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四氢呋喃(THF)-Na2O-SiO2-Al2O3-H2O体系水热合成的THF-FER沸石,经酸交 换-焙烧脱THF(Ⅰ)或焙烧脱THF-酸交换(Ⅱ)的不同方式处理,均可制得低钠H- FER沸石。经XRD,^27Al与^29Si MAS NMR,低温氮吸附等表征证明,通过1273K高温 的热处理和1073K饱和水蒸气下的水热处理,H-FER沸石骨架保持高度稳定。在高温 水蒸气作用下,Si(2Al)容易从骨架上脱离,而Si(1Al)则保持相对稳定,以(Ⅱ )方法处理,制备的H-FER沸石在水热条件下易产生较多的硅差劲基缺陷。经高温 热和水热处理后,H-FER沸石孔道结构基本保持完美、开放。 相似文献
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四氢呋喃(THF)-Na2O-SiO2-Al2O3-H2O体系水热合成的THF-FER沸石,经酸交 换-焙烧脱THF(Ⅰ)或焙烧脱THF-酸交换(Ⅱ)的不同方式处理,均可制得低钠H- FER沸石。经XRD,^27Al与^29Si MAS NMR,低温氮吸附等表征证明,通过1273K高温 的热处理和1073K饱和水蒸气下的水热处理,H-FER沸石骨架保持高度稳定。在高温 水蒸气作用下,Si(2Al)容易从骨架上脱离,而Si(1Al)则保持相对稳定,以(Ⅱ )方法处理,制备的H-FER沸石在水热条件下易产生较多的硅差劲基缺陷。经高温 热和水热处理后,H-FER沸石孔道结构基本保持完美、开放。 相似文献
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用^13C HPDEC MAS NMR与热分析方法表征了在四氢呋喃(THF)-Na2O-SiO2- Al2O3-H2O体系中水热合成的高硅Na-THF-FER沸石、酸交换后的H-THF-FER沸石以及 吸附于Na-FER和H-FER沸石中的THF。结果证明,模板剂分子THF位于Na-THF-FER沸 石骨架的FER笼内,平衡骨架阳离子Na^+主要存在于十元环孔道;而吸附子FER沸石 中的THF仅处于十元环孔道中,合成样品中THF的化学位移与液态THF相比,向低场 移动,谱线明显变宽,表明THF分子与FER笼之间存在很强的相互作用。 相似文献
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以基于准位相匹配和频与差频级联二阶非线性[X^(2):X^(2)]基础上的全光开关的理论分析作指导,进行了周期极化铌酸锂晶体(PPLN)和退火质子交换光波导(APE)的实验制备,利用所研制的PPLN-APE器件,以自行研制的工作波长为1.54μm的被动调Q掺钴铝酸镁激光器作为控制光源,以工作波长为1.5μm的连续二极管激光器为信号光源进行了级联二阶非线性全光开关实验。当控制光峰值功率为3kw,信号光功率为1mW时,实现13%的开关效率,分析了进一步提高全光开关性能的途径。 相似文献
5.
利用单个Ⅱ类相位匹配OPA产生的双模压缩态实现连续变量压缩纠缠态,完成了连续变量量 子离物传态. Ⅱ类相位匹配OPA参量反放大过程可以实现正交振幅反关联、正交位相关联的 压缩纠缠态,这不同于一般运转于阈值以下的OPO产生的正交振幅关联、正交位相反关联的 压缩纠缠态,可以采用直接平衡测量的方法完成Bell态测量. 利用双KTP补偿非线性过程的 离散效应,获得了最大压缩大于2dB的双模压缩纠缠态,实现保真度06,考虑到探测效率 实际保真度为057. 这种方案简化了测量方法与纠缠光源产生装置,有利于进行量子通信 的实验研究与应用. 同时,讨论了探测过程中的一些非理想因素.
关键词:
量子离物传态
压缩纠缠态
Bell态测量 相似文献
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利用熔融KOH和Co3O4在较低温度(480℃)下反应制备出K0.36CoO2,然后用高锰酸钾溶液和饱和的过硫酸钾溶液进行氧化处理.氧化的同时伴随有水分子嵌入.K0.36CoO2用高锰酸钾和过硫酸钾溶液处理后分别得到K0.12CoO2·0.8H2O和K0.16CO2·0.6H2O.这两种化合物都属于六角晶系,表现出金属行为,脱水后主相变为正交结构并且呈现出半导体特性.K0.16CoO2·0.6H2O在56K附近可能存在自旋玻璃转变行为或其他涨落.随着钾含量的减少和水含量的增多,样品的自旋玻璃行为受到抑制或发生磁性相分离.样品K0.12CoO2·0.8H2O在零场冷却和有场冷却曲线上的分叉现象基本上消失.还讨论了产生KxCoO2与NaxCoO2体系结构和物性差别的原因. 相似文献
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光学介质表面波度的计算机模型 总被引:2,自引:1,他引:2
任一光学介质表面波度对光散射具有不可忽视的影响.本文对用激光轮廓仪所测物体表面曲线进行研究,运用傅里叶级数和最小二乘法拟合光学介质表面波形形态分布,建立了光学介质表面波度的计算机一维模型. 相似文献
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采用固态反应法制备了GdBa2Cu3-xFexO7-δ(x=0.00-0.30)系列样品,利用X射线衍射、拉曼光谱以及电测量技术对体系的晶体结构、拉曼散射谱特征以及电输运特性进行了系统研究。结果表明,当Fe掺杂量在x=0.05-0.10区间时,体系的晶体结构发生了从正交相到四方相的转变。通过对拉曼光谱中典型振动模的指认及振动模随Fe掺杂量的变化规律,得到了拉曼谱随体系正交-四方结构相变的变化特征:对于具有正交相的x=0.00-0.05样品,拉曼谱具有五个与正交相结构相对应的特征峰;而对于具有四方相的x=0.10-0.30样品,随Fe掺杂量增加,振动模强度变弱,且典型振动模发生了不同程度的展宽或频移。电输运测量表明,随Fe掺杂量的增加,超导临界温度Tc降低,正常态电阻率增加且发生了金属-半导体相变。 相似文献
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