掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用LP-MOVPE方法及常规器件工艺制成了InP:Fe肖特基势垒增强InGaAsMSM光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于10V,2V偏压下暗电流为170nA,对应的暗电流密度约为3mA/cm²;瞬态响应中上升时间tr为21ps,半高宽FWHM为75ps.     

远红外自由电子激光装置束流传输线的设计与整体数值模拟

提出了ＣＡＥＰ（中国工程物理研究院）远红外自由电子激光装置束流传输线的设计，给出了各元件的设计参数，并进行了束流传输整体数值模拟，最后得到摇摆器入口处电子束团的主要参数：能量２ＭｅＶ，峰值电流１７Ａ，脉冲宽度１４ｐｓ（ＦＷＨＭ），束归一化发时度１４πｍｍ·ｍｒａｄ（水平）和５πｍｍ·ｍｒａｄ（垂直），束团整体能散度１．２７％，束归一化亮度５×１０￣（１０）Ａ／ｍ￣２·ｒａｄ￣２。整体数值模拟结果表明：电子束品质完全满足摇摆器的要求。     

金M带谱时空特性测量

给出了金Ｍ带发射的空间尺度和时间尺度。用晶体配软Ｘ光条纹相机测得三倍频激光与金平面靶相互作用金Ｍ带发射的时间尺度：ＥＬ＝４６Ｊ，τ＝５７１ｐｓ时，金Ｍ带发射持续时间（ＦＷＨＭ）～８５０ｐｓ。用狭缝配晶体谱仪测得金Ｍ带发射的空间尺度：λ＝１．０６μｍ，ＥＬ＝１０６Ｊ，τ＝５５０ｐｓ时，金Ｍ带发射的空间尺度（ＦＷＨＭ）为５７μｍ；λ＝０．３５μｍ，ＥＬ＝２５～３８Ｊ，τ＝４８０～５７０ｐｓ时，金Ｍ带发射的空间尺度（ＦＷＨＭ）为２７～３９μｍ。     

低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究

采用低电阻率为Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合层制备了出低压驱动Ｚｎｓ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下，当驱动电压为６０Ｖ，频率为５０Ｈｚ，发光亮度在２００ｃｄ／ｍ＾２以上，这种器件具有其独特的亮度－电压特性和电荷存储量－电压特性，利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷，电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性，并对低压驱动薄膜电致发光机理，亮度     

硅基波导与GeSi／Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制

用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＾＋／ｎ Ｓｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电集成，５Ｖ偏压下ＰＩＮ控制器的最小暗电流为０．８μＡ，最大光响应电流为２．７μＡ，最大总量子效率为１４％，工作波长为λ＝１．３μｍ。     

光激电流谱的测试

用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

百焦耳KrF激光用二极管的实验

描述了脉宽１００ｎｓ强流脉冲电子束单向泵浦百焦耳级ＫｒＦ准分子激光用大面积二极管的实验研究。采用１２ｃｍ×７５ｃｍ长方形碳毡阴极，３０μｍ厚铝膜或九根间距１３ｍｍ，直径１．３ｍｍ的金属丝组成的阳极。当阴阳极间距为２０～２２ｍｍ，Ｍａｒｘ发生器电压１．１～１．２ＭＶ时，二极管峰值电压为６２０～６７０ｋＶ，峰值电流１５０～１７０ｋＡ，电子束总能量大于８ＫＪ，使电子束泵浦ＫｒＦ激光器最大输出能量达１０６Ｊ。     

电子束泵浦KrF激光放大器增益与吸收的测量

为研制百焦耳级ＫｒＦ激光放大器，发展ＭＯＰＡ系统，我们用自探测法在百焦耳级电子束泵浦ＫｒＦ激光装置上进行了激光放大器的增益与吸收的测量。泵浦率约为０．６７ＭＷ／ｃｍ￣２，激光介质为８９．６％Ａｒ：１０％Ｋｒ：０．４％Ｆ＿２的混合气体，总气压０．２５ＭＰａ，实验测得激光放大器的小信号增益系数ｇ＿０＝６．６％ｃｍ￣（－１）、非饱和吸收系数α＿ｎ＝０．９３％ｃｍ￣（－１）、饱和光强Ｉ＿ｓ＝２．５ＭＷ／ｃｍ￣２。     

