金属二次电子发射系数表达式

根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10 keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2~10 keV的二次电子发射系数通式。     

提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计，并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图，然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较，得出:当原电子入射能量较低（小于10 keV）时，两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高（大于20 keV）时，经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大，而且随着原电子入射能量的升高，两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。     

同时测量中性束和离子束的大型二次发射探测器

本文介绍了在磁镜装置上应用的同时自动测量注入中性束和离子束的大型二次电子发射探测器;给出了简单结构和能量在30—100keV范围内的H_1~ ,H_2~ 及H_3~ 的二次电子发射系数随时间和能量的变化曲线;描述了测量线路与测量结果。     

高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系

 提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系，然后用实验数据证明了该理论的正确性，最后对结果进行了讨论。得到了如下结论：不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时， 它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量，有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。     

金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系

 根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n,采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系,对结果进行讨论并得出结论：当高能原电子轰击在同一块金属上时,高能二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次幂之积近似为一常数。     

微通道板玻璃的二次电子发射系数的测量

本文对二次电子发射现象,特别是对用作微通道板的玻璃这类绝缘体、半导体材料的二次电子发射现象及其二次电子发射系数的测量作以叙述。 §1二次电子发射现象 当电子以一定的速度轰击物体的表面时,发现有电子从该物体的表面逸出,这些电子的产生称作二次电子发射,这种现象叫做二次电子发射现象。     

电子入射角度对聚酰亚胺二次电子发射系数的影响

采用具有负偏压收集极的二次电子发射系数测试系统, 对聚酰亚胺样品的二次电子发射系数与入射电子角度和入射电子能量的关系进行了测量. 测量结果表明, 在电子小角度入射样品的情况下, 随着入射角度的增加, 二次电子发射系数单调增加, 并符合传统的规律, 但是在电子大角度入射时, 却与此不符合. 测量显示, 出现偏差时对应的临界电子入射角度随着入射电子能量的降低而减小. 采用简化的电子弹性散射过程和卢瑟福弹性散射截面公式对这种偏差的出现进行了分析, 并推导出修正后的二次电子发射系数的计算公式. 修正后的二次电子发射系数的计算结果更加符合实验结果.     

固体金属二次电子发射的Monte-Carlo模拟

二次电子的发射在生产实践中有着广泛的应用,但其相关测量结果受实验环境和实验仪器的影响很大．在实验中难以精确测量．所以本文建立了一个包含二次电子激发、在固体内部传输和最后逸出固体表面的二次电子系统模型．采用Monte-Carlo的模拟方法仿真二次电子运动轨迹,定量分析二次电子的发射系数和能谱分布．并探讨它们与一次电子的入射角度和入射能量的关系．仿真结果表明：本文建立的二次电子系统模型能较好地反映实际情况．通过该模型仿真,可以定量得到二次电子发射系数和能谱分布与一次电子的入射能量和入射角度的关系．     

50~250 keV质子入射SiC和Si靶时的电子发射特性研究

在中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器国家实验室测量了能量范围为50~250 keV 的质子入射碳化硅靶和硅靶表面的电子发射产额。实验结果发现,两种半导体靶材的电子发射产额随质子入射能量变化趋势均与作用过程中电子能损随质子入射能量的变化趋势相似。通过分析电子发射的能量来源,发现实验中电子发射产额主要由动能电子发射产额贡献,势能电子发射产额可以忽略不计。两种靶材的电子发射产额均近似地正比于质子入射靶材过程中的电子能损,比例系数B随入射能量略有变化。     

高入射能量下的金属二次电子发射模型

基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程, 分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模. 利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布, 推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入射能量的关系式; 根据高入射能量电子在材料内部被吸收的规律, 推导出高入射能量电子产生背散射电子的系数与入射能量之间的关系式. 结合两者得到高入射能量下金属的二次电子发射模型. 利用该模型计算得到典型金属材料Au, Ag, Cu, Al的二次电子发射系数, 理论计算结果与采用Casino软件模拟金属内部散射过程得到的数值模拟结果相符. 关键词： 二次电子发射 高入射能量 金属表面 散射过程     

高性能多功能介质二次电子发射特性研究平台

介绍了一套高性能多功能介质二次电子发射特性研究平台和介质材料二次电子产额脉冲测量方法。该平台配备有三层栅网结构的收集器和30 eV^30 keV宽能量范围的电子枪,可在10-8 Pa超高真空下测量介质材料的二次电子发射特性,并具备XPS能谱分析、加热和氩离子溅射清洗原位处理分析功能。给出了测得的金和氧化铝材料的二次电子电流脉冲,通过判断电流脉冲波形随时间以及照射次数的变化,获得了介质材料带电饱和时间及材料厚度对带电量的影响。     

磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射

降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在40-1500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在0-50 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值.     

