固液同成分点组分的LiNbO3晶体吸收边的异常紫移

本文报道了固液同成分点组分的LiNbO₃晶体的本征吸收边的异常紫移的实验结果。这一结果有助于说明,在固溶体中,固液同成分点的存在对应于晶体中最强的Nb—O键合状态。 关键词：     

固液同成分点组分LiNbO3紫外吸收边研究

本文报道了室温下,固液同成分点熔体中生长的LiNbO_3紫外光学吸收边的测量结果;并通过对晶体a~(1/2)～hv曲线的研究,肯定了4.0eV以下吸收边的间接跃迁性质;讨论了三段直线的意义;确定了禁带宽度E_9值为3.38eV.     

两相区中生长单晶的几个问题

在非同成分配比条件下.从熔态中生长单晶体的问题是十分重要的.这是由于目前正在广泛应用和探索的新型单晶材料,大都是多组元体系,往往不存在固液同成分点,或者即使存在固液同成分点,但由于配料误差,作同成分的挥发损失,容易造成体系组分偏离同成分点,单晶生长过程也将是在固-液两相区进行. 为了讨论在两相区生长单晶发生的分凝现象,Pfann[1]推导了组分分布公式;Hurle[2]推导了不产生组分过冷的条件.他们的推导是在分凝系数k为常数的假定下进行的,也就是对二元系,固相线与液相线为直线相交于某一组元熔点的情况. 本文的目的是对分凝系数不…     

外电场作用下掺杂SBN晶体的光致折射率变化

从实验上研究了不同外加直流电场作用下固液同成分的SBN:Cr和SBN:Rh晶体的光致折射率变化规律.测量结果表明:无外加电场作用时,晶体中的光致折射率变化不明显;若在光辐照晶体的同时,沿晶体c轴方向施加一定方向的外电场,则晶体中即刻出现显著的光致折射率变化.这种折射率变化随外加电场的增大而增大,并且电场方向不同,折射率变化的正负也不同.因而可以通过改变外加电场的极性和幅度控制SBN:Cr和SBN:Rh晶体中光致折射率的变化特性,这对于在该类晶体中制作动态光波导具有重要意义.     

SBN:Cr晶体中孤子诱导的实时平面光波导及其导光特性分析

通过数值模拟和实验对SBN:Cr晶体中的（1+1）维亮屏蔽空间孤子及其诱导的实时平面光波导的导光特性进行了研究.采用分步束传播法和Petviashvili迭代法对（1+1）维亮屏蔽空间孤子的特性进行了模拟.通过求解本征方程,对孤子诱导平面波导中存在的导波模式进行了数值求解.采用633 nm的He-Ne激光作为孤子诱导光束,532 nm的半导体泵浦的固体激光作为探测光,在固液同成分的SBN:Cr晶体中进行了实验研究.实验结果和数值模拟的结果符合的很好.而且结果表明SBN:Cr晶体中红光诱导的波导可以作为实时光波导.     

掺钕钇铝石榴石单晶的位错研究

在采用引上法工艺生长掺钕钇铝石榴石(YAG:Nd)单晶时,为了要得到结构完善的激光晶体,必须设法降低晶体中的位错密度。通过一系列工作,认为在晶体生长过程中,位错走向与固液界面保持垂直的关系。在由凸的固液界面形成小晶面的晶体中,位错密度低的原因是因为凸的固液界面可使晶体中心部分的位错散失在边稜以外。因此,采用合适的工艺条件:即在生长过程中有意识地改变固液界面形状,可使晶体达到既能消除小晶面,又降低位错密度的目的。     

固-液结构圆柱声子晶体中弹性波的模式和带隙

利用一维固-液结构圆柱声子晶体中弹性波横向受限的条件,推导弹性波在一维固-液结构圆柱声子晶体中各个模式满足的关系式,研究各个模式弹性波的特征.并用色散函数计算各模式弹性波的带隙随模式量子数和圆柱半径的变化规律.得出一维固-液结构圆柱声子晶体的带隙由模式量子数和圆柱半径确定.     

