核衰变产生的X射线和俄歇电子数据计算

核衰变过程中,内转换电子发射和电子俘获能在原子电子壳层内留下空穴.其他原子电子壳层的电子将填补这些空穴,其原子电子位置将重排,并发射X射线和俄歇电子.X射线和俄歇电子的能量由原子电子结合能计算得到,X射线和俄歇电子的强度分别由内转换电子发射和电子俘获在原子电子壳层内留下的空穴数,X射线荧光产额,和空穴转移系数计算得到.本文简要介绍核衰变产生的X射线和俄歇电子数据的计算方法、计算程序与工作流程,并以核衰变为例说明其具体应用和简要讨论与总结.     

X射线象增强器的原理、性能和评价(续) 第二部分:X射线光阴极及微通道电子倍增器

三、X 射线光阴极1.X 射线光阴极一般原理由 x 射线光电子物理学可知:当 x 射线光子与阴极材料中的原子相互作用时,一般会产生如下非弹性碰撞过程:(1)一次电子发射;(2)二次电子发射;(3)俄歇电子发射;(4)特征(线状)谱和连续谱 X 射线发射;(5)长波(紫外、可见光和红外)辐射;(6)电子/空穴对产生;(7)晶格振动     

拓扑反能带理论

<正>1拓扑能带理论能带理论是量子力学在固体材料中的一次伟大应用,催生了半导体和半导体激光等发明,促进了第三次工业革命。根据量子力学,我们知道原子中的电子只能处于离散的能级。如果原子之间的距离很远,那么电子被束缚在各自的原子核附近,原子系综存在大量的相互独立的简并能级。     

Co/Cu(111)薄膜生长和退火过程中的扩散

利用同步辐射角分辨光电子能谱和俄歇电子能谱研究了CoCu(111)分子束外延薄膜在生长和退火过程中的电子结构.实验发现:随着Co膜厚度的增加,Cu的sdz2杂化带能级位移相应增大,证实了界面间发生了互混;退火过程中存在表面扩散,而非通过界面的体扩散.并把这两种不同过程的扩散的内在动力归结为Co的表面自由能显著大于Cu的表面自由能 关键词： 表面扩散和界面混合物形成 固体表面能 表面态和能带结构     

TeSeIn相变记录薄膜的微观特性研究

TeSeIn是一种可逆光存贮介质.分别用单源热蒸发和磁控溅射制备TeSeIn膜.利用透射电镜(TEM)研究了膜的结构和微观形貌.利用俄歇剖面技术(AES-PRO)给出了膜的组分深度剖面,分析了TeSeIn记录介质膜与ZnS保护膜界面间的互扩散大小.利用X光电子能谱(XPS)分析了组元深能级结合能的化学位移.最后根据上面实验结果简要讨论了制备稳定的多元记录介质膜的方法.     

锁相放大器──一种检测微弱信号的手段

一、实验物理中的有力工具 随着科研和生产的发展,越来越需要测量微弱的信号,恢复及记录其变化.特别是各种物理量的精细结构以及在临界点附近的异常现象,往往引起人们的关心.这些情况下的被测信号常常是深埋在噪声中的微弱信号.例如俄歇谱仪是用来进行表面分析的一种新型分析仪器,它可以鉴定厚度仅几个到等效于几分之一个分子层或5—100A的固体表面.但是由于俄歇电子发射是一个二次效应,俄歇峰处于非弹性散射电子的背景中,虽然1925年即已发现了这个效应,可是直到1968年工作进展甚微.用锁相放大器成功地解决了深埋在噪声中的俄歇峰的检出.又…     

金属脆性的俄歇分析

研究金属的脆性,防止金属材料的脆断,是一个十分重要的课题.近年来。随着俄歇电子谱仪等表面分析仪器的发展和应用,人们对金属的脆性,特别是晶间脆性有了更深入的了解.利用俄歇谱仪等表面分析仪器,研究元素在金属晶界上的析聚以及由此而引起的变脆现象,已经成为表面科学研究的一个重要内容. 晶间断裂是金属脆性断裂的一种特殊形式,也是常用的金属结构材料发生脆断的一种主要形式.要了解金属产生晶间断裂的原因,就要对材料的断口进行直接观测.人们曾广泛使用扫描电子显微镜、选区电子衍射、电子探针等手段,来确认晶界析出物的形貌、晶体结构…     

石墨炉原子吸收分光光度法中钼的原子化机理

平台技术与X光衍射,扫描电镜,X光能量色散以及俄歇电子能谱相结合应用于石墨炉原子吸收法中钼的原子化机理的研究。已发现,钼的氧化物(MoO_2,MoO_3,Mo_4O_(11))和Mo,MoC以及Mo_2C在预原子化阶段以凝聚相凝结在热解石墨及电解石墨表面上。     

HL—1装置刮离层的金属杂质分布

HL-1装置运行期间,石墨收集探针收集了刮离层中的金属杂质沉积;利用俄歇电子谱仪(AES)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了探针表面层的金属杂质组份分布及深度分布。给出了HL-1装置放电期间刮离层中总的金属重杂质流通量为5.3×10~(13)cm~(-2)·s~(-1)。     

