质子轰击Dy和Ho引起的L—亚壳层电离

用0.4-3.OMeV质子轰击Dy和Ho靶,测得L-亚壳层的x-线产生截面。利用亚壳层荧光产额和Coster-Kronig跃迁几率的理论值,得到2S_(1/2)、2P_(1/2)和2P_(3/2)亚壳层的电离截面。实验测得的电离截面以及它们的比值随入射质子能量变化的规律与ECPSSR理论预言值进行了比较。     

碳离子碰撞引起的金L壳层X射线产生截面的实验研究 （原子分子会议文稿）

实验测量了20-50MeV的C离子和Au原子碰撞中Au产生的L 壳层X射线,研究了Au的L各支壳层产生截面的比值σ（Ll）/σ(Lα) 、σ（Lβ）/σ(Lα)、σ（Lγ）/σ(Lα)和总截面的比值σ（Ltotal）/σ(Lα)并将其绘制成与入射离子能量的关系图。利用L壳层的辐射跃迁几率,Croster-Kroning跃迁率和L亚壳层的荧光产额将平面波波恩近似（PWBA）和ECSSR理论计算的电离截面转换为L层X射线产生截面,并与实验结果相比较,结果表明σ（Ll）/σ(Lα) 、σ（Lγ）/σ(Lα)和总截面的比值σ（Ltotal）/σ(Lα)与ECSSR理论预测结果吻合得比较好,σ（Lβ）/σ(Lα)比两种理论预测的值偏小。     

碳离子碰撞引起的金L壳层X射线产生截面的实验研究

实验测量了20～50 MeV的C离子和Au原子碰撞中Au产生的L壳层X射线,研究了Au的L各支壳层产生截面σ(L_l)、(L_α)、(L_β)、(L_γ)和总截面的比值σ(L_(total)与入射离子能量的关系.利用L壳层的辐射跃迁几率,Croster～Kroning跃迁率和L亚壳层的荧光产额将平面波波恩近似(PWBA)和ECSSR理论计算的电离截面转换为L层X射线产生截面,并与实验结果相比较,结果表明σ(L_l)、(L_α)、(L_γ)和总截面σ(L_(total))实验测量值随入射离子的变化趋与ECPSSR和PWBA所预测的结果一致,ECSSR理论值更接近我们的实测测量值,但是数值大于实验测量结果.     

能量为0.2—1.2MeV质子轰击Tb,Er和Lu引起的L亚壳电离

本文以能量为0.2—1.2MeV质子轰击稀土元素Tb,Er和Lu的薄靶,测得L亚壳层电离截面及其比值,将其与ECPSSR理论值进行了比较,实验结果与理论符合得较好。 关键词：     

铝、钛和镍在250—430Kev质子轰击下产生的K壳层特征X射线

我们研究了厚靶铝、钛和镍在250到430Kev的质子轰击下产生的K壳层的特征X射线。用Si(L)探测器测量了厚靶的产额,得到了K壳层X射线的产生截面,相应壳层的电离截面,并与半经典近似的理论予言值作了比较。     

锂原子光电离过程中的弛豫效应

利用基于多组态Dirac-Fock方法的程序包GRASP92和RATIP以及在此基础上最新发展的RERR06程序,计算了锂原子1s²nl(n=2,3; l=s, p) 的内壳层和外壳层的光电离截面. 计算中详细考虑了光电离过程中的弛豫效应. 结果表明：在锂原子内壳层电子的光电离过程中弛豫效应较强,而在外壳层电子的光电离过程中弛豫效应较弱. 另外,相应于不同态的内壳层光电离过程,其弛豫效应的影响也不同,对激发态的影响比对基态的影响大,对高激发态 关键词： 多组态Dirac-Fock方法 光电离截面 弛豫效应     

H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

测量了50–250 keV H⁺和1.0–3.0 MeV Ar¹¹⁺ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar¹¹⁺入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar¹¹⁺的实验结果符合较好. 关键词： X射线 高电荷态重离子 多电离     

9—28keV电子引起的Cu的K壳层电子电离截面

用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。     

Al~(10+)的电子碰撞电离及有关过程

用扭曲波方法计算Al~(10+)基态在Is~22s的Is,2s电子和第一激发态Is~22p的2p电子的电离截面以及基态的总电离截面(包括内壳层激发自电离).入射电子能量(?)(即(?)以2s电离能I_(2s)为单位)为1.05,1.125,l.25,1.5,2.25,4……同时计算出了电离阈值以下的激发截面(乘以所谓态密度),实现了在电离阈值处与阈值以上电离能量微分截面光滑联接;计算了光电离截面积分值,实现了在入射电子能量趋于无穷时与电子碰撞电离截面衔接.计算结果与其他方法进行了比较. 关键词：     

9—46keV电子引起的Ni的K壳层电离截面

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９—４６ＫｃＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。     

Nb,Ag原子的K壳层和L壳层电离截面的理论计算

电子离子碰撞电离截面是模拟激光等离子体的超热电子的能谱和产额的主要过程之一.基于相对论性的电子离子碰撞的K壳层电离截面理论,计算了Nb、Ag的K壳层和L壳层电子碰撞电离截面,结果和最近的文献实验数值和其它理论数值进行了比较,计算结果比其它模型更加准确,与最近的实验结果也吻合较好,该结果可用来模拟激光等离子体的超热电子能谱和产额.     

