光电倍增管中子直照灵敏度响应

 光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响。分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理。中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴极发射光电子。在5SDH-2小串列加速器上,选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验,得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线。结果表明：中子能量由低到高变化时,光电倍增管的中子直照灵敏度也随之增大;两种光电倍增管的中子直照灵敏度比值为1.9×10²~2.74×10²,该值与其相应的增益比量级一致。     

光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应

 采用ING-103型DPF脉冲中子源产生的14.1 MeV脉冲中子对EMI两个不同型号的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B进行了直照实验。针对DPF脉冲中子源产生中子脉冲的同时也会产生X射线脉冲的特点，采取了飞行时间法及吸收衰减法来消除X射线对中子脉冲的干扰。利用中子及X射线速度的差异，将光电倍增管放置在离源较远的测点位置，测得了X射线脉冲和中子脉冲时间上错开的双峰波形。通过在辐射通道内添加5 cm厚的铅吸收体有效地抑制了X射线峰，在离源较近的测量位置测到了干净的脉冲中子波形。根据实测波形，得到的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B中子直照灵敏度分别为10^-13与10^-15量级，该结果与理论计算结果在量级上一致。     

用于Z箍缩物理实验中光电管与光电倍增管相对灵敏度标定方法

软X光闪烁体功率计(闪烁体光电管系统)是阳加速器及PTS装置上进行Z箍缩实验获取软X光总辐射功率及能量等参数的主要设备,光谱响应灵敏度是这套设备最关键的物理参数。为获取闪烁体功率计系统的光谱响应灵敏度,在北京同步辐射实验室进行了闪烁体与光电倍增管系统的光谱响应灵敏度标定,而要将闪烁体与光电倍增管系统的光谱响应灵敏度转换成Z箍缩实验需要的闪烁体与光电管系统的光谱响应灵敏度,还需要进行光电管与光电倍增管相对灵敏度标定,为此研制了一套光电管与光电倍增管光谱响应灵敏度相对标定系统。应用此系统进行标定实验,得到了光电管与光电倍增管的相对灵敏度,进而推出了功率计系统的光谱响应灵敏度。     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN1442006054500对三代微光管光谱响应的测试分析=Spectral responsemeasurement and analysis of third-generation LLL tube[刊,中]/杜玉杰(滨州学院物理科学与工程系.山东,滨州(256600)),纪延俊…//光学技术.—2006,32(3).—364-366利用自行研制的光谱响应测试仪对国产三代微光管进行了光谱响应测试,给出了三代微光管的光谱响应特性,利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极材料的性能参数。结果显示该三代微光管的积分灵敏度约800μA/lm左右,所选GaAs材料的电子扩散长度为2.0μm,与1.6μm的阴极厚度相当,电子表面逸出几率为0.38,后界面…     

光电子技术与器件 其他

O462.3 2006043514铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析=Measurement and analysis of spectral response charac-teristic of transmission-mode GaAs photocathode beforeand after indiumseal[刊,中]/杜晓睛(重庆大学光电工程学院.重庆(400044)) ,常本康…∥光学学报.—2006 ,26(4) .—536-540利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机以及在线光谱响应测试技术,考察了铟封前后透射式GaAs光电阴极的光谱响应特性曲线的变化,并根据测试曲线,获得了铟封前后阴极光谱响应特性参量、积分灵敏度以及阴极参量等多个性能参量…     

硅光电倍增管自动增益校正系统设计

温度会使硅光电倍增管的增益产生较大的漂移,进而影响硅光电倍增管的增益精度。为了使硅光电倍增管增益不随温度发生较大变化,设计了硅光电倍增管的自动增益校正系统,包括基于单片机的高压电源设计与采集系统设计。高电压模块精确工作的温度范围为?10～60 ℃,电源噪声约为30 mV,满足硅光电倍增管性能测试的需求。采集系统经过扫频测试与激光照射测试,可以较好地通过60 MHz的交流信号,并将光信号转变为较明显的电信号。该系统可以向京邦公司的硅光电倍增管阵列JARY-TP3050-8X8C提供工作电压与采集电路。     

