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本文叙述了用偏振中子衍射方法对Fe83B17非晶合金和中子衍射方法对Ni64B36非晶合金的结构研究。由实验数据计算了每种合金的偏干涉函数(PSF)Sij(Q),和偏简约径向分布函数Gij(r)。并得到原子短程结构上的各项参数。在此基础上,讨论了这一类非晶态合金的结构模型,计算了其一种模型简单单元的中子衍射散射强度,并和实验所得的结果作了比较。
关键词: 相似文献
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由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.
关键词:
3Ti4O12陶瓷')" href="#">CaCu3Ti4O12陶瓷
模量
松弛过程
电导 相似文献
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利用量子空间可因式化F算子,在量子反散射的框架内计算出了可积开边界条件下XXX12自旋链模型的Bethe态的标量积和模,得到了用谱参量函数的行列式表达的开边界条件下的Gaudin公式.
关键词:
可积模型
关联函数
开边界 相似文献
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采用高温原位拉曼光谱技术,研究了Li2B4O7从常温至1 373 K温度范围内的拉曼光谱。在升温过程中,晶体的拉曼光谱出现展宽和红移现象,且强度降低。晶体熔化时,由2个[BO4]和2个[BO3]组成的[B4O9]环状结构转变成(B3O6)3- 六元环和[BO3]结构,[BO4]结构减少直至消失。基于密度泛函理论,计算了Li2B4O7晶体的拉曼光谱,对其振动模式进行了分析归属。利用量子化学从头计算法计算了由[B3O6-BO3]为基础相互连接形成的x(Li2B4O7)(x=2, 3, …, 9)的环状团簇模型的拉曼光谱,对Li2B4O7熔体的结构进行了模拟分析。计算结果表明Li2B4O7熔体的阴离子基元为三个(B3O6-BO3)组成的大三元环超级结构。 相似文献
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CaCu3Ti4O12介电损耗较大且损耗机理尚不明确, 因此限制了其应用.本文采用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12陶瓷, 利用宽带介电温谱研究在交流小信号作用下, 双Schottky势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程、 载流子松弛过程以及CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗性能. 研究发现, 在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主, 而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致, 特别是活化能为0.12 eV的深陷阱浓度, 这是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素.降低直流电导, 有利于降低低频区介电损耗; 而高频区介电损耗的降低, 需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸. 共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷, 有效降低直流电导及控制深陷阱浓度, 介电损耗降低明显.
关键词:
3Ti4O12陶瓷')" href="#">CaCu3Ti4O12陶瓷
介电损耗
松弛过程
Schottky势垒 相似文献
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具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu3Ti4O12陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃—1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的品粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tanδ最低达到0.04.认为CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51 eV.,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10 eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降. 相似文献
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通过室温下的中子衍射和磁性测量对多晶样品Nd0.5Sr0.4Pb0 .1MnO3 的结构和磁性进行了实验研究.中子衍射结果表明,该样品具有正交的钙钛矿结构,空间群 是Pnma,即结构发生了晶场畸变.由M-T和R-T曲线可知,居里温度TC=273 K ,其特征是随着温度的增加样品经历了从铁磁金属态转变到顺磁半导态,且转变温度T p=225 K;用锰氧化物晶场和双交换作用的竞争解
关键词:
结构
磁性
中子衍射
晶场畸变
p')" href="#">转变温度Tp
双交换作用 相似文献
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