Eu^2＋：Sr9Ca（PO4）6Cl2中的新型色心及其光激励发光

本文报道了Ｅｕ＾２＋：Ｓｒ９Ｃａ（ＰＯ４）６Ｃｌ２的新型色心。它的吸收带主峰分别位于７０８，７８５，８４５及９９０ｎｍ。用对应于Ｆ心吸收带和这些吸收带波长的光束分别激励样品时得到相同的光激励发光。通过对比研究表明，这些吸收带是由Ｆ心的缔合中心，即由ＦＡ心产生的。由于这些色心的吸收带偏离Ｅｕ＾２＋的发射波长（４５０ｎｍ）更远，故更适应于Ｅｕ＾２＋：Ｓｒ９Ｃａ（ＰＯ４）６Ｃｌ２光波励发光的研究和开发。     

CaS:Cu~+,Eu~(2+)的光致发光及其在农业生产中的应用

研究了Ｃｕ＋，Ｅｕ２＋共激活的ＣａＳ的发光性质及激活剂浓度与荧光性质的关系．Ｃｕ＋和Ｅｕ２＋的发射光谱分别在４３０ｎｍ附近及６３０ｎｍ附近，它们是由Ｃｕ，Ｃａ－Ｖｓ２＋中心的离子发射和Ｅｕ２＋的５ｄ－４ｆ跃迁发射产生的．实验结果表明，Ｃｕ＋对Ｅｕ２＋荧光发射有较强的敏化作用，Ｅｕ２＋对Ｃｕ＋发射峰值波长和强度也有显著影响；单掺Ｅｕ２＋或Ｃｕ＋的荧光粉是良好的农用薄膜红，蓝光转换剂，共掺Ｅｕ２＋和Ｃｕ＋的ＣａＳ荧光粉作光转换农膜添加剂可望人工模拟叶绿素的吸收光谱，使作物在植物最佳生长作用光谱环境中生长，促使作物早熟或提高作物产量     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递

首次合成了Ｃｅ＾３＋和Ｅｕ＾２＋共激活氯硅酸镁钙Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋，Ｅｕ＾２＋高效绿色荧光粉，报道了它们的漫反射光谱、激发和发射光，观察到氯硅酸镁钙中Ｃｅ＾３＋ Ｅｕ＾２＋     

MAl2O4：Eu^2＋,RE^3＋,长余辉发光性质的研究

研究鳞石英结构碱土铝酸盐ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋,ＲＥ＾＋（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ：ＲＥ＝Ｙ,Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｍ,Ｙｂ,Ｌｕ）的荧光及长余辉发光性质。其发光由Ｅｕ＾２＋的４ｆ－５ｄ跃迁产生。ＲＥ＾３＋作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用ＲＥ＾３＋的特性波长激发,在ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾３＋的发光中也观察不到ＲＥ＾３     

Ba1—x—yEuxGdyMgF4＋y复合氟化物中Eu^2＋离子的f—f跃迁线谱发射

报道了Ｇｄ＾３＋与Ｅｕ＾２＋共掺杂的钡镁复合氟化物在室温下的发射光谱中，不仅存在Ｅｕ＾２＋的带状发射，而且还出现了Ｅｕ＾２＋的４ｆ（＾６Ｐ７／２）－４ｆ（＾８Ｓ７／２）线谱发射，在该体系中，由于Ｇｄ＾３＋掺入后，诱导出一另一种Ｅｕ＾２＋的线谱发射中心，两种Ｅｕ＾２＋发射中心的激发光谱明显不同，ｆ－ｆ跃迁线谱发射的强度与Ｇｄ＾３＋及Ｅｕ＾２＋的浓度密切相关。     

SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋荧光材料的发光性质

我们在本文中制作了五种不同ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋和Ｄｙ＾３＋的样品。样品分别是ＳｒＡｌ２Ｏ４基质的α相和β相的粉末和片状样品,以及单晶样品。我们对所有样品进行了形貌的ＳＥＭ研究。我们还对α相和β相粉末样品及片状样品以及α相单晶样品的荧光发射谱进行了测量。它们的荧光发射的中心波长为５２０ｎｍ,对应于ＳｒＡｌ２Ｏ４基质中的Ｅｕ＾２＋的４ｆ＾６５ｄ＾１的＾２ｅｇ激发态到４ｆ＾７的＾８Ｓ７／２的跃迁发     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3＋离子的宽带发射光谱

首次报道在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ＾２＋,Ｍ＝Ａｌ＾３＋,Ｇａ＾３＋,Ｓｃ＾３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ＾３＋离子室温下的红－近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ＾３＋→Ｇａ＾３＋→Ｓｃ＾３＋和十二面体格位上的Ｃｄ＾２＋→Ｃａ＾２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ＾３＋离子的＾４Ｔ２→＾４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。     