电子束泵浦KrF激光放大器增益与吸收的测量

为研制百焦耳级ＫｒＦ激光放大器，发展ＭＯＰＡ系统，我们用自探测法在百焦耳级电子束泵浦ＫｒＦ激光装置上进行了激光放大器的增益与吸收的测量。泵浦率约为０．６７ＭＷ／ｃｍ￣２，激光介质为８９．６％Ａｒ：１０％Ｋｒ：０．４％Ｆ＿２的混合气体，总气压０．２５ＭＰａ，实验测得激光放大器的小信号增益系数ｇ＿０＝６．６％ｃｍ￣（－１）、非饱和吸收系数α＿ｎ＝０．９３％ｃｍ￣（－１）、饱和光强Ｉ＿ｓ＝２．５ＭＷ／ｃｍ￣２。     

钒氧化物薄膜的拉曼散射

用射频磁控溅射以纯金属钒做靶材在氩氧混合气体中制备了钒氧化物 (VO2 (B)、V6O1 3、V2 O5)薄膜。报导了钒氧化物薄膜的拉曼光谱 ,结合这些钒氧化物不同的结构特点 ,对它们的拉曼光谱进行了分类讨论     

含铅空位PbWO4晶体光学性质的模拟计算

为了研究钨酸铅晶体中铅空位对光学性质的影响,利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对含铅空位的PbWO4(PWO)晶体进行结构优化处理。计算了含铅空位的PWO晶体的电子结构、复数折射率、介电函数及吸收光谱,并与完整的PWO晶体进行了比较。结果表明：完整的PWO晶体在可见和近紫外区域内无吸收,而含铅空位的PWO晶体在可见和近紫外区域出现2个明显的吸收峰,这2个吸收峰可分解成4个高斯线型的吸收带,它们的峰值分别为350nm、405nm、550nm和670nm。可以得出这样的推论：PWO晶体中350nm、420nm、550nm和670nm吸收带的出现都与铅空位的存在有关。     

三种不同的钒氧簇合物的合成和光谱研究

利用水热法合成了三种钒氧簇合物：[{Ni(phen)₂}₂V₄O₁₂]H₂O (Ⅰ),[N(CH₂CH₂)₃NH]Na(H₂O)₆{K₄(H₂O)₄ [V₁₀O₂₈]}(H₂O)₄ (Ⅱ)和[(CH₃)₄N]₆[V₁₅O₃₆Cl] (Ⅲ)。通过用FTIR, UV-Vis DRS和荧光光谱研究了它们的结构和性能的关系。FTIR研究表明,化合物的相关基团的特征振动吸收峰和其结构相关。化合物Ⅰ的固体紫外漫反射光谱在200, 230, 260和350 nm出现四个宽峰,分别对应O_t→V, O_μ→Ni,O_μ→V荷移和phen的π-π*跃迁。文章还对这三个钒氧簇合物的荧光光谱进行了研究。最后,应用Gaussian98的量子化学计算,说明化合物Ⅰ的结构特点。     

PbWO4晶体中铅空位相关的色心模型

使用密度泛函缀加平面波法，按照能量最低原理采用共轭梯度方法对几种含铅空位和不含铅 空位的钨酸铅晶体进行结构优化处理，计算了铅空位周围晶格的弛豫，得到铅空位周围的晶 格结构，同时对计算结果进行了讨论；在得到几何优化结构的基础上，利用相对论性密度泛 函离散变分法进一步计算了几种钨酸铅晶体结构的电子态密度.计算结果表明：1）铅空位周 围的晶格驰豫的结果使铅空位的局部电负性减弱.2）Pb 6s态的能级位于离价带顶10eV左右 ，说明Pb 6s态上的电子很难再失去，所以在钨酸铅中不太可能存在Pb3+或Pb4+ .3）价带顶主要由O的2p态占居，氧的2p态最容易失去电子.4）铅空位周围的可能形成的 色心是VF- VK+缔合色心. 关键词： 铅空位 PbWO4晶体 结构优化 电子结构 色心     