高电荷态离子207Pb36+与金属Nb表面作用产生的二次离子产额

本文报道了利用兰州重离子加速器国家实验室的ECR离子源引出的高电荷态离子207Pb36 入射到金属Nb表面产生的二次离子的实验测量结果.实验发现,二次离子产额Y随入射初动能Ek的增加有先增加后减小的关系,在初动能为576 keV时二次离子产额达到最大.通过对实验点做高斯拟合发现,曲线峰值对应的入射初动能为602 keV.分析表明,这是势能沉积作用与线性级联碰撞过程协同作用的结果.高电荷态离子本身携带的高势能沉积在靶表面引起势能溅射,促进了二次离子的发射;而主导二次离子溅射的过程是动能溅射,它与靶表面的动量沉积(核能损)过程密切相关.     

Die Emission zusammengesetzter negativer Sekundärionen aus kontinuierlich regenerierten Targetoberflächen

In Ref. a method was described by use of secondary ion emission to generate wellcollimated and intense beams of heavy negative ions. In this paper the processes are studied that govern the emission of molecular ions from continuously regenerated surfaces. A rotating iron target was bombarded by noble gas ions in the energy range from 17 to 30 keV. The secondary ion yield was measured as a function of primary current density, mass and energy of the primary ions, gas pressure and the rotation frequency of the target.     

Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/i-MgO/p+-GaN heterojunction light-emitting diodes fabricated by RF-magnetron sputtering

Based on the easily controllable radio frequency magnetron sputtering, n-ZnO and i-MgO thin films were fabricated on p⁺-GaN substrate to construct heterojunctional light-emitting diodes for ultraviolet emission from the near band edge exciton recombination of ZnO. Effects of the insulator MgO layer on the electroluminescent performance of the n-ZnO/i-MgO/p⁺-GaN light-emitting diodes have been investigated. It was found that the light-emitting diode presented stronger near band-edge emission with blue shift emission peak under the lower working current when i-MgO layer was inserted. The fabrication process, characteristics and the mechanism were discussed in detail.     

O~(2+)离子穿过碳膜引起的前后表面电子发射

测量了入射能为1.9~11.3 keV/u的O~(2+)离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的能量和流强,系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明,在本实验的能量范围内,前向、后向电子发射产额与对应表面的电子能损有近似的正比关系,而与束流强度无关。分析还发现引起后向电子发射的动能阈值约为0.2 keV/u,势能电子发射产额约为1 e~-/ion。     

Characterization of electronic structure in dielectric materials by making use of the secondary electron emission

The methodology of characterizing electronic structure in dielectric materials will be presented in detail. Energy distribution of the electrons emitted from dielectric materials by the Auger neutralization of ions is measured and rescaled for Auger self-convolution, which is restructured from the energy distribution of the emitted electrons. The Fourier transform is very effective for obtaining the density of states from the Auger self-convolution. The MgO layer is tested as an example of this new measurement scheme. The density of states in the valence band of the MgO layer is studied by measuring the energy distribution of the emitted electrons for MgO crystal with three different orientations of (111), (100) and (110). The characteristic energy of ?₀ corresponding to the peak density of the states in the band is determined, showing that the (111) orientation has a shallow characteristic energy ?₀ = 7.4 eV, whereas the (110) orientation has a deep characteristic energy ?₀ = 9.6 eV, consistent with the observed coefficient γ of the secondary electron emission for MgO crystal. Electronic structure in new functional nano-films spayed over MgO layer is also characterized. It is therefore demonstrated that secondary electron emission by the Auger neutralization of ions is highly instrumental for the determination of the density of states in the valence band of dielectric materials. This method simultaneously determines the valence band structure and the coefficient γ of the secondary electron emission, which plays the most important role in the electrical breakdown phenomena.     

Secondary electron emission of sputtered alumina films

Secondary electron emission yieldδ was measured for thin films of alumina prepared byrf sputtering technique. Single pulse method was used along with 4-gridleed optics system to determineδ. Maximum value of 4·3 was obtained at primary energy of 350 eV. The Dionne’s theory was used to analyse the results and the emission probability escape depth and absorption coefficient of secondaries were also estimated. Fairly good correlation is observed between experimental and theoretical values ofδ for beam energies upto 1 keV.