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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
殷飞  郭文康 《光学学报》1996,16(8):187-1190
研制了一种用于托卡马克等离子体可见光谱线测量的半导体光敏二极管探测器,这种探测器具有体积小,造价低,使用方便等优点,它具有很高的量子效率,理想的线性区,宽的频率范围和低的噪声,完全能够满足托卡马克诊断中对等离子体可见微弱谱线的测量。  相似文献   

2.
光电耦合器是一种光电结合的器件,它由两部分组成:输入端由发光器件组成;输出端由光接收器件组成.目前国内外的光电耦合器输入端大都使用发光二极管——砷化镓发光二极管,输出端大都使用硅光电二极管或硅光敏三极管,结构见图1.  相似文献   

3.
陈卫华  崔德立 《物理实验》1997,17(6):286-287
光敏电阻在光的照射下阻值急剧下降,这一特性在实际生活中具有广泛的应用.为适应教学的需要,我们设计并制作了“光控门”演示教具,用拟车库的大门是如何在车灯光照射的控制下完成开启和关闭.通过红、绿灯的亮灭显示门的开关状态.一、出具特点1.能把光敏电阻特性显示清楚.即在一定电压下,当有光照射时光敏电阻值变小,电路电流增大;反之光敏电阻值增大,电流减小.2.由于采用三极管电流放大的作用,进一步提高了学生对三极管的应用知识.3.通过构造比较简单的干簧管继电器的讲解、观察,学生了解和掌握利用光敏电阻特性来控制电…  相似文献   

4.
n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应   总被引:1,自引:1,他引:0  
刘畅  王鸥  袁菁  钟志亲  龚敏 《光散射学报》2005,17(2):159-163
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。  相似文献   

5.
实验系统由输入设备(光敏三极管等)、控制设备(单片机)和输出执行设备(舵机)构成。分布在180度方向范围内的多个光敏三极管接收不同角度的光线强度,转换为电信号。单片机将该电信号与输入的控制脉冲信号进行比对,产生纠正脉冲信号,并驱动电机反向或正向转动,使得太阳板时刻与光线垂直,提高了太阳板光电转换效率。  相似文献   

6.
在研制硅光敏器件的十多年中,我们注意到两点:一是硅光敏器件的成品率不够高;二是无法用它们探测微弱的光,即它们的信噪比较小.这两点是由同一原因引起的,那就是它们的暗电流偏大. 结型光敏器件的原理是基于描述p-n结光电特性的位移近似公式[1]:式中IL 为输出的信号电流,I.c为p-n结的短路电流,Ic是p-n结的反向饱和电流,V为加在p-n结上的电压(光生电压或外加的电压),q为电量,k为玻耳兹曼常数,T为温度.光敏二极管(用于光伏效应器件时除外)、光敏三极管和达林顿光敏管都是使接受入射光的p-n结(以下简称为受光p-n结)处于反向偏压下工作,即V《…  相似文献   

7.
高功率脉冲离子束的产生   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
分析了高功率二极管中的双向流以及提高离子流产生效率的反射三极管、磁绝缘二极管和箍缩二极管工作原理,概述了高功率脉冲离子束研究进展及发展方向。  相似文献   

8.
光电耦合器的反应堆中子辐射效应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。  相似文献   

9.
高功率脉冲离子束的产生   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
 分析了高功率二极管中的双向流以及提高离子流产生效率的反射三极管、磁绝缘二极管和箍缩二极管工作原理,概述了高功率脉冲离子束研究进展及发展方向。  相似文献   

10.
采用聚合物共混的方法制备了体异质结薄膜,将其作为光敏半导体层制备了有机场效应光晶体管.利用原子力显微镜表征了共混薄膜的分相情况,探究了器件提高激子解离效率的机理,并对比了聚合物共混前后有机场效应晶体管的光电性能变化和相分离情况.结果表明:制备的聚合物共混光晶体管在微弱光线条件下(0.038 mW/cm2,808 nm)具有较高的光敏性(为106).通过共混聚合物半导体材料制备体异质结薄膜可以有效地提高激子解离的效率,通过双层绝缘层能进一步降低光晶体管的暗电流,从而提高器件的光敏性.  相似文献   

