于样品中宏观缺陷的微观实质。 关键词：     

横向交、直流电流对蓝青铜K0.3 MoO3的 I-V特性的调制效应

通过I-V特性测量,研究了横向交、直流电流对蓝青铜K0.3MoO3中电荷密度波(CDW)动力学行为的影响.实验结果表明,无论是直流还是交流,随着横向调制电流的增大,CDW滑移的阈值电场均会相应地减小;但横向交流电流的调制效应较小,可能更接近本征的效应.考察了横向交流电流的调制效应与其频率的依赖关系.     

准—维电荷密度波导体钾青铜低温喇曼光谱研究

本文对钾青铜低温喇曼光谱进行了研究,观察到由77K到180K升温时具有部分软化特征的电荷密度波振幅模和两个与相变相联系的新附加声子线。利用平均场理论对软模进行分析,给出了电荷密度波的Peierls能隙2△(0)、电声子耦合常数λ及电荷密度波的有效质量m*_(CDW)的估计值分别为0.13eV、0.26及337m_e。这些参数与其他作者通过中子散射、红外及自旋磁化率等实验得到的结果相符,对深入理解电荷密度波动力学本质有重要意义。同时,对振幅模部分软化的原因及强度在100K附近的异常现象也进行了分析讨论。     

横向交、直流电流对蓝青铜K0.3MoO3的I-V特性的调制效应

通过I-V特性测量，研究了横向交、直流电流对蓝青铜K_0.3MoO₃中电荷密度波(CDW)动力学行为的影响.实验结果表明，无论是直流还是交流，随着横向调制电流的增大，CDW滑移的阈值电场均会相应地减小；但横向交流电流的调制效应较小，可能更接近本征的效应.考察了横向交流电流的调制效应与其频率的依赖关系. 关键词： 0.3MoO₃单晶')" href="#">K_0.3MoO₃单晶 电荷密度波 横向电流调制效应     

(La1-x Yx)0.5Sr0.5MnO3体系的结构和输运性质研究

实验研究了La0.5Sr0.5MnO3体系La位上Y掺杂对电荷有序相的影响。结果表明掺杂量为0．15以下时，样品均呈现金属—绝缘体转变行为；当掺杂量为0．2，0．25时样品中出现了电荷有序相，通过对样品的结构和输运特性的仔细研究，发现有三种因素对其输运特性具有重要影响：带宽即＜rA＞，eg电子的轨道，无序度δ^2，同时，实验结果表明电荷有序相的形成是因为电子之间的强关联作用的结果。     

准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO2)4(WO3)2 m(m=6)的磁电阻研究

对准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO₂)₄(WO₃)_2m(m=6)在2—300K温区内的磁电阻及在2K时的Δρ/ρ_０-B关系进行了 实验研究.利用电子磁击穿模型对其低温端的磁阻增强行为进行了分析解释,理论和实验相 符合,并估算出高温端第一个Peierls能隙的大小为3.0meV,电子在低温下的迁移率为0.0 42m²V^-1s^-1 关键词： 低维导体磁电阻 电荷密度波     

电荷密度波材料K0.3MoO3及W掺杂样品的红外光学响应的研究

研究了准一维材料K03MoO3以及掺杂了3%和15%的W的样品在TCDW=180K以上和以下的温度时的光反射谱和电导率谱.在此基础上讨论了伴随着Peierls相变产生的相声子和单粒子能隙,以及W掺杂对CDW凝聚的影响 关键词： 电荷密度波 Peierls相变     

钾钨青铜K_xWO_3的晶体结构和电输运特性研究

以K2WO4、WO3和W粉为原料,用混合微波方法制备了钾钨青铜KxWO3样品.随着名义钾含量x的增加,KxWO3样品的晶体结构由六方(0.20≤x≤0.33)转变为四方(0.50≤x≤0.60).四方相样品均显示金属型导电特性.在六方相样品K0.2WO3中观测到了明显的电荷密度波(CDW)转变,转变温度为265K,其余六方相样品则为半导体型导电特性.在x=0.20不变的条件下,以Ca部分替代K制备了(K1-2 yCay)0.2WO3(名义钙含量y=0.1,0.2,0.3)样品,其主相仍为六方相.当0y≤0.2时,六方相的晶胞参数a和c随y的增加而增大.从电阻率-温度曲线上可以看出,名义钙含量的变化会影响样品中的CDW转变.     

