首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
新型双色有机电致磷光器件   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
所研究的有机电致磷光发光器件(OLED)选用了一种新型金属铱的化合物Ir(C6)2(acac),这种金属化合物由配位体香豆素C6和乙酰丙酮(acac)与金属铱化合形成。Ir(C6)2(acac)可同时作为电子传输材料和发光掺杂剂。比较香豆素C6和Ir(C6)2(acac)固体材料的光致发光谱,可见Ir(C6)2(acac)明显抑制了有机电致发光材料分子与分子之间的发光猝灭效应。采用ITO/TPD(N,N′-diphenyl-N,N′-bis(3-methyl-phenyl)-1,1′biphenyl-4,4′diamine)/Ir(C6)2(acac)/BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1′-biphenyl-4-olato)aluminum)/Alq3aluminum/Liq(8-hydroxyquinolinelithium)/Al结构,可得到CIE(Commission Interationaled′Eclairage)值为x=0.43;y=0.40的橙红色发光器件,最高亮度可达3390cd/m2,最大电流效率为1.3cd/A。采用同样的器件结构以Ir(C6)2(acac)掺杂Alq3主体得到绿色发光器件,发光色的CIE坐标值为x=0.29;y=0.58,最高亮度可达8832cd/m2,最大电流效率为5.6cd/A。器件的发光机理研究表明Ir(C6)2(acac)的非掺杂器件发光以Ir(C6)2(acac)的三线态磷光为主,器件发光为橙色;在Alq3中的单掺杂器件以Alq3和Ir(C6)2(acac)的荧光为主,同时有小比例Ir(C6)2(acac)的三线态磷光成分存在,器件总体发光为绿色。  相似文献   

2.
王培  王振  郑新  柳菲  陈爱  谢嘉凤  王玉婵 《发光学报》2018,39(6):809-814
基于ITO/NPB/TCTA/Ir(MDQ)2(acac):TCTA/FIrpic:TmPyPb/Ir(ppy)3:TmPyPb/TmPyPb/LiF/Al结构的三原色白光器件,通过分别在蓝光与红光、绿光发光层界面处插入2 nm TCTA与2 nm TmPyPb中间层,研究了中间层的有无对器件性能的影响。结果表明,中间层的引入可以调整激子的分布,影响能量转移。具有双中间层的器件实现了高质量的白光发射,最大发光效率达到22.56 cd/A。  相似文献   

3.
以铱配合物红色磷光体Ir(piq)2(acac)为掺杂剂,制备了基于BAlq材料的红色电致磷光器件,其结构为ITO/NPB(30nm)/Ir(piq)2(acac):BAlq(25nm)/BCP(13nm)/Alq3(35nm)/LiF(1nm)/Al(1000nm),当掺杂浓度为8%的时候,器件发光的色坐标为(x=0.67,y=0.32),基本满足了全色显示对红色发光的要求。在电压为16V时,器件达到最高亮度9380cd/m2。在电流密度为5.45mA/cm2时,外量子效率达到最大5.7%。由于磷光体Ir(piq)2(acac)的磷光寿命较短,所以器件在高电流密度下,仍然保持较高的外量子效率。电流密度为100mA/cm2时,外量子效率仍然维持在4.7%。进一步研究表明在器件中短程的Dexter能量传递以及红光染料对空穴的直接捕获两种机制同时存在。  相似文献   

4.
基于铱配合物材料的高效高稳定性有机发光二极管   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
使用基于重金属Ir的新磷光材料(tpbi)2Ir(acac),制备了多层结构有机发光二极管器件: ITO/CuPc (40 nm)/α-NPD (45 nm)/CBP: (tpbi)2Ir(acac) (3%, 30nm)/BCP(20 nm)/Alq3 (20 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm).测试了材料的寿命、光谱吸收性质和器件的I-V-L特性.器件在低电压下电流符合热发射注入模型,高电压下I-V呈线形关系.不同偏压下器件发光光谱稳定,多峰拟合结果表明器件光谱由α-NPD发光峰(450 nm),(tpbi)2Ir(acac)主发光峰(518 nm)和肩峰(543 nm)构成.驱动电压为6 V时,器件效率达到最大12.1 lm/W,此时亮度为136 cd/m2,器件亮度最大为13500 cd/m2,此时效率为0.584 lm/W. 关键词: 有机发光二极管 磷光 效率 I-V-L特性')" href="#">I-V-L特性 光谱  相似文献   

