Al-Zn-Mg-Cu-Li合金时效过程微结构演化的小角x射线散射研究

应用小角x射线散射技术分析了Al-Zn-Mg-Cu-Li合金在130，150和160℃温度时效24 h析出粒子的微结构参数的变化情况. 粒子的半径随着时效温度的增高而增加，它的比内表面积和体积百分数随着时效温度的增高而减小. 对Porod曲线q³J(q)-q²的分析表明,析出粒子与基体之间有明显的界面. 关键词： 小角x射线散射 Al-Zn-Mg-Cu-Li合金 时效 析出粒子     

小角x射线散射结晶聚合物过渡层厚度的测定

由于结晶聚合物中的过渡层是弥散的，而修正的Porod定律是解决这种问题的有效方法之一. 把相关函数法和Porod定律法求结晶聚合物的过渡层厚度进行了比较，它们的计算结果是一致的. 关键词： 小角x射线散射 结晶聚合物 过渡层厚度 相关函数法 Porod定律     

用原位x射线小角散射研究块体非晶合金Zr55Cu30Al10 Ni5的结构弛豫

应用同步辐射x射线小角散射法在原位对块体非晶合金Zr₅₅Cu₃₀Al ₁₀Ni₅在等温退火过程中的微结构变化进行研究.实验表明：在等温退火过程中电子 密度涨落反映了晶化之前的结构弛豫过程；在一定的退火温度下、随退火时间的增加，拓扑短程序弛豫与化学短程序弛豫之间存在一个电子密度均匀化的过程；导致这两种弛豫过程转变的退火时间与退火温度有关，温度越高，所需的退火时间越短. 关键词： 原位x射线小角散射 块体非晶合金 等温退火 结构弛豫     

高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究

采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜.其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征.结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χ_c随氢稀释度的提高而增加.而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少.小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加.结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态.认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH₂ 关键词：     

回火金属玻璃小角X射线散射强度的背底校正

提出校正回火金属玻璃（非晶合金）小角ｘ射线散射强度的背底误差的方法：将淬火态非晶合金的小角Ｘ射线散射强度作为在相同的实验条件下得到的回火非晶合金小角Ｘ射线散射强度的背底而予以扣除。并将这样扣除背底和用通常方法扣除背底得到的结果相比较，由前者得到的散射强度遵从Ｐｏｒｏｄ律，并进而得到Ｐｏｒｏｄ常数Ｋ_p＝４．６×１０^-2（ｎｍ^-3），积分不变量Q_s＝１．６３（ｎｍ^-2），比内表面Ｓ_p＝８４ｍ²／ｃｍ³，Ｐｏｒｏｄ半径Ｒ_p＝４．４ｎｍ用通常方法扣除背底后的散射强度不满足Ｐｏｒｏｄ规律。 关键词：     

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构

采用x射线小角散射（SAXS）技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积（rf-PECVD）、 热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅（ μc-Si:H）薄膜的微结构.实验发现，在相同晶态比的情况下，PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微 空洞体积比小，结构较致密，HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大，结构较为疏松，PE -HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜，由于等离子体的敲打作用，与HWCVD样品相比，微结构得到明 显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜，实验表明，微结 构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示，不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空 洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果. 关键词： 微晶硅薄膜 微结构 微空洞 x射线小角散射     

Cu60Zr30Ti10非晶合金弛豫和晶化过程的小角X射线散射研究

应用小角X射线散射技术研究了Cu₆₀Zr₃₀Ti₁₀非晶合金从300到813 K之间微结构的演化情况.发现在淬火状态下Cu₆₀Zr₃₀Ti₁₀非晶合金中存在直径30 nm左右的富Cu区.非晶的结构弛豫包括573 K之前的低温结构弛豫和573 K到玻璃转变温度的高温结构弛豫，弛豫的结果是产生含有有序原子团簇的富Cu区，这些有序原子团簇的富Cu区是随后晶化过程中晶核产生的基础.Porod曲线分析表明，晶化生成的纳米体心立方CuZr相和基体之间有明锐的界面. 关键词： 小角X射线散射 非晶合金 结构弛豫 晶化     

用原位x射线小角散射研究块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5的结构弛豫

应用同步辐射x射线小角散射法在原位对块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5在等温退火过程中的微结构变化进行研究.实验表明:在等温退火过程中电子密度涨落反映了晶化之前的结构弛豫过程;在一定的退火温度下、随退火时间的增加,拓扑短程序弛豫与化学短程序弛豫之间存在一个电子密度均匀化的过程;导致这两种弛豫过程转变的退火时间与退火温度有关,温度越高,所需的退火时间越短.     

小角X射线散射法测定溶胶平均界面厚度

溶胶界面层厚度通常是用Porod法对高角区负偏离的Porod曲线进行拟合求算,但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均半径之差而获得平均界面厚度.应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度 关键词： 小角X射线散射 溶胶 平均界面厚度     

铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间，是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上，通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散，实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明，外加电场，退火温度为400℃，退火时间为60min时，薄膜的晶化率大于60％；退火温度为450℃退火时间为30min时，薄膜已经呈现明显的晶化现象；退火温度为500℃退火时间为15min时，薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3—4倍. 关键词： 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 外加电场     

Effect of Hg addition on synthesis of Bi-based superconductors

We have investigated the effect of Hg addition on the superconducting properties of BiSrCaCuO system. Polycrystalline samples with nominal composition Bi₂Sr_2−xHg_xCa₁Cu₂O_y and Bi₂Sr_2−xHg_xCa₂Cu₃O_y (x=0.3) were synthesized and used to investigate the phase evolution by XRD, superconducting behaviour by R–T measurement and the structural grain boundary effects by SEM. From these measurements, it has been noticed that the phases obtained with both types of compositions are the same as Bi2212 but the T_c values are different. With additional annealing, T_{c zero} values were raised from 60 to 72 K in Bi₂Sr_2−xHg_xCa₁Cu₂O_y and 64 to 92 K in Bi₂Sr_2−xHg_xCa₂Cu₃O_y. Also, an improved grain boundary linkage has been observed by SEM for the 92 K sample.