高能脉冲C~(6+)离子束激发Ni靶的K壳层X射线

精确测量离子与原子碰撞引起的靶原子内壳层电离截面,对研究原子内壳层过程以及建立合适的理论模型具有重要的意义.现有的实验数据和理论模型大都集中在中低能区,高能区由于受到实验条件的限制,几乎没有相关实验数据的报道,哪种理论更适合描述高能重离子入射的靶原子内壳层电离截面,还需要进行深入的实验研究.采用电子冷却存储环提供能量分别为165,300,350,430 MeV/u的C~(6+)离子束轰击Ni靶,测量Ni的K壳层X射线.分析了实验中探测到的Ni的K_β和K_α射线强度比,发现入射粒子能量的变化对该强度比影响不明显.分别应用两体碰撞近似(BEA)、平面波玻恩近似(PWBA)和ECPSSR理论对Ni的K壳层X射线的产生截面进行理论计算,并将理论结果与实验结果进行比较.     

电子碰撞Ga,As, Pt,W和Au原子Lα X射线产生截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究了L壳层的相对论效应和离子效应对快电子碰撞电离Lα X射线产生截面的影响.通过在BELL模型中引入相对论效应和离子效应,基于相对论性的L壳层的电子碰撞电离截面的理论,计算了Ga,As,Pt,W和Au的L壳层电子碰撞电离截面,并将其转化成Lα X射线产生截面,计算结果表明考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的Lα X射线产生截面结果明显优于BELL的计算结果,并和最近的文献实验数值 关键词： 快电子 Lα射线')" href="#">Lα射线 电离截面 相对论效应     

类铍C III, N IV, O V离子的基态和亚稳态的直接单电离截面计算

本文使用相对论扭曲波近似计算了基态(1s22s2 1S)和亚稳态(2s2p 3P)的类铍C III, N IV和O V离子的电子碰撞直接单电离截面。计算中包括了基态的2s壳层和亚稳态的2s、2p壳层的直接单电离而没有包括1s子壳层。其结果与现有的理论和实验数据进行了比较,相对论扭曲波近似结果在外型和大小上都与近期的实验数据很一致,且与其他理论结果相比,在近阈和高能范围内与实验数据符合得更好。     

类铍C III, N IV, O V离子的基态和亚稳态的直接单电离截面计算

本文使用相对论扭曲波近似计算了基态(1s22s2 1S)和亚稳态(2s2p 3P)的类铍C III, N IV和O V离子的电子碰撞直接单电离截面。计算中包括了基态的2s壳层和亚稳态的2s、2p壳层的直接单电离而没有包括1s子壳层。其结果与现有的理论和实验数据进行了比较,相对论扭曲波近似结果在外型和大小上都与近期的实验数据很一致,且与其他理论结果相比,在近阈和高能范围内与实验数据符合得更好。     

氧离子轰击引起钽的L壳层X射线发射截面的研究

在北京原子能研究院串联加速器上,利用20—45 MeV的O⁵⁺轰击Ta靶,研究靶的L壳层X射线. 给出了Ta的L壳层各亚壳层Ll,Lα,Lβ和Lγ X射线发射截面的比值,并且与ECPSSR理论计算做了比较. 结果表明,在误差范围内比值σ(Ll)/σ(Lα)、σ(Lβ)/σ(Lα)和σ< 关键词： L壳层X射线')" href="#">L壳层X射线 发射截面 ECPSSR理论     

质子碰撞电离过程中程函近似效应的理论研究

分别利用连续扭曲波方法和初态程函近似-连续扭曲波方法对质子碰撞电离氖原子1s,2s,2p壳层后随电离电子能量变化的单重微分散射截面(SDCS)和二重微分散射截面(DDCS)及总截面进行了计算,所得结果与部分实验数据符合得很好.详细探讨了各壳层SDCS和DDCS的细致结构以及质子碰撞的电离机制.结果表明,对于氖原子2p壳层,随着入射质子能量的增加,SDCS的区域变长,幅度减小,在低能区以软电离为主;而DDCS出现的峰均迅速减小.此外,分析了初态程函近似对SDCS和DDCS的影响,发现该效应对截面的影响在低能入射时非常明显,随着入射能量的增大,这种影响逐渐减弱.     

类铍C Ⅲ,N Ⅳ,O Ⅴ离子的基态和亚稳态的直接单电离截面计算

本文使用相对论扭曲波近似计算了基态(1s2s21S)和亚稳态(2s2p3P)的类铍C Ⅲ,N Ⅳ和O Ⅴ离子的电子碰撞直接单电离截面.计算中包括了基态的2s壳层和亚稳态的2s、2p壳层的直接单电离而没有包括1s子壳层.其结果与现有的理论和实验数据进行了比较,相对论扭曲波近似结果在外型和大小上都与近期的实验数据很一致,且与其他理论结果相比,在近阑和高能范围内与实验数据符合得更好.     

重粒子碰撞过程在惯性约束核聚变诊断的作用

应用连续扭曲波程函初态近似方法(CDW-EIS)计算了入射粒子能量从30 keV到10 MeV α粒子与各价碳原子1s壳层的碰撞电离的总截面,进而得出在惯性约束核聚变(Inertial Controlled Fusion, 简称ICF)聚变条件下该反应的速率系数.同时利用Bethe公式,我们也计算了电子与各价碳原子1s壳层碰撞电离总截面及ICF环境下该反应的速率系数.通过比较α粒子及电子与碳原子碰撞K-壳层电离Kα信号贡献大小,探讨Kα信号利用诊断α粒子分布的可能性.     

应用ECPSSR理论研究重离子引起原子的内壳层电离

ECPSSR理论是解释离子-原子碰撞内壳层电离最成功的理论之一.我们用VISUAL FORTRAN编写了ECPSSR理论计算程序,修正了ISICS程序中的错误,本程序可以对各种入射离子与靶原子的组合进行计算,给出K,L,M的壳层及次壳层电离截面以及相应的X射线产生截面,并根据需要选择是否对入射离子运动进行相对论修正.采用所编写的程序计算了一些碰撞体系的电离截面和X射线产生截面,并与其他程序的计算结果和实验数据分别进行了比较.