5.
新型红色磷光铱配合物的合成与电致发光性能   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
设计并合成了含羟基配体8-苯并噻唑基2-萘酚(HNBT),并以其为辅助配体、2-苯基吡啶(ppy)为第一配体合成了红色磷光铱配合物Ir(ppy)2(NBT)。采用真空蒸镀的方法,以Ir(ppy)2(NBT)为发光中心制备了红色有机电致磷光器件,详细研究了配合物Ir(ppy)2(NBT)的热稳定性、光物理与电致发光性能。值得注意的是,配合物Ir(ppy)2(NBT)的发射谱图近似于高斯形状,只有一个位于614 nm的发射主峰,没有肩峰出现,且半峰宽仅为65 nm;此外,基于配合物Ir(ppy)2(NBT)的最佳器件的最大亮度和效率分别是6 400 cd/m2和4.53 cd/A。  相似文献   

6.
采用二氯甲烷为溶剂,无水碳酸钾为缚酸剂,在25℃温和条件下,以2-苯基-4-甲基喹啉铱(III)氯桥二聚体[(4m2pq)2Ir(μ-Cl)2Ir(4m2pq)2]和乙酰丙酮(Hacac)进行配位,反应合成了新型铱(Ⅲ)配合物[(4m2pq)2Ir(acac)]。通过核磁共振氢谱(1H NMR)、碳谱(13C NMR)、X射线单晶衍射等确定分子结构,利用紫外-可见吸收光谱、发射光谱对其光物理性质进行研究。结果表明:(4m2pq)2Ir(acac)的单晶结构属三斜晶系,空间群为P1;(4m2pq)2Ir(acac)在二氯甲烷溶液中呈橙光发射,发射峰为597 nm,磷光寿命0.33μs,量子效率达50.4%。以(4m2pq)2Ir(acac)为客体掺杂在CBP中,制备了结构为ITO/NPB(30 nm)/CBP:(4m2pq)2Ir(acac)(质量分数6%和8%,20 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)的橙色磷光有机电致发光器件,器件的最大亮度达到39 667 cd/m2,发射峰位于597 nm,最大电流效率为14.2 cd/A,最大功率效率为8.1 lm/W。  相似文献   

7.
利用两种颜色的发光层制备了光谱稳定的高效混合WOLED。其中蓝光发光层用14%质量分数的BNE掺杂在BePP2中,橙光发光层用1%质量分数的Ir(bt)2(acac)掺杂在49.5%质量分数的NPB和49.5%质量分数的BePP2组成的混合主体中。在不利用任何光耦合技术的条件下,器件在亮度为100 cd/m2时,功率效率可以达到39 lm/W;当亮度提高到1 000 cd/m2时,效率仅发生轻微滚降至27.5 lm/W。器件的光谱稳定,亮度在1 000 cd/m2和10 000 cd/m2时,CIE坐标分别为(0.37,0.48)和(0.37,0.47)。良好的光谱稳定性归结于设计的双极性中间层平衡了其两侧激子的产生。  相似文献   

8.
以磷光染料Ir(piq)2(acac)作为发光掺杂剂,掺入空穴传输性主体材料NPB中得到红色发光层,荧光材料TBP掺入到主体CBP中作为蓝色发光层,制备了结构为ITO/NPB/NPB:Ir(piq)2(acac)/CBP/CBP:TBPe/BCP/ALq/Mg:Ag的双发光层白色有机电致发光器件.其中ALq3、未掺杂的NPB和CBP及BCP层分别作为电子传输层、空穴传输层和激子阻挡层.实验中通过调节发光层厚度及Ir(piq)2关键词: 磷光 激子阻挡层 有机电致发光  相似文献   

9.
设计开发了系列新型咪唑并吡啶类铱(Ⅲ)配合物(BIPy)2Ir(acac)、(PIPy)2Ir(acac)、 (4'-MPIPy)2-Ir(acac)。在化合物Ⅲ中,当R=Ph时得到(BIPy)2Ir(acac)材料,其中BIPy和acac分别表示2-(4-联苯基)咪唑并吡啶和乙酰丙酮。将(BIPy)2Ir(acac)掺杂在N,N'-二咔唑-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(CBP)中制备了高效OLEDs器件,器件的最大电流效率为26.7 cd/A,最大亮度为18 000 cd/cm2,色坐标为(0.32,0.60),是首次报道的新型苯基咪唑并吡啶类铱(Ⅲ)配合物绿色磷光材料。  相似文献   