Co掺杂对La5/8Ca3/8MnO3体系铁磁有序的影响与电子的局域化效应

系统研究了强关联锰氧化物La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x=0,0.05)体系的结构和输运特性.结果表明,样品均为很好的正交O′单相结构,Mn位5%Co掺杂明显影响了样品铁磁-顺磁(FM-PM)转变和金属-绝缘体(M-I)转变,M-I转变温度TM-I从未掺杂时的271K降至227K,对应的峰值电阻率ρp增大;随着TM-I的降低,Tc同时降低,磁电阻MR%亦相应增加;La5/8Ca3/8MnO3样品在Tc以下表现出长程铁磁有序态,Mn位5%Co掺杂样品则表现为团簇玻璃型短程铁磁有序行为.证明Co掺杂引起电子的局域化效应乃是导致体系输运行为发生变化的主要原因.同时,从Mn3 -O2--Mn4 双交换(DE)作用和超交换(SE)相互作用机制等出发,对样品的输运行为、CMR效应以及与Co掺杂之间的关联进行了讨论.     

花状掺杂W-VO$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;/ZnO热致变色纳米复合薄膜研究

为解决掺杂引起的二氧化钒薄膜的红外调制幅度下降以及二氧化钒复合薄膜相变温度需要进一步降低等问题, 采用纳米结构、掺杂改性和复合结构等多种机理协同作用的方案, 利用共溅射氧化法, 先在石英玻璃上制备高(002)取向的ZnO薄膜, 再在ZnO层上室温共溅射沉积钒钨金属薄膜, 最后经热氧化处理获得双层钨掺杂W-VO₂/ZnO纳米复合薄膜. 利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜和变温光谱分析等对薄膜的结构、组分、形貌和光学特性进行了分析. 结果显示, W-VO₂/ZnO 纳米复合薄膜呈花状结构, 取向性提高, 在保持掺杂薄膜相变温度(约39 ℃)和热滞回线宽度(约6 ℃)较低的情况下, 其相变前后的红外透过率差量增加近2倍, 热致变色性能得到协同增强. 关键词： 2')" href="#">VO₂ ZnO W掺杂 热致变色     

Y替代La2/3Ca1/3MnO3体系的结构与输运行为

系统研究了(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3(0.0≤x≤0.3)体系的结构和输运行为.结果表明，实验样品具有很好的单相结构，随Y掺杂浓度的增加，金属—绝缘体（M—I）转变温度T-MI向低温区移动，对应的峰值电阻率ρp升高，对x=0.3样品，较未替代样品（x=0.0）增幅达8个数量级.在外加磁场下，材料表现出很强的磁电阻效应.同时，从实验结果出发，直接给出了输运特性与晶体结构之间的关联，并从双交换模型和可变程跃迁理论出发，对实验结果进行了初步讨论. 关键词： La2/3Ca1/3MnO3锰氧化物 Y替代 晶体结构 输运行为     

Anomalous behavior of transport properties near 60 K in tungsten-doped blue bronzes K0.3Mo1−xWxO3 (x=0–0.12)

Temperature dependences of thermoelectric power (TEP) and resistivity of a series of W-doped blue bronzes, K_0.3Mo_1−x W_xO₃ were presented. It was seen that the anomalous negative peak of the TEP near 60 K was greatly suppressed by the W-doping, while an anomaly of the resistivity near about 60 K appears and gradually strengthens with the doping. These results can be qualitatively explained by the change of the thermal excitation mechanism.     

新型红色荧光粉NaLa_(0.7)(MoO_4)_(2-x)(WO_4)_x∶0.3Eu~(3+)的制备及发光性质研究

采用高温固相法合成具有余辉性能的发光材料NaLa_(0.7)(MoO_4)_(2-x)(WO_4)_x∶0.3Eu~(3+)(x=0,0.5,1,1.5,2)。用X射线衍射(XRD)和荧光光谱对样品的晶体结构和发光特性进行表征。测试结果表明,在900℃下烧结8 h所合成的NaLa_(0.7)(MoO_4)_(2-x)(WO_4)_x∶0.3Eu~(3+)样品为纯相Na La(Mo O_4)_2,样品可被近紫外光393nm和蓝光462 nm有效激发,其发射主峰位于615 nm处,属于Eu3+的5D0-7F2跃迁。Na La_(0.7)(Mo O_4)_(2-x)-(WO_4)_x∶0.3Eu~(3+)的发光强度随着W6+浓度的增加而增大,当W6+掺杂量x=1时发光最强,而后随W6+掺杂浓度的增加出现浓度猝灭现象。通过计算得到样品在393 nm和462 nm激发下的色坐标,当W6+的掺杂量x=1时,样品的红光色纯度最好。     

钙钛矿型稀土锰氧化物La2/3Ca1/3MnO3中Mn位的Ti替代效应

研究了钙钛矿型锰氧化物La_2/3Ca_1/3Mn_1-xTi_xO₃(0≤x≤0.3)的结构、磁性和输运性质.发现Ti替代Mn强烈地抑制了La_2/3Ca_1/3MnO₃的铁磁性和金属电导,并很大地提高了磁电阻值.在低掺杂情况下(x≤0.04),1%的Mn被Ti替代,居里温度T_C和金属-绝缘体转变温度T_p分别平均下降了31和26.5K.当x=0.06时,铁磁态过渡为团簇玻璃态,并在x=0.20时完全变为自旋玻璃态.指出由于Ti的掺入而引起的磁稀释作用以及局域晶格畸变是产生上述结果的主要原因. 关键词：     