11.
利用侧边抛磨光纤(SPF)传感器抛磨区对外界折射率敏感的特性,研究了混合有偶氮苯(AZO)和手征材料(ZLI811)的液晶混合物薄膜在紫外光照射下产生的光折变效应.将液晶、AZO 和 ZLI811 等 3 种材料的混合物涂覆在经过标定的 SPF 传感器的抛磨区上,制备成混合物薄膜.用 UV 光照射光敏薄膜导致 SPF 中传输光功率改变.实验表明:混合物薄膜在 UV 光照射下有光敏特性,会产生折射率变化,其折射率从1.474 变到1.470.这表明此光敏薄膜材料是负光折变材料.这种光敏薄膜材料可应用于制作新型全光纤光控器件和传感器.  相似文献   

12.
 目前许多搞精细钢丝生产的企业,为了更好地解决生产过程中由于钢丝直径不均匀而造成产品不合格的问题,在工业生产中引入了实时CCD尺寸检测技术。CCD用于尺寸测量的技术是非常有效的非接触检测技术,各种线阵CCD均可以用于尺寸的测量。其基本结构包括光敏元阵列、存储栅、转移栅及模拟移位寄存器。比较典型的是二相线阵CCD,它由若干个pn结光电二极管构成光敏元阵列,每个光敏单元的尺寸如长、高及相邻光敏元中心距(均是微米量级)依型号的不同而不同。  相似文献   

13.
在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法制备SiC薄膜过程中,研究不同的N掺杂下制备样品的光敏特性.对薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明,薄膜的制备工艺参量对其光敏特性有较大影响;较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致;在合适条件下制备的薄膜对不同波长的光有较好的敏感特性.可以看出,SiC薄膜在研究高温光敏器件领域具有很好的应用前景.  相似文献   

14.
研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关。研制了基于射频金属-氧化物半导体场效应管的激光二极管驱动电路,可以为激光二极管提供上升沿、半高宽和峰值电流分别为4 ns,20 ns和130 A的脉冲驱动电流。研究了激光二极管输出的激光脉冲波形、能量、功率、光场分布等特性,并在Blumlein传输线结构中,研究了该大功率激光脉冲二极管的输出特性对工作于高增益模式下的光导开关的导通电阻、开关抖动等主要导通性能参数的影响规律。实验结果表明,激光脉冲的能量和功率越大,光斑面积越大、分布越均匀,在相同偏置电压条件下,光导开关的导通性能越好。  相似文献   

15.
光敏树脂固化机理研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
范华良  曹向群 《光子学报》1994,23(2):168-173
本文探讨了高新技术──快速成型技术中关键材料:光敏树脂的光固化机理。着重分析了光敏预聚物和光敏引发剂的光交联固化机理,并对光固化过程进行了讨论。  相似文献   

16.
应用半导体制成的二极、三极管,一般叫做半导体成晶体二极管和三极管。目前,它们在无线电技术中,已经获得了广泛的应用。除了作为整流器、检波器、调制器、振盪器和高低频放大器等使用外,也应用在其他各种特殊电路如电子计算机、自动控制以及电子仪器中。  相似文献   

17.
LP—1激光功率计原理及其在物理实验中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
吕斯骅  杨澄清 《物理实验》1989,9(5):230-232,198
在光学实验中有很多需要测量光强的实验,如光度测量、光学成象系统的照度、菲涅耳衍射的光强分布、偏振光的研究、迈克尔逊干涉仪测量光源的相干长度、菲涅耳公式的研究等。常用的测光元件有光敏电阻、硒光电池、硅光电二极管和光电倍增管。光敏电阻的线性较差,仅在弱光和小范围(如一个数量级)内光电导和照度之间可作线性  相似文献   

18.
“J—646”光敏胶具有透光率好,收缩率小,粘接强度适中,耐老化,毒性小和成本低廉等特点。本文简要介绍了该胶的胶合工艺。  相似文献   

19.
 选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。  相似文献   

20.
在小型太阳能光伏-热伏发电系统中,为了提高其发电效率,通常会辅以自动追光系统。针对现有的基于多光电二极管的自动追光系统结构复杂等问题,提出了一种基于光敏电阻的自适应追光系统。为了实现发电板对光源的追踪,采用了基于负反馈的自适应追光原理,通过软件设计控制追光精度,同时增加了系统位置消抖控制。在硬件方面,采用光敏电阻感应光强,借助AD转换电路和舵机,以驱动太阳能光伏-热伏发电板转动直至发电板平面垂直于太阳光;优化设计了光敏电阻与板面的夹角大小以调整追光的区域及误差。最后完成了整体装置的机械结构设计和电路图设计及仿真,结果表明,与现有的多光电二极管追光系统相比,所设计的追光系统机械装置部分的设计更加简单,便于实现,同时通过优化设计改善了追光的稳定性。  相似文献   

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