金属片加热区熔法单晶生长及应用

在比较现有的各种溶体生长方法的基础上,针对氕物晶体生长的特点,提出了适合均匀生长非固液同成份氧化物晶体的金属片加热区溶法,对该方法的装置、优缺点以及国内外研究现状作了详细的介绍,报道并讨论了应用铂片加热区溶法生长化学计量比铌酸锂晶体的试验及结果。     

HgCdTe液相外延薄膜组分分布和内波的产生

液相外延生长中的外延层晶体表面会出现波纹,大大降低了晶体的成材率.本文通过实验测量了同-HgCdTe外延薄膜在不同层厚时的红外透射光谱,证明在外延生长后期的相变层中存在分层流,正是分层流中的内波固化造成了外延层晶体表面的波纹.数学模型和量级估计很好地支持了外延生长中的内波成因论,指出固液密度梯度决定的分层流本征频率N、上下液层相对密度比σ对波纹的产生有决定性影响.     

外电场对SBN：Cr晶体二波耦合特性的影响及应用

对固液同成分SBN：Cr(Sr0.61Ba0.39Nb2O.6：Cr)晶体在外加直流电场作用下的光折变二波耦合特性及其应用进行了实验研究，分析了晶体的二波耦合强度增益 系数随外电场变化的趋势，并给出了实验测量结果.发现在适当的外电场作用下，晶体的光折变二波耦合增益和响 应速度可以得到一定程度的提高.进一步的研究表明，这种电场响应特性有助于改善SBN：Cr晶体的某些应用性能.利用该晶体通过光折变二波耦合非线性放大原理实现光学图像边沿增强时，通过给晶体沿轴向施加适当的外电场，可进一步提高图像边沿增强效果；在基于光 折变边沿增强预处理的联合变换相关器中，适当的外加电场可进一步改善联合变换相关器的相关识别性能. 关键词： SBN：Cr晶体 光折变二波耦合 边沿增强 联合变换相关器     

BSO晶体生长固/液边界层结构的实时观测研究

实时测量BSO晶体水平区熔法生长过程中,研究固/液边界层以及边界层两侧的晶体和熔体的显微拉曼光谱,晶体生长固/液边界层以及边界层两侧的熔体和晶体的结构特征, 生长基元结构从熔体结构经边界层过渡到晶体结构的变化过程。结果显示, BSO熔体中存在Bi₃O₄和[SiO₄]的键合结构; Bi₃O₄分子基团在固/液边界层聚合形成[BiO₇]八面体单体、多聚体,与[SiO₄]结构基团联结,在通过固／液边界层时进入格位。     

双掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的全息光学特性研究

在LiNbO3中掺入0.2 mol% MnO和0.1 mol% Fe2O3,采用顶部籽晶法生长了双掺杂近化学计量比铌酸锂晶体.紫外吸收测试结果表明,晶体成分趋近于化学计量比.采用二波耦合光路测试了晶体的光折变性能.晶体的指数增益系数达到28 cm-1,衍射效率为68.3%,响应时间为亚秒级.利用晶体进行了体全息存储实验,实验结果显示,双掺杂近化学计量比晶体的图像存储质量明显好于相同掺杂的同成分晶体,记录速度较同成分晶体提高了二个数量级.     

铌酸锂和锗酸铋单晶的生长

一、铌酸锂单晶的生长 铌酸锂单晶是采用提拉法生长的人工单晶,它属于三方晶系3m点群的晶体,是铁电、压电和电光材料.它具有高机电耦合系数、高机械品质因子和高居里点等特点.易于生长成大块单晶,能用作微声器件、高频高温超声换能器、激光的调制和倍频以及无线电的高频宽带滤波器等,是一种多用途的材料.1.生长工艺 采用国产原料,其中Nb2O5的纯度有高纯99.99%和低纯冶金级二种,Li2CO3为AR纯,配料点采用固液同成分点和克分子比1:1配制,称好的料放入橡皮衬垫的球磨罐中,加入适量的玛瑙球和蒸馏水,球磨4小时,磨完后出浆烘干,然后干压成直径…     

双掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的全息光学特性研究

在LiNbO3中掺入0.2 mol％ MnO和0.1 mol％ Fe2O3,采用顶部籽晶法生长了双掺杂近化学计量比铌酸锂晶体.紫外吸收测试结果表明,晶体成分趋近于化学计量比.采用二波耦合光路测试了晶体的光折变性能.晶体的指数增益系数达到28 cm－1,衍射效率为68.3％,响应时间为亚秒级.利用晶体进行了体全息存储实验,实验结果显示,双掺杂近化学计量比晶体的图像存储质量明显好于相同掺杂的同成分晶体,记录速度较同成分晶体提高了二个数量级.     