Synthesis and characterization of V3O7⋅H2O nanobelts

V ₃O₇?H₂O nanobelts were prepared by a hydrothermal method at 190 ^°C using V ₂O₅?nH₂O gel and H₂C₂O₄?2H₂O as starting agents. The nanobelts obtained have diameters ranging from 40 to 70 nm with lengths of up to several micrometers. Their morphology and structure have been characterized by XRD, SEM, TEM and IR spectroscopy. The effect of the annealing temperature on the morphology of the resulting product has been investigated. XRD and SEM showed that thermal annealing of the V ₃O₇?H₂O sample in air led to the collapse of the V ₃O₇?H₂O nanobelt structure and the convert into V ₂O₅ nanobelts. For the first time V ₂O₅ nanobelts with an ultrahigh aspect-ratio have been obtained in air. Furthermore, electrical conductivity and static magnetic susceptibility measurements have been carried out.     

High-spin states of 125Sb: Particle-core excitation coupling

Excited states of 125Sb have been studied using in-beam γspectroscopy techniques via the 124Sn(7Li, α2n) reaction at a beam energy of 32 MeV. A high-spin level scheme including 21 new γ-transitions and 14 new excited states have been established. Three isomers have been identified at 1970, 2110 and 2471 keV and the ranges of their half-lives have been estimated from the delayed coincidence data. The level structure of 125Sb is discussed in terms of particle-core excitation coupling. With the help of empirical shell model calculations the three isomers are proposed to have three-quasiparticle πg7/2(*)V(h11/2s1/2)5-,πg7/2(*)V(h11/2d3/2)7-and πg7/2(*)V(h211/2)10+configurations, respectively.     

Contemplating charge transport by modeling of DNA nucleobases based nano structures

Electrical charge transport through two basic strands Thymine and Adenine of DNA has been analyzed using jellium model approach. The FFT-2D computations have been performed for semi empirical Extended Huckel Theory using Atomistix Tool kit to contemplate the charge transport metrics like current and conductance. We have scrutinized the behavior of the devices in the range of -2 V–2 V for a step size of 0.2 V. A prominent observation is the drop in HLGs of Adenine and Thymine, when working as device as compared to their intrinsic values and this is comparative more visible in case of Adenine. The current in the thymine based device exhibit linear increase with voltage in spite of having low conductance. Further the broader transmission peaks represent the strong coupling of electrodes to the scattering molecule (Thymine). The NDR effect of Adenine based device for higher bias can be utilized in various future electronics applications.     

Solid-state 27Al MRI and NMR thermometry for catalytic applications with conventional (liquids) MRI instrumentation and techniques

Multidimensional images of Al2O3 pellets, cordierite monolith, glass tube, polycrystalline V2O5 and other materials have been detected by 27Al, 51V, and 23Na NMR imaging using techniques and instrumentation conventionally employed for imaging of liquids. These results demonstrate that, contrary to the widely accepted opinion, imaging of "rigid" solids does not necessarily require utilization of solid state NMR imaging approaches, pulse sequences and hardware even for quadrupolar nuclei which exhibit line widths in excess of 100 kHz, such as 51V in polycrystalline V2O5. It is further demonstrated that both 27Al NMR signal intensity and spin-lattice relaxation time decrease with increasing temperature and thus can potentially serve as temperature sensitive parameters for spatially resolved NMR thermometry.     

Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响

采用第一性原理局域密度近似法计算了V₂O₅的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V₂O₅是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V₂O₅导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V₂O₅的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。