NH4Cl作助熔剂合成CaS：Ce的光谱特性及其浓度效应

以ＮＨ４Ｃｌ作助溶剂，碳还原硫酸钙的方法合成了ＣａＳ：Ｃｅ。在紫外光激发下，ＣａＳ：Ｃｅ中存在着Ｃｅ＾３＋的＾２Ｄ－＾２Ｆ５／２（５００ｎｍ）和＾２Ｄ－＾２Ｆ７／２（５５０ｎｍ）跃迁发射，但在蓝色光激发下，只有波峰为５３２ｎｍ半宽度为９２ｎｍ的宽带发射。当Ｃｅ＾３＋的浓度为０．０７５ｍｏｌ％时，＾２Ｄ－＾２Ｆ５／２跃迁发射强度与＾２Ｄ－＾２Ｆ７／２跃迁发射强度相等，而５３２ｎｍ发射猝灭。     

Ca3MgSi2O8中Ce3+的光谱及其晶体学格位

本文合成了发射蓝紫色光的镁硅钙石Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｃｅ＾３＋荧光体。测试了该荧光体的激发和发射光谱。利用这些光谱结果和Ｖａｍ Ｕｉｔｅｒｔ经验公式,结合对Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８晶体的结构研究,确认Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ３：Ｃｅ＾３＋中存在两种性质有差异的Ｃｅ＾３＋发光中心,它们分别占据基质中的两种八配位的钙格位。     

Synthesis and Spectroscopic Properties of GdAl3(BO3)4 Poly-crystals Codoped with Yb3+ and Eu3+

GdAl3(BO3)4 polycrystals co-doped with Yb3+ and Eu3+ has been synthesised by combustion method with urea. Upon the excitation at 465 nm (Eu3+/7F6-->5D2 transition), emission bands centered at 590, 613, 697 and 702 nm in the wavelength region of 550-750 nm have clearly been observed, assigned to the electronic transitions of 5D0-->7FJ (J=1, 2, 4 and 5) of Eu3+ ions, respectively. Meanwhile, an intense emission centred at 980 nm along with a shoulder at 1,040 nm has also been observed by exploiting a cross-relaxation process between the transitions of Eu3+/5D0-->7F6 and Yb3+/2F7/2-->2F5/2. On the contrary, an intense red up-conversion emission centred at 613 nm originated from the 5D0-->7F2 transition of Eu3+ has been observed upon excitation with 980 nm laser diode. The quadratic dependence of the red up-conversion intensity on the pump-laser power reveals a cooperative energy transfer mechanism from a pair of Yb3+ ions to one Eu3+ ion.     

电荷补偿对Sr2SiO4∶Eu3+材料光谱特性的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4∶Eu3+发光材料.测量了Sr2SiO4∶Eu3+材料的激发与发射光谱,发射光谱主峰位于618 nm处;监测618 nm发射峰时,所得材料的激发光谱主峰分别为320 nm、397 nm、464 nm和518 nm.研究了Sr2SiO4∶Eu3+材料发射峰强度随电荷补偿剂Li+、Na+和K+掺杂浓度的变化情况.结果显示,随电荷补偿剂浓度的增大,材料发射峰强度均表现出先增大后减小的趋势,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,补偿剂Li+、Na+和K+的浓度分别为8 mol%、7.5 mol%和7 mol%.     

Ba2+掺杂对Sr3Al2O6:Eu2+红色荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法合成了(Sr1-x-yBax)3Al2O6∶3yEu2+红色荧光材料,通过XRD、荧光光谱和热稳定性测试分析,分别研究了Eu2+、Ba2+掺杂对样品的晶体结构、发光性能和热稳定性的影响。XRD测试结果表明,在1 200℃保温3 h条件下合成了具有立方晶体结构、空间群为Pa3的Sr3Al2O6纯相样品,Eu2+、Ba2+的掺入并没有改变其基质晶格的结构类型。荧光光谱分析表明,Eu2+的摩尔分数为4%时,(Sr0.98-yBa0.02)3Al2O6∶3yEu2+样品的发射峰最强,Ba2+的掺入使样品的发射峰发生红移而发射强度降低,且随Ba2+浓度的增加红移越发明显。此外,Ba2+的掺杂提高了Sr3Al2O6∶Eu2+样品的热稳定性。     

高压合成的硼酸锶掺Eu2+离子发光特性的研究

 本文首次采用高压方法合成了Sr₃B₂O₆:Eu²⁺、Sr₂B₂O₅:Eu²⁺、SrB₄O₇:Eu²⁺一系列硼酸盐，研究了它们和SrB₂O₄:Eu²⁺的常压与高压合成产物的发光光谱、强度及效率的变化，以及发光与其结构的关系。由于硼酸盐在高压处理后，结构发生变化，因而光谱及发光强度均有所改变。尤其对SrB₂O₄:Eu²⁺，在适当的合成压力条件及一定的激光条件下，其量子发光效率比常压提高80倍以上。     

白光LED用红色发光粉LiGd(MoO_4))2:Eu~(3+)的制备和发光特性

采用高温固相法制备了LiGd1-xEux(MoO4)2钼酸盐红色发光粉,利用XRD和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外光(395nm)有效激发,产生Eu3+的5D0→7F2特征跃迁红光发射(616nm)。x=0.4时,即LiGd0.6Eu0.4(MoO4)2样品的发光强度超过商用红粉Y2O2S:Eu3+发光强度的5倍,虽然比未加入Gd样品LiEu(MoO4)2的发光强度略低,但LiGd0.6Eu0.4-(MoO4)2样品的组分中却减少了60%的Eu用量,明显降低了原料成本,更具实用价值,有希望成为白光发光二极管的红色发光材料。     