双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响

研究了脉冲激光激发下半导体量子点激子Rabi振荡中多能级过程引起的退相干特性.运用多能级粒子数运动方程组，分别计算和分析了三种多能级过程(双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获过程)对量子点中Rabi振荡衰减的影响.分析表明，双激子的影响在激发脉冲的脉宽较长时(>5ps)可以忽略；浸润层的泄漏虽然使得激子基态上粒子数振荡的振幅随着激发场的增强而减小，但是同时也导致了振荡平均值的减小；分析和讨论了两种俄歇俘获方式对激子振荡和复合发光的影响. 关键词： Rabi振荡 半导体量子点 退相干 俄歇俘获     

扫描电子显微镜发展动态

扫描电子显微镜(简称扫描电镜)是近十余年朱迅速发展起来的一种大型精密电子光学仪器.它具有以下特点:(1)分辨本领高、景深长、成象富有立体感、试样制备简单;(2)和X光微区分忻仪、俄歇电子谱仪、电子能量损失谱仪、二次离子质谱仪以及通道电子衍射技术等相结合,可以在观察微区形貌的同时,逐点分析试样的化学成份及结构;(3)可用于观察半导体器件的工作状态,检查其失灵原因;(4)可用于研究材料的阴极发光性质,等等.因此它的应用范围日益广泛.自1965年末扫描电子显微镜开始有商品以来,到1973年的短短七、八年内,据不完全统计,全世界已有2500台…     

多层膜软X光反射镜的研制

本文介绍了镍-碳多层膜软X光反射镜的设计与制造方法,特别是膜厚监控法.用俄歇谱仪分析了一个样品的剖面情况;对一些样品在1.54(?)的衍射特性和在软X光区的反射率进行了测量并与理论计算结果作了比较.     

俄歇电子谱及莫应用

1925年俄歇(M·P.Auger)研究威尔逊云室中被x射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象.这两条径迹从同一处出发.其中一条是被x射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的x射线能量的增加而拉长.另一条径迹的长度却并不随着照射的X射线的能量变化而变化,仅同被照射的原子的种类有关.俄歇对后者作了正确的解释,认为它是由一个外壳层电子填补内壳层空穴释放出来的能量,激发外壳层另一个电子所引起的,后来称这种电子为俄歇电子.长期以来,这种物理现象未能找到应用.直到 1953年,兰德(J.J.Lander)[1]才首次提出…     

AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定

利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_1-xAs样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。 关键词：     

高温高密度等离子体和金属合金表面相互作用研究

本文介绍一台自行改装调试成功的9kJ高温高密度等离子体焦点装置(20kV,48μF)并利用它研究了金属铌、钼,Ni-Cr合金以及不锈钢等材料表面与等离子体的相互作用。借助于电子显微镜,俄歇电子能谱仪,X光衍射技术观测方法,获得了上述材料被焦点辐照瞬间的离子注入,单极电弧,溅射现象,Frenkel缺陷等重要物理过程的信息。对材料辐照损伤的机理作了初步讨论。     

固体表面态的一些实验研究

固体表面的许多现象对我们是非常重要的,比如多相催化,金属腐蚀,许多固体电子器件和生物系统中的一些现象都与固体表面的电子特性有密切关系.表面电子特性包括静态特性和动态特性.前者指表面原子的化学成份、几何排列和最外层价电子的能级结构(表面态等物理性质);后者指在外来条件(如光子、电子、原子、分子等)影响下,表面物理性质的变化.当然,静态特性和动态特性总是没有明显的分界线,这就给研究带来困难.但静态特性是表面固有的性质,相对来讲比较容易认识.许多近代的表面分析仪器都是基于静态特性制造的.又用它来观察动态特性.因此,只有深…     

稀土金属间化合物CeSn_3和CeIn_3的能带理论

本文报道了CeSn, 和Celn_3 的能带计算结果. 对其f 电子的行为, 以及f 电子与非f 原子的s, p , d 电子之间的杂化进行了讨论. 分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构. 关键词：     

用可调探测深度电子能量损失谱与俄歇电子能谱研究Pb/Ni(001)界面

本工作用可调探测深度电子能量损失谱(ELS)与俄歇电子能谱(AES)研究Pb在Ni(001)表面的生长过程。发现Pb是一层一层地在表面生长的,即按Franck-van der Merwe(F-M)模式生长。当Pb的覆盖度大于1单层(ML)时,Pb的6s能带对应的电子能量损失峰开始出现,当Pb的覆盖度为3ML时,Pb的体等离激元的损失峰已相当明显。在Pb的蒸镀过程及随后的整个退火过程中,Pb的体等离激元峰,6s能带峰和Ni的3p能带峰的峰位与峰宽均保持与纯金属相同的值,也没有出现新的体等离激元峰。由此说明P     

InSb(111)表面硫处理的研究

本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。 关键词：     

稀土金属间化合物CeSn3和CeIn3的能带理论

本文报道了CeSn₃和CeIn₃的能带计算结果。对其f电子的行为,以及f电子与非f原子的s,p,d电子之间的杂化进行了讨论。分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构。 关键词：