介质型快中子探测器中子直照响应模拟研究

 介质型快中子探测器的中子直照响应对其设计和实际应用具有重要影响。利用Geant4编制Monte-Carlo模拟程序对此型探测器的中子直照响应进行了计算。模拟了探测器芯子常用材料在中子入射时带电重粒子的发射情况,发现电荷收集极、卡阈吸收片和后高压绝缘层材料的选择对中子直照响应特性有直接影响。在现有的以聚四氟乙烯为卡阈吸收片和后高压绝缘层材料的探测芯子中,直照响应给总的中子灵敏度带来约6%的贡献。提出了一种使用高电阻率石墨作为卡阈吸收片和后高压绝缘层材料的探测芯子的优化结构,可有效降低中子直照响应。     

r探测器的中子灵敏度标定技术

CeF3，YaP：Ce等无机晶体分别配光电倍增管构成的探测器，对r线有较高的探测效率，被称为r测器。由于其中子灵敏度比相同能量的r敏度要低数倍，有的甚至低一个量级，因此中子辐射源与周围环境物质作用产生的散射中子和r线将严重影响其输出电流，导致中子灵敏度的标定难以实现。     

用于DPF装置中子测量的闪烁体探测器

 介绍了一种用于等离子体焦点装置(DPF装置)中子波形测量的塑料闪烁体探测器，该探测器由ST401型塑料闪烁体、XP2262B型光电倍增管构成。利用银活化中子探测器和DPF装置对该塑料闪烁体探测器进行标定，确定其中子灵敏度为0.022 5 pC每中子，，中子产额测量范围达到10⁹～10¹¹每脉冲，可以满足DPF装置中子参数测量的需要。     

北京同步辐射装置软X光束线通量谱的绝对测量与计算

在北京同步辐射装置(BSRF)上用全吸收平行板充氙电离室作一级标准探测器,对硅光电二极管(AXUV—100)的效率在光子能量5—6.5keV进行了标定,建立了二级标准探测器;AXUV—100硅光电二极管在50eV-6keV有很好的线性响应,将其在硬X射线波段已标定的效率曲线外推到软X射线波段,并对BSRF3B1A和4B9B光束线在软X射线波段光子通量谱进行了初步地测量,测量结果与理论计算结果较为符合.在3B1A软X光学实验站,利用二级标准探测器对用于惯性约束聚变(ICF)的软X光探测器的灵敏度进行了标定,并取得了满意的结果.     

组合闪烁探测系统的中子能量响应测量

在n、γ混合脉冲辐射场的裂变中子测量中，为了抑制γ内本底，提高探测系统的信噪比，采用加Pb过滤片的方法，建立了两套组合闪烁探测系统，即：“Pb过滤片加塑料闪烁体加光电倍增管”系统(简称组合PMT系统)、“Pb过滤片加塑料闪烁体加光电管”系统(简称组合PD系统)。通过理论计算和多能点实验标定，获得了在厚度为3cm的Pb过滤片条件下，不同厚度的ST．40l、ST-1422或ST-1423闪烁体的组成的“组合PMT系统和组合PD系统”的中子灵敏度能量响应。     

自发参量下转换双光子场绝对校准光电探测器的方法研究

讨论了一种基于自发参量下转换双光子场绝对校准光电探测器灵敏度的新方法,着重推导了对自发参量下转换过程中产生的单光子的探测概率和双光子的符合速率,从而阐明了绝对测量光电探测器量子效率的原理.基于这一方法对光子计数型光电倍增管的响应灵敏度进行了测量,并将实验结果与常规方法测得的结果进行了比较. 关键词：     

铝合金中铬元素的时间分辨激光诱导击穿光谱高灵敏检测

为了消除在激光诱导击穿光谱(LIBS)信号检测时等离子体中强的轫致电子辐射对光电倍增管和前置信号放大器造成的不良影响,提高信号检测灵敏度,设计了一种基于CR110的门控端窗光电倍增管并用于LIBS中的微弱信号检测。该门控光电倍增管与前置信号放大器组合运用既可以成功抑制激光等离子体中强的轫致电子辐射的背景干扰,又可以进一步放大微弱的原子辐射信号,提高光谱分析的灵敏度。用LIBS分析铝合金标样中的微量铬元素,采用该门控光电倍增管时其检出限可以达到5.55 ppm,与采用普通光电倍增管的相比改善了近6倍,显示出该门控光电倍增管在时间分辨信号检测领域良好的应用效果。     