紫外激发的LiCaPO_4:Eu~(2+)蓝色发光粉的发光特性

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相似的LiSrPO4:Eu2+和NaBaPO4:Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250～440nm光有效激发,这与紫外发光二极管的发射光谱(350～410nm)匹配。考察了Eu2+的掺杂浓度对发光强度的影响,最佳掺杂摩尔分数为5%,摩尔分数超过5%后发生猝灭现象。浓度猝灭机理为电多极-电多极的交互作用。LiCaPO4:Eu2+是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光粉。     

白光LED用单基质荧光粉BaSrMg( PO4)2∶Eu2+的制备及发光性能研究

采用高温固相反应法在1 200℃下制备了 Eu2+激活的BaSrMg( PO4)2高亮度白光荧光粉,并对其晶体结构和发光性能进行了研究.荧光光谱研究表明该荧光粉的发射光谱由两个谱带组成,其中心分别位于424和585 nm处,归结为Eu2+分别占据了基质中Sr2+,Ba2+格位而导致的4f 65d1→4f7电子跃迁.两个...     

镓置换铝对SrAl2Si2O8∶Eu2+晶体结构和发光特性的影响

采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2－xGaxSi2O8∶Eu2+ (x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换铝Al3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+进入SrAl2Si2O8晶格与Al3+发生类质同相替代使晶胞参量a、b、c、β和晶胞体积V都随Ga3+置换量呈线性增大,表明形成了连续固溶体.镓置换铝对晶胞参量c的影响最明显,b其次,a最小.Eu2+的宽带激发光谱位于230～400 nm,表观峰值位于350 nm,可由267 nm、305 nm、350 nm和375 nm四个峰拟合而成.随着镓置换量增加,较短波长的三个激发峰发生红移并且267 nm和350 nm峰强度减弱,305 nm峰强度明显增强,375 nm峰位和强度基本不变,表观激发峰半高宽由109 nm减小至98 nm,基本不随镓置换量变化.发射光谱位于380～600 nm为不对称宽带,可由406 nm和441 nm两峰拟合而成并且随Ga3+置换量增加线性红移,拟合发射光谱峰面积之比线性递增,Ga3+进入晶格对较长波长发射中心影响较大.Ga3+置换量为1.0 mol时,表观发射峰位从407 nm线性红移至422 nm,表观峰值随Ga3+置换量线性增大,半高宽由58 nm增加至79 nm.镓置换铝造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移.     

掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析

通过共沉淀法制备了红色荧光粉Gd_2-xEu_x(MoO₄)₃,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对所制备的样品进行结构表征分析,讨论了不同掺杂量下合成的荧光材料的发光性质。研究结果表明:所制备的Gd_2-xEu_x(MoO₄)₃红色荧光粉的三处激发峰分别位于394,465,534 nm。发射光谱中在589 nm和613 nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于613 nm左右,与Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂跃迁对应。随着Eu³⁺掺杂量的增加,所合成的荧光粉的发光强度逐渐增强。在三组实验结果中,Gd_1.4Eu_0.6(MoO₄)₃(x=0.6)的发光强度最强。     

Zn1-x Mo1-ySiyO4∶Eu3+x红色荧光粉的合成及发光性能研究

通过固相法合成LED用Zn1-xMo1-ySiyO4∶Eu3+x红色荧光粉(0.05≤x≤0.30, 0≤y≤0.09), 讨论了助熔剂、温度等合成条件对Zn1-xMo1-ySiyO4∶Eu3+x荧光粉发光性质的影响。 当烧结温度为800 ℃时, 可以生成ZnMoO4纯相目标产物。 由于荧光粉的结晶度和粒径随烧结温度的升高而增大, 所以随着烧结温度的升高, 样品的发光强度有所提高; 当助熔剂Na2CO3的用量约为4%时的样品发射光的强度比未使用助熔剂时明显增强, 说明在此体系中, 当Eu3+取代Zn2+时, Na2CO3充当助熔剂的同时, Na+起到了电荷补偿作用。 荧光光谱实验显示Zn1-xMo1-ySiyO4∶Eu3+x能够被393和464 nm的紫外光激发, 在616 nm处发出强烈的红色荧光。 当Eu3+掺杂量约为20% mol时, Zn1-xMo0.97Si0.03O4∶Eu3+x荧光粉在616 nm处的发光强度达到最大。 在引入Si4+离子后能显著增强Zn1-xMoO4∶Eu3+x的发光强度, 组成为Zn0.80Mo0.97Si0.03O4∶Eu3+0.20样品（激发峰值为393 nm）的荧光强度要比Y2O2S∶Eu3+0.05荧光粉的发光强度强2倍。 所以这种荧光物质能够更好地适用于白光LED。