He/Ar/Kr/F_2混合气体中准分子KrF~*和Kr_2F~*的动力学研究

本文用时间积分谱的方法研究了快放电激励下He/Ar/Kr/F_2混合气体中Kr_2F~*的动力学,探讨了Kr_2F~*形成的通道特性,理论分析和实验结果表明,在快放电激励下,三体碰撞过程KrF~* Kr M→Kr_2F~* M是形成Kr_2F~*的主要通道,而置换反应ArF~* Kr→KrF~* Ar又能有效地产生KrF~*。实验测量了Kr_2F~*形成的有关速率常数。     

快放电激励下准分子ArF*和Ar2F*时间谱的研究

本文通过对快放电激励下He/Ar/F₂混合气体中ArF^*,Ar₂F^*时间分辨谱的研究,探讨了准分子ArF^*和Ar₂F^*的形成和猝灭动力学过程。分析表明,ArF^*的时间衰减过程由生成它的主要前态Ar^*的时间变化过程决定,而Ar₂F^*的时间衰减过程则取决于它自己的有效寿命 关键词：     

Ar_2F~*形成过程的通道特性研究

本文分析了快速电激励的Ar/He/F_2混合气体中的反应动力学过程,在简化的模型下,给出了能表达通道特性的动力学过程的数学描述.由实验数据与理论模似计算结果的比较,研究了Ar_2F形成过程的通道特性.     

He/Ar/Kr/F2混合气体中准分子KrF*和Kr2F*的动力学研究

本文用时间积分谱的方法研究了快放电激励下He/Ar/Kr/F₂混合气体中Kr₂F^*的动力学,探讨了Kr₂F^*形成的通道特性,理论分析和实验结果表明,在快放电激励下,三体碰撞过程KrF^*+Kr+M→Kr₂F^*+M是形成Kr₂F^*的主要通道,而置换反应ArF^*+Kr→KrF^*+Ar又能有效地产生KrF^*。实验测量了Kr₂F^*形成的有关速率常数。 关键词：     

双电荷离子Ar^2＋与He,Ne原子碰撞中的发射截面

双电荷离子Ar~(2 )和He、Ne原子碰撞中,存在着三种碰撞激发过程,一是双电子俘获激发过程,二是单电子俘获激发过程,三是直接激发过程。实验用光学多道分析系统(OMA)对这些过程进行了光学测量,得到了ArⅠ、ArⅡ、NeⅠ、NeⅡ、HeⅠ、HeⅡ谱线的发射截面,并对这些发射截面进行了比较,发现在入射离子速度相同的情况下,Ar~(2 ) Ne碰撞体系的发射截面要比Ar(2 ) He碰撞体系的大。OMA的光谱波长范围是200—800um。入射离子Ar(2 )的能量范围是140—340keV。     

二硫化碳和乙二醛荧光的磁猝灭

双重态和三重态发射荧光的磁猝灭早已在碘分子和二氧化氮分子中观察到了。我们研究了磁场对二硫化碳和乙二醛分子的发射的影响,并第一次观察到了激发单重态发射荧光的磁猝灭。 用N_2激光器研究了磁场对CS_2分子的~1A_2(0,5,0)态发射的强度F和寿命τ的影响。磁场对τ和F/F_0(F_0和F分别是未加磁场和加了磁场的积分发射强度)的影响是相互平行的。在～13KG磁场中,τ和F/F_0大约都减少一半。这意味着磁场增强了无辐射能量传递过程。     