10.
运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO3/Ag/MoO3透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明电极。然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件:铝/氟化锂(LiF)/三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)/N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺/三氧化钼(MoO3)/银(Ag)/三氧化钼(MoO3),来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性。MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)在532 nm处的透射率达到最大值88.256%,以该透明电极制备的器件与参考器件相比,性能有了明显提高,最大亮度和最大效率分别为20 076 cd/m2和4.03 cd/A,提高了18.5%和56%。器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO3对空穴注入能力的提升。  相似文献   

11.
王璐薇  张方辉 《发光学报》2015,36(12):1422-1426
采用Ca/Al/Mg合金作为器件的阴极,基于红绿/蓝双发光层制作了6种白色磷光OLED器件,器件结构为ITO/MoO3 (30 nm)/NPB (40 nm)/mCP:Firpic (8%,40 nm)/CBP:R-4B (2%):Ir(ppy)3 (14%,5 nm)/TPBi (10 nm)/Alq3(40 nm)/Ca:Al:Mg (x%,100 nm) (x=0,5,10,15,20,25)。通过改变Mg的掺杂比例,研究了不同比例的Ca/Al/Mg合金阴极对器件性能的影响。结果表明:Mg质量分数为15%的Ca/Al/Mg阴极具有良好的电子注入特性,有效改善了器件的发光特性,最大发光亮度可达1 504 cd/m2,效率达到最大值14.3 cd/A,色坐标接近(0.46, 0.42)。  相似文献   

12.
通过含苯氧基团的苯基酞嗪衍生物配体与IrCl3一步反应生成了三环铱配合物Ir(mppppz)3。在480 nm光激发下其二氯甲烷溶液的发光波长为608 nm,量子产率约为0.31,磷光寿命为268 ns,其纯固态发光波长为640 nm。配合物的HOMO能级为5.14 eV,LUMO能级为2.91 eV。当Ir(mppppz)3以2%的质量分数掺杂于PVK-PBD中做成电致发光器件后,电致发光波长为616 nm。器件的启亮电压为3.9 V,最大外量子效率为1.48%,最大亮度为1 030 cd/m2,对应的流明效率为0.81 cd/A,所发出的光的色坐标是(0.64, 0.35),接近标准红色。  相似文献   

13.
针对载流子在面式-三(2-苯基吡啶基-N,C2’)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)3)上的聚集会对器件性能产生不良影响,在发光层中分别掺入4% 的双(2-(4,6-二氟苯基)吡啶基-N,C2’)铱(Ⅲ)(吡啶-2-羧基)配合物(FIrpic)和4% 的4,4’,4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),器件的性能有明显的提高,最高电流效率分别达到51 cd/A和43.1 cd/A,提高约79%和50%,我们将器件效率的提高归因于TCTA和FIrpic可以使聚集在Ir(ppy)3界面的空穴向主体材料4,4’-二(咔唑-9-基)联苯(CBP)转移,进而可减弱对激子的猝灭作用。  相似文献   

14.
唐晓庆  于军胜  李璐  王军  蒋亚东 《物理学报》2008,57(10):6620-6626
通过对一种新型贵金属铱的配合物磷光材料(pbi)2Ir(acac)与咔唑共聚物进行物理掺杂, 制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/poly(N-vinylcarbazole)(PVK): (pbi)2Ir(acac)(x)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)(20nm)/8-Hydroxyquinoline aluminum(Alq3)(10nm)/Mg:Ag的聚合物电致磷光器件,研究了磷光聚合物掺杂体系在低掺杂浓度时(0.1%和0.5%(质量百分数,全文同))的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性. 结果表明, 该掺杂体系的PL光谱和EL光谱中均同时存在主体材料PVK与磷光客体(pbi)2Ir(acac)的发光光谱, 但主客体的发射强度不同,推测该掺杂体系在电致发光条件下, 同时存在主体材料到客体的不完全的能量传递和载流子直接俘获过程. 磷光掺杂浓度为0.1%的器件在19V电压下实现了白光发射, 色坐标为(0.32, 0.38), 掺杂浓度为0.5%的器件在20.6V电压下的最大发光亮度为11827 cd·m-2, 而在13.4V电压下的最大流明效率为4.13 cd·A-1. 关键词: 有机电致发光器件 铱配合物磷光 聚合物掺杂  相似文献   

15.
合成了一种新型的室温天蓝色磷光发射材料双(2-二苯基磷苯基)醚碘合铜(Ⅰ)([(POP)CuI]2)配合物。通过红外光谱、X-射线单晶衍射确定其分子结构,并对其光电特性进行了详细研究。结果表明:[(POP)CuI]2为二聚体结构,主要吸收峰为227,268,291 nm,最大发射峰为475 nm,光学带隙为2.93 eV。以[(POP)CuI]2作为客体掺杂在主体CBP中作为发光层,制备了结构为ITO/NPB(30 nm)/CBP∶[(POP)CuⅠ]2(30 nm,8%)/BAlq(10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的器件,其电致发光峰为476 nm,最大亮度为9 539 cd/m2,最大电流效率为1.9 cd/A。  相似文献   