Pb-Sn合金固—液转变过程的内耗行为

在连续升温过程中,测量了Pb-Sn合金的内耗.实验发现：在共晶成分范围内,伴随着Pb-Sn 合金的固—液转变,内耗值出现突然下降.内耗值的下降幅度与Pb-Sn合金成分有关.固—液 转变过程中的内耗是由材料结构变化或弛豫时间变化引起的. 关键词： 内耗 固—液转变 Pb-Sn合金     

固-固无限周期声子晶体中SH波全反射隧穿的谐振理论

利用边界条件推导出SH波在一维固-固声子晶体中的转移矩阵, 得出一维固-固无限周期声子晶体中SH波的色散关系. 通过建立一维固-固无限周期声子晶体的谐振腔模型并利 用共振条件得出SH波的全反射隧穿的波长公式. 利用波长公式研究了SH波全反射隧穿的波长变化规律, 其结果与色散法一致. 解释了一维固-固无限周期声子晶体中SH波的全反射隧穿效应产生的原因. 关键词： 声子晶体 SH波 全反射隧穿 谐振理论     

同成分掺镁铌酸锂晶体紫外光致吸收阈值效应的研究

研究了同成分掺镁铌酸锂晶体中的紫外光致吸收效应。通过对不同掺Mg浓度铌酸锂晶体的紫外光致吸收系数和双色存储灵敏度的测量,发现同成分掺镁铌酸锂晶体的紫外光致吸收效应具有Mg离子浓度阈值效应。只有当掺Mg摩尔分数大于3．0％时,从近紫外一直延伸到近红外波段的紫外光致吸收效应才显示出来。这一Mg离子浓度阈值效应进一步为双色存储灵敏度的测量结果所证实。该浓度阈值小于掺镁铌酸锂晶体抗光损伤效应的摩尔分数阈值4．6％。这种紫外光致吸收现象可能和掺镁铌酸锂晶体中反位铌NbLi浓度的急剧减少基本消失有关。     

BaB_2O_4-K_2O和BaB_2O_4-K_2B_2O_4赝二元系相图的研究

用X射线衍射和差热分析方法研究了BaB_2O_4-K_2O和BaB_2O_4-K_2B_2O_4赝二元系的相平衡关系。BaB_2O_4-K_2B_2O_4属共晶体系,共晶温度为850±3℃,共晶点成分为45mol％K_2O。在BaB_2O_4-K_2O赝二元系中,一新化合物5BaB_2O_4·3K_2O在903±3℃同成份熔化,它与BaB_2O_4形成共晶体系,共晶温度为813±3℃,共晶点成分为25mol％ K_2O。另一新化合物在860±3℃由包晶反应形成,并与K_2O形成共晶体系,共晶温度为788±3℃,共晶点成分约为67.5mol％K_2O。     

夹持方式对频率转换KDP晶体面形的影响

 针对惯性约束聚变（ICF）系统中大口径超薄KDP晶体在不同夹持和不同姿态下的面形变化,采用有限元分析软件ANSYS,建立了大口径超薄KDP晶体在不同夹持和不同姿态下的应变模型及其边界条件的确定方法,计算了四周简支正面点力、四周固支正面压条、四周简支侧面点力、四周固支侧面压条4种夹持方式在30°和垂直姿态下大口径超薄KDP晶体的面形变化,并给出了面形变化的P-V值和RMS值。在此基础上,通过对不同夹持和不同姿态下KDP晶体面形变化的分析和比较,给出了四周固支正面压条是引起晶体面形变化相对较小的夹持方式的结论。     

C轴LiNbO_3晶体中的旋转孪晶

晶体中的孪晶,按其孪生对称元素一般分为反映和旋转孪晶两类.在LiNbO3晶体中,多数孪晶是反映孪晶. 本文所述的LiNbO3孪晶与常见的孪晶不同。它是从固-液同成分配方熔体中沿C轴方向提拉的.新晶是在原晶脊的晶面开始成核,沿着该晶面延伸发育,并与C轴斜交贯穿晶体(见图1). 这种少见孪晶的孪生对称元素是什么?它究竟属于哪类孪晶?我们采用X射线背射劳厄法和腐蚀法.对这些问题进行了比较详细的分析与讨论. 一、实 验 沿垂直拉晶方向将孪晶棒平行切割成三块晶片(图1中的α,β.γ), 每片都有原晶和新晶两部分。并分别用互和立表示.在各片I部分…