α-Ba_3Y(BO_3)_3∶Dy~(3+)荧光粉的合成及其发光性能（英文）

采用传统的固相法成功合成了一系列α-Ba_3Y(BO_3)_3∶Dy~(3+)荧光粉,使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(FL)和寿命衰减曲线等对样品进行表征。结果表明:在近紫外/蓝光激发下,样品的发射光谱主要包含黄(577 nm)、蓝(488 nm)两个发射峰组成,分别对应电子跃迁~4F_(9/2)→~6H_(1 3/2)和~4F_(9/2)→~6H_(1 5/2)。最佳合成温度为1 100℃,该条件下合成的样品具有纯相、最大结晶度和最大发光强度。研究了荧光粉的浓度猝灭效应,猝灭机理主要是dipole-dipole interaction,同时exchange interaction无法忽略,临界摩尔分数为0.07。样品的寿命衰减曲线为二次指数型,这与Ba_3Y(BO_3)_3特有的晶格结构有直接关系。α-Ba_3Y(BO_3)_3∶Dy~(3+)荧光粉有应用于荧光转换型白光LED照明的潜力。     

Y2O2S纳米晶中Tb3+发光的浓度猝灭

制备了Tb^3 浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2O2S。由于表面态对发光的猝灭作用,Tb^3 离子^5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短,研究了^5D3和^5D4能级发光的浓度猝灭,发光强度与浓度的关系以及发光的衰减曲线都表明：^5D3的浓度猝灭是电偶极－电偶极相互作用引起的,而^5D4的浓度猝灭是交换相互作用引起的。     

Sm_xLa_(1-x)P_5O_(14)和Dy_xY_(1-x)P_5O_(14)晶体的荧光寿命研究

本文用脉冲衰减法和时间分辨荧光光谱法测量了六种不同稀土离子浓度的Sm_xLa_(1-x)P_5O_4晶体的~4G_(5/2)→~6H_J(J=5/2,7/2,9/2,11/2)四个能级和七种不同稀土离子浓度的Dy_xY_(1-x)P_5O_(14)晶体的~4F_(9/2)→~6H_J(J=15/2,13/2,11/2,9/2)四个能级的荧光寿命和荧光强度。结果指出,在这类晶体中,Sm~(3+)和Dy~(3+)的荧光寿命随着离子的浓度增加而变短,存在着严重的荧光浓度猝灭现象。最后还讨论了浓度与寿命,寿命与荧光强度的关系。     

等离子体破裂期间电流猝灭特征研究

等离子体破裂会对托卡马克装置的安全运行造成严重威胁.等离子体破裂期间电流猝灭速率与电磁负载的大小及逃逸电流平台的形成都密切相关.本文对HL-2A装置等离子体破裂进行了统计分析,统计选用等离子电流的两个衰减区间90%-10%和80%-20%.分析结果表明:HL-2A装置等离子体破裂有四种不同的电流猝灭波形,两个衰减区间最小电流猝灭时间的参数区分别为2.6 ms和2.2 ms,并且不同衰减区间下平均电流猝灭时间统计分布明显不同.     

Rb(5 P_J)+(He、N_2)碰撞能量转移

在气体样品池条件下,研究了Rb(5PJ) (He、N2)碰撞能量转移过程.调频半导体激光器稍微调离共振线,激发Rb原子至Rb(5P3/2)态,在不同的He或N2气压下,测量了直接5P3/2→5S1/2荧光和转移5P1/2→5S1/2荧光.对于5PJ与He的碰撞.电子态能量仅能转移为He原子的平动能.在与N2的碰撞中,向分子振转态的转移是重要的.利用速率方程分析,可以得到碰撞转移速率系数,对于He,5P3/2→5S1/2转移速率系数为2.23×10-12cm3s-1.对于N2,测量5PJ He和5PJ N2二种情况下荧光的相对强度比,利用最小二乘法确定5P3/2→5S1/2转移速率系数为4.38×10-11cm3s-1,5PJ态猝灭速率系数为5.45×10-11cm3s-1.与其他实验结果进行了比较.     

