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| 电流扫描速度对临界电流影响的数值模拟研究 | |
| 引用本文： | 张月蘅,徐政,丁世英.电流扫描速度对临界电流影响的数值模拟研究[J].低温物理学报,2000,22(6):433-438. |
| 作者姓名： | 张月蘅 徐政 丁世英 |
| 作者单位： | 1. 同济大学材料科学与工程学院,上海,200092;南京大学物理系,国家固体微结构物理实验室,南京,210093 2. 同济大学材料科学与工程学院,上海,200092 3. 南京大学物理系,国家固体微结构物理实验室,南京,210093 |
| 摘 要： | 我们采用数值模拟的方法，利用电动力学方程和磁通玻璃态蠕动机制研究了电输运测量中电流扫描速度（ｄＩ／ｄｔ）对临界电流（Ｉｃ）的影响。结果表明，当加电流速度大于某一值ｄｌ＾＊／ｄｔ时Ｉｃ随ｄＩ／ｄｔ增加非线性减小。ｄＩ＾＊／ｄｔ与判据Ｖｃ的选择有关。当Ｖｃ大到一定程度，ｄＩ／ｄｔ对Ｉｃ的影响将无法观测到。 |
| 关 键 词： | 电流扫描速度 临界电流 数值模拟 超导体 |
NUMERICAL SIMULATION ON THE EFFECT OF SWEEPING RATE OF APPLIED CURRENT ON THE CRITICAL CURRENT |
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| Y.H. Zhang,Z. Xu,S.Y.Ding.NUMERICAL SIMULATION ON THE EFFECT OF SWEEPING RATE OF APPLIED CURRENT ON THE CRITICAL CURRENT[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2000,22(6):433-438. | |
| Authors: | YH Zhang Z Xu SYDing |
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