The phase transition,hygroscopicity, and thermal expansion properties of Yb_2-xAl_xMo₃O₁₂

Materials with the formula Yb 2-xAlxMo3O12(x =0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.7, 0.9, 1.0, 1.1, 1.3, 1.5, and 1.8) were synthesized and their structures, phase transitions, and hygroscopicity investigated using X-ray powder diffrac- tion, Raman spectroscopy, and thermal analysis. It is shown that Yb2-xAlxMo3O12 solid solutions crystallize in a single monoclinic phase for 1.7 ≤ x ≤ 2.0 and in a single orthorhombic phase for 0.0 ≤ x ≤ 0.4, and exhibit the characteristics of both monoclinic and orthorhombic structures outside these compositional ranges. The monoclinic to orthorhombic phase transition temperature of Al2Mo3O12 can be reduced by partial substitution of Al 3+ by Yb3+, and the Yb2-x AlxMo3O12 (0.0 < x ≤ 2.0) materials are hydrated at room temperature and contain two kinds of water species. One of these interacts strongly with and hinders the motions of the polyhedra, while the other does not. The partial substitution of Al3+ for Yb3+ in Yb2Mo3O12 decreases its hygroscopicity, and the linear thermal expansion co- efficients after complete removal of water species are measured to be 9.1×10 6 /K, 5.5×10 6 /K, 5.74×10 6 /K, and 9.5 × 10 6 /K for Yb1.8 Al0.2 (MoO4)3 , Yb1.6Al0.4 (MoO4 )3, Yb0.4 Al1.6 (MoO4)3 , and Yb 0.2Al1.8 (MoO4)3 , respectively.     

Transport properties in La0.7-xGdxSr0.3MnO3 system

The influence of Gd doping at La-site on the electrical transport properties and the colossal magnetoresistance of La0.7-xGdxSr0.3MnO3 (x = 0.00, 0.10, 0.15, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, and 0.70) is studied. The experimental results indicate that the transport properties exhibit abnormal behavior under high doping condition. For x = 0.50, we find that a transition from metal to insulator occurs after the occurrence of insulator-metal transition near Tc, which seldom occurs in ABO3 structure. For samples x = 0.60 and 0.70, it exhibits insulator behavior far above Tc. These abnormal behaviors are attributed to different magnetic background, i.e. the system undergoes a transition from long range ferromagnetic order to the cluster-spin glass state and further to antiferromagnetic order.     

Sb2O3的丰度对（1-x）La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/（x/2）（Sb2O3）电输运性质的影响

用固相反应法制备(1-x)La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/x/2(Sb2O3)(x=0.00,0.02,0.15)样品,通过X射线衍射(XRD)图谱,扫描电子显微镜(SEM)照片及SEM能谱(EDS),ρ～T曲线研究样品的结构及电输运性质.结果表明:Sb离子没有进入Mn位,Sb2O3包覆在La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3颗粒表面,Sb2O3起助熔剂作用,使得复合样品的颗粒变大且大小相对均匀;复合样品的绝缘体-金属转变温度TP较纯的La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的TP提高20K左右,对x=0.15的样品电阻高峰值比纯的La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的峰值电阻率增大两个数量级,用自旋极化隧穿理论予以解释.     

Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3的磁性和输运性质

利用固相反应法制备了Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3(x=0～0.06)的多晶样品,探讨了Ru掺杂对体系结构,输运性质以及磁电阻的影响.多晶X射线衍射证实所有样品均保持简单立方钙钛矿结构.通过零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)下的磁化曲线的测量发现随温度降低样品发生了顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,且样品的居里温度(Tc)随Ru掺杂发生了显著的变化,从x=0.00时的306.7K,下降到x=0.02时的294.3K,紧接着又上升到x=0.04时的302.4K.测得居里温度明显高于La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3体系,而且其磁性也大为增强.由零场和外加磁场H=1T测量得到样品的ρ～T曲线表明随温度降低样品同时发生了从绝缘体到金属的转变,绝缘体-金属转变温度低于相应的居里温度.适量的Ru掺杂降低了样品的电阻率,增强了低温时的磁电阻.     

掺钨VO_2薄膜的电致相变特性

采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高,相变的阈值电压降低,且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时,分别在不同温度下测试了掺钨VO_2薄膜的透过率.温度为20和50℃时,掺钨VO_2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO_2薄膜相比,掺钨VO_2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点,在高速光电器件中有广阔的应用前景.