离子和原子碰撞发射光谱

本实验利用光学多道分析系统(OMA)对He~++Ne,He~++Ar,Ne~++He,Ne~++Ar,Ar~++He和Ar~++Ne六个碰撞体系的发射光谱进行了测量,并对这些离子和原子碰撞过程中所产生的激发态进行了研究。实验证明:在六个碰撞体系中都存在着两个激发过程,一是电子俘获激发过程,另一是直接激发过程。本文还说明了从测量得到的发射光谱,由标准光源定标,可以确定绝对发射截面和激发截面,以及可以研究粒子数反转控制,寻找新的激光光源。     

Ar~+离子和He、Ne原子碰撞过程中的激发态和发射截面

在Ar~+离子和He、Ne原子碰撞中,存在着两种激发过程;一种是电子俘获激发过程,另一种是直接激发过程。本实验用光学多道分析系统(OMA)对所产生的丰富的光谱信息进行了光学测量,得到了ArⅠ、ArⅡ、NeⅠNeⅡ和HeⅠ的发射光谱,并分别给出了上述谱线的发射截面。     

空穴传输材料对CdSe核壳量子点的荧光影响

用稳态光谱和时间分辨光谱技术研究了空穴传输材料对CdSe/ZnSe 与CdSe/ZnS核壳量子点的荧光影响。结果表明,空穴传输材料对量子点有较强的猝灭作用,随空穴传输材料分子浓度的增加,量子点的荧光强度明显地被猝灭,同时量子点的荧光寿命也被减短。两种不同空穴传输分子对CdSe/ZnSe量子点的荧光猝灭明显不同。在与相同空穴传输分子相互作用时,包覆ZnS壳层的CdSe核壳量子点荧光猝灭效率明显低于包覆ZnSe壳层的CdSe核壳量子点。量子点的荧光猝灭过程可以解释为静态猝灭和动态猝灭过程,其中静态猝灭来源于量子点表面与空穴传输材料间相互作用,而动态猝灭则主要来源于量子点到空穴传输材料的空穴转移过程。实验结果表明空穴传输材料的种类以及核壳量子点的壳层结构都对其荧光猝灭效应起关键作用。     

变温下Y2O3∶Eu3+纳米晶的荧光光谱和动力学过程

通过分析影响Y2O3:Eu3+在488nm激光激发下的5D0→7F2变温荧光发射强度的因素,建立起公式并对实验数据进行拟合,得到纳米晶的温度猝灭速率大于体材料的温度猝灭速率.测得Y2O3:Eu3+纳米晶和体材料的5D0→7F2发射峰的变温线宽,通过内应力和量子限域效应对其不同进行了解释.测量了Y2O3:Eu3+在共振激发下的5D0能级的荧光衰减时间随温度的变化,又利用公式对其进行拟合,得出了相比于体材料,纳米晶的辐射跃迁速率和无辐射跃迁速率均增大,但量子效率变小的结论.然后利用晶格畸变和表面态效应对上述结 关键词： 温度猝灭 Y2O3:Eu3+纳米晶 荧光衰减 线宽     

Li(2P)+H_2→LiH+H反应截面的测量

在样品池条件下,用脉冲激光670.8 nm线激发Li原子基态至2P态,测量了的反应碰撞能量转移截面。池温保持在888 K,Li原子密度为10~(13)cm~(-3)量级,而H_2气压控制在60～300 Pa之间,测量时间分辨荧光光谱,它由两部分组成,在脉冲激光激发的瞬间(不超过10 ns),荧光迅速增强至最大值;激发结束后,荧光强度按指数衰减,由衰减曲线得到2P态原子在不同H_2气压下的有效寿命。根据Stern-Volmer方程,有效寿命与H_2气压成线性关系,由该直线的斜率给出了总的猝灭截面(25.1±4.0)×10~(-16)cm~2,而从直线的截距得到辐射寿命为(270±54)ns。总的猝灭截面是反应与非反应碰撞截面之和,由在不同H_2气压下记录的瞬态(10 ns)荧光快速增强信号得到反应截面为(0.2±0.1)×10~(-16)cm~2,虽只占总猝灭截面的1/125,但它在Li(2P)+H_2的碰撞传能中所起的作用是不能略去的。     