16.
具有穿插界面结构的高效绿光有机电致磷光器件   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
以传统有机电致磷光器件ITO/NPB/CBP∶Ir(ppy)3/BAlq/Alq3/LiF/Al为研究对象,在NPB/CBP∶Ir(ppy)3、CBP∶Ir(ppy)3/BAlq及BAlq/Alq3界面处构造交互穿插结构。器件的光电性能测试表明:交互穿插结构一方面能够降低电流密度,减少高电流密度下磷光猝灭中心的形成;另一方面能增加载流子复合界面面积,从而分散界面三线态激子,降低三线态-三线态激子的猝灭。此外,界面凸起的存在还有利于器件的光耦合输出。实验结果表明:当穿插厚度为10 nm,器件的最大电流效率达到34.0 cd/A,与传统器件的电流效率18.7 cd/A相比,提高了55%。  相似文献   

17.
荧光染料掺杂的高效率、高亮度白色有机电致发光器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
张刚  田晓萃  高永慧  常喜  汪津  姜文龙  张希艳 《发光学报》2013,34(12):1603-1606
制备了结构为 ITO/NPB(30 nm)/Rubrene(0.2 nm)/CBP:Bczvbi(8 nm,x%)/Bphen(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件。研究了Bczvbi掺杂浓度(x=5,10,15)对白光器件性能的影响。综合利用发光层中主客体之间的能量转移和空穴阻挡层的空穴阻挡特性,得到了高效率、高亮度的白色有机电致发光器件。当Bczvbi的掺杂质量分数为10%时,器件的效率和亮度都为最大。驱动电压为7 V时,最大电流效率为4.61 cd/A;驱动电压为9 V时,最大亮度为21 240 cd/m2。当驱动电压从4 V增加到9 V时,色坐标从(0.36,0.38)变化为(0.27,0.29),均处于白光区域。  相似文献   

18.
不同主体材料对红色磷光OLED器件性能的影响   总被引:6,自引:3,他引:3       下载免费PDF全文
制作了结构为ITO/2T-NATA (20 nm)/NPB(60 nm)/Zn(BTZ)2 : Ir(DBQ)2(acac) (80 nm)/Alq3(70 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的红光器件,其中2T-NATA是4,4',4″-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine,NPB是N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, Zn(BTZ)2是Bis-(2-(2-hydroxyphenyl) benzothiazole)zinc,Ir(DBQ)2(acac)是iridium complex,Alq3 是tris(8-hydroxyquinolato)aluminum。基于Ir(DBQ)2(acac) 掺杂的Zn(BTZ)2体系的器件给出最高电致发光(EL)性能。结果显示:10%Ir(DBQ)2-(acac) 掺杂Zn(BTZ)2器件的亮度和效率分别为25 000 cd/m2和12 cd/A,其相应的EL峰位于620 nm,色坐标(x=0.63,y=0.37)。由于未使用激子阻挡层,所以,比通常磷光器件的制作工艺简单并且操作过程容易控制。  相似文献   

19.
采用不同的真空热梯度升华条件,获得了不同纯度的乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱Ir(ppy)2(acac)。以不同纯度Ir(ppy)2(acac)为客体材料,制备了结构为ITO:MoO3/CBP/CBP:Ir(ppy)2(acac)/TPBi/LiF:Al的有机发光二极管(OLEDs),其中CBP和TPBi分别是4,4'-二(9-咔唑)联苯和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。评价了不同纯度磷光铱配合物制备的器件的电致发光性能,探索了磷光铱配合物纯度对器件性能的影响。结果表明:Ir(ppy)2(acac)升华后可以提高器件的稳定性,纯度高的材料可以在较低的掺杂浓度下获得较高的发光效率。  相似文献   

20.
本文以Sr(NO32和水为原料,采用水热法合成了一种新型的Sr(NO32结构。利用X-射线单晶衍射对其结构进行了测定,结果表明:该晶体属于立方晶系,Pa-3空间群,α=b=c=0.77402(7)nm,α=β=γ=90.00°,V=0.46372(7)nm3,Z=4,Dc=3.031g/cm3,F(000)=400,Rgt(F)=0.0287,wRref(F2)=0.0888。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号