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1.
热损伤奥克托金(HMX) 缺陷的X射线小角散射研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
闫冠云  田强  黄朝强  顾小敏  孙光爱  陈波  黄明  聂福德  柳义  李秀宏 《物理学报》2012,61(13):136101-136101
奥克托金(HMX) 在温度作用下, 会发生热膨胀、 相转变、 热分解等物理、 化学变化, 导致在材料内部产生大量缺陷, 进而会对其宏观性能造成明显影响. 为了深入了解热损伤HMX内部的缺陷演化, 本文采用X射线小角散射和原子力显微技术研究了热损伤HMX的内部缺陷. 结果发现HMX在180 °C相变过程中散射曲线有明显的变化, 颗粒内部生成了大量10nm左右的孔洞, 随着加载时间延长, 其尺寸增大到25nm, 数量明显降低. 当HMX在190 °C、 200 °C保温5h时, 由于HMX热分解内部有新缺陷生成, 小角散射发现其尺寸约为5至8nm, 随着加载温度升高, 其数量增加.  相似文献   
2.
The conformatiopn of polystyrene in the anti-solvent process of supercritical fluids(compressed CO2 polystyrene toluene)has been studied by small angle x-ray scattering with synchrotron radiation as an x-ray source.Coilto-globule transformation of the polystyrene chain was observed with the increase of the anti-solvent CO2 pressure;i.e.polystrene coiled at a prssure lower than the cloud point pressure(Pc)and turned into a globle with a uniform density at pressures higher than Pc.Fractal behaviour was also found in the chain contraction.and the mass fractal dimension increased with increasing CO2 pressure.  相似文献   
3.
溶胶界面层厚度通常是用Porod法对高角区负偏离的Porod曲线进行拟合求算,但本文研究表明还可通过分别测定Porod负偏离校正前后体系粒子的平均半径之差而获得平均界面厚度.应用上述方法测定了在不同制备条件下制备的二氧化硅溶胶的平均界面厚度 关键词: 小角X射线散射 溶胶 平均界面厚度  相似文献   
4.
应用同步辐射x射线小角散射法在原位对块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5在等温退火过程中的微结构变化进行研究.实验表明:在等温退火过程中电子密度涨落反映了晶化之前的结构弛豫过程;在一定的退火温度下、随退火时间的增加,拓扑短程序弛豫与化学短程序弛豫之间存在一个电子密度均匀化的过程;导致这两种弛豫过程转变的退火时间与退火温度有关,温度越高,所需的退火时间越短.  相似文献   
5.
用衰减法和水标样法测量多孔SiO2的小角X光散射绝对强度,并以此计算样品中的空隙体积分数关系。将所得结果与用氮气吸附法得到的结果进行比较,表明了用标样法得到的结果更加接近于氮气吸附法测量得到的结果,因而间接地表明了标样法要比衰减法测得的小角散射绝对强度更加可靠。文章进一步讨论了这两种方法的特点以及误差产生的原因。该实验结果和讨论将有助于进一步加深对这两种绝对强度测试方法的理解,并在实验中选择合适的测量方法。  相似文献   
6.
使用小角X射线散射(SAXS)技术对共缩聚法制备的羧基官能化SBA-15介孔分子筛进行了表征,利用相关函数理论和弦长分布理论获得了羧基化分子筛的孔结构、界面和周期性信息,辅以常规的氮气吸附-脱附测试,并将基于Barrett-Joyner-Halenda(BJH)模型计算的孔结构与弦长分布理论得到的结果进行比较.结果表明:除了羧基引入量高达50%(摩尔分数,相对无机硅源)的样品外,随着羧基引入量的增加所有羧基官能化SBA-15均能保持较高的有序结构且有序度变化不大.所有样品的Porod曲线均无明显偏离,羧基基团倾向于进入介孔的骨架结构而不仅仅是键合在表面的Si—OH上.利用弦长分布法,无需建立模型,可以得到独立的孔壁厚度分布和孔径分布,尤其是其它方法无法给出的孔壁厚度分布,对于进一步认识有序介观结构材料有很大帮助.  相似文献   
7.
<正>材料在日常生活中无处不在,一般包括金属、陶瓷、高分子材料(比如塑料)、半导体以及复合材料等,是人类赖以生存和发展的物质基础。材料往往由于其独特的微观结构,而导致外在宏观性能的大幅度提高。比如说,使电灯发光的钨丝、人类信  相似文献   
8.
小角X射线散射中porod正偏离的校正   总被引:2,自引:0,他引:2  
当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时,实测散射强度将形成对Porod定理的正偏离,从而使散射体的散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离的方法:作出In[q^3I(q)]~q^2曲线,用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线,求出斜率σ^2,作出In[q^3I(q)]-σ^2q^2~q^2曲线即为无偏离的Porod曲线,由此曲线再还原出无偏离的散射强度,即I'(q)=exp{In[q^3I(q)]-σ^2q^2}/q^3,再以醇热法合成的介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。  相似文献   
9.
块体非晶合金 Zr55Cu30Al10Ni5 结构弛豫的研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
应用同步辐射小角x射线散射和差示扫描量热分析对块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5结构弛豫进行了研究.实验结果表明:经340℃、不同时间退火后的非晶内部的电子密度涨落随退火时间的延长先增大而后减小;玻璃转变温度附近焓弛豫峰的表观激活能则随退火时间的延长先减小而后增大.结果反映了随退火时间的延长,块体非晶合金内部类液体区不断减少及类固体区不断增加的过程.  相似文献   
10.
柳义  柳林  王俊  赵辉  荣利霞  董宝中 《物理学报》2003,52(9):2219-2222
应用同步辐射x射线小角散射法在原位对块体非晶合金Zr55Cu30Al 10Ni5在等温退火过程中的微结构变化进行研究.实验表明:在等温退火过程中电子 密度涨落反映了晶化之前的结构弛豫过程;在一定的退火温度下、随退火时间的增加,拓扑短程序弛豫与化学短程序弛豫之间存在一个电子密度均匀化的过程;导致这两种弛豫过程转变的退火时间与退火温度有关,温度越高,所需的退火时间越短. 关键词: 原位x射线小角散射 块体非晶合金 等温退火 结构弛豫  相似文献   
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