基于猝灭荧光素的一种TCSPC仪器响应函数测量方法

根据荧光物质的动态猝灭作用原理,将碘化钠饱和水溶液与碱性荧光素水溶液按照特定的比例混合,利用时间分辨设备测量猝灭后的荧光素荧光寿命。实验观察到随着碘化钠饱和溶液浓度的增加,测量得到的荧光寿命逐步从4 ns减小至24 ps左右。如将猝灭荧光素作为仪器响应函数的标准样品,与通常作为标准样品的二氧化硅纳米颗粒悬浮液进行对比,实验结果显示两者非常吻合,表明猝灭荧光素可以作为荧光衰减测试中的标准样品,进一步研究发现这种新的标准样品一方面避免了传统测量手段中需要在不同探测波长反复测量仪器时间响应函数的问题,更有效地减小了实验中颜色效应造成的实验误差。有望在时间分辨荧光光谱和荧光寿命成像等研究中得到应用。     

聚乙烯亚胺包覆的CdZnTe量子点荧光探针测定痕量Pb~(2+)

在水相中制备了聚乙烯亚胺(PEI)包裹的水溶性PEI-CdZnTe量子点。研究了反应时间,酸度及不同常见金属离子对PEI-CdZnTe量子点荧光效率的影响。基于Pb~(2+)对CdZnTe量子点具有选择性荧光猝灭作用,建立了用CdZnTe量子点为探针灵敏测定痕量Pb~(2+)的新方法。研究了不同浓度Pb~(2+)对CdZnTe量子点荧光强度猝灭情况,结果表明,Pb~(2+)对CdZnTe量子点的荧光猝灭过程可以很好地用Stern-Volmer荧光猝灭方程来描述。当Pb~(2+)浓度在0.05~3.0μg·mL~(-1)范围内,CdZnTe量子点的荧光强度F_0/F与Pb~(2+)浓度之间具有较好的线性关系,线性相关系数为0.998 8,检测限为0.01μg·mL~(-1)。该量子点荧光分析方法简便快速、灵敏度高、选择性好,能够应用于实际水样中Pb~(2+)的分析与测定。     

Eu3+:Y态效应2O3纳米微粒的尺寸效应和表面的研究

通过相同掺杂浓度但不同颗粒尺寸的Eu:Y2O3纳米晶,和相同颗粒尺寸但掺杂浓度不同的纳米晶的发光衰减曲线研究了表面态和限域作用对能量传递的影响.纳米晶与体材料相比,有更高的猝灭浓度,分析了纳米材料中发光中心的猝灭浓度提高的原因.由于纳米材料与体材料相比,纳米晶中的缺陷密度很小,纳米晶中有较少的体猝灭中心.选择合适的颗粒尺寸并对其进行表面修饰,将获得较高发光效率和较高的猝灭浓度.     

Cs(8S -4F)-Ar，H2的碰撞能量转移

利用脉冲激光器双光子激发Cs-H2（或Ar）样品池中的Cs原子至8S态,研究了Cs(8S)+M→Cs(4F)+M ,(M= H2,Ar)碰撞能量转移和Cs(4F)+H2→CsH+H反应过程,建立了二能级模型的速率方程组。在不同的Ar密度下测量直接8S→6P与敏化4F→5D积分荧光强度比,得到8S→4F转移速率系数5.3×10-12cm3s-1和4F态的猝灭速率系数4.4×10-13cm3s-1。用相同的方法测得Cs－H2中8S→4F的转移速率系数为1.0×10-9cm3s-1,而4F态的猝灭速率系数1.3×10-10cm3s-1比Cs－Ar中大得多,它是反应与非反应速率系数之和。利用实验数据确定非反应速率系数为8.3×10-11cm3s-1,得出Cs（4F）与H2的反应截面为(2.0±0.8)×10-16cm3s-1。与已有的其它实验结果比较,Cs各激发态与H2的反应活动性顺序为7P>4F>6D>8S。