光电子技术与器件 光探测与器件

TN232007043625吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器=Sepa-rate absorption and multiplication4H-SiC ultraviolet ava-lanche photodetector[刊,中]/朱会丽(厦门大学物理系.福建,厦门(361005)),陈厦平…//半导体学报.?2007,28(2).?284-288设计和制备了吸收层和倍增层分     

光电集成与器件

TN2562007010481光电耦合器的测试=Testing photo-coupler[刊,中]/张宏琴(吉林化工学院.吉林,吉林(132022)),丁力//大学物理实验.—2006,19(1).—43-46概述了光电耦合器主要工作原理和特性参数,介绍了其功能测试和参数测试方法。图5(于晓光)TN2562007010482阵列波导光栅解复用器光谱响应特性分析=Spectral re-sponse characteristics of arrayed waveguide grating demul-tiplexer[刊,中]/郭福源(浙江大学信息与电子工程学系.浙江,杭州(310027)),王明华//光电工程.—2006,33(10).—49-55基于单模光波导本征模场及其端面衍射场分布的高斯…     

双半积分球的设计

<正> 当前,在科学技术领域中,盛行着光电倍增管,硅光二极管和硒光电池等光电传感器。但是,它们具有一个共同的弱点,即受光面灵敏度不均匀,例如,光电倍增管的不均匀性大约在0.05/mm 左右,因此,如果把由光源来的     

阴极制备工艺对高温光电倍增管性能的影响

高温光电倍增管是石油测井的关键器件,介绍了两种制备高温Na-K-Sb光电阴极的工艺,并比较了制备工艺对光电倍增管性能的影响。从测试结果可以看出,同蒸工艺制备的光电倍增管具有更高的量子效率、阴极积分灵敏度、能量分辨率以及更优异的坪特性,通过分析光谱响应曲线和高低温曲线可以得到性能提升的根本原因,即同蒸工艺制备的光电阴极的光电发射能力更强、热电子发射能力更弱,借助微观形貌表征分析得出同蒸工艺制备的光电阴极厚度更均匀、膜层更致密平滑、均匀性更好。针对高温光电倍增管的实际应用场景,测试评估高温光电倍增管的高温性能,并与国外同类产品性能进行对比。     

一种对中子相对不灵敏的大动态脉冲γ辐射探测器

使用CeF₃闪烁体配以CHT3,CHT5型大线性电流光电倍增管,组合成光电探测器.实验测量表明:CeF₃光电探测器对⁶⁰Coγ灵敏度约为常规塑料闪烁体ST401探测器的0.5—0.6倍,而对于脉冲DT中子,CeF₃探测器灵敏度相对于同尺寸闪烁体ST401探测器的灵敏度低约1个量级,探测器线性电流大于1.5A,暗流小于10nA,是一种对中子相对不灵敏的大动态脉冲γ辐射探测器.     

3×3锗酸铋晶体阵列探测器对于0.5—21MeV光子能量响应的研究

建造了由九块国产锗酸铋晶体组成的采用光电倍增管读出的阵列式探测器. 应用γ放射源、中子放射源、静电加速器(p,γ)反应以及核反应堆(n,γ)反应得到0.5—21MeV γ射线. 在这个能量范围内进行的测试显示了线性的能量响应. 能量分辨率在低能量下满足预期的E^1/2关系, 而能量在4.43MeV以上实际测得的数值较预期为大. 实验中还考察了光子在晶体阵列中沉积能量的横向分布情况, 结果与蒙特卡罗模拟一致. 本工作表明, 采用放射源及低能(p,γ)反应作为锗酸铋电磁量能器定标和监测的手段是实际可行的.     

光电子技术与器件 光探测与器件

O434.22 2004053723 紫外及可见光探测器光谱响应测试系统的研制=Study and development of spectral responsibility testing system for ultraviolet-visible detector[刊,中]/张辉(华北光电所,北京(100015)),刘建伟…∥激光与红外。—2003,33(5)。—371-373