质子引起Ta,Au和BiL—亚壳层电离

0.4—2.75Mev能量的质子轰击薄的Ta,Au和Bi的单元素靶。Si(Li)探测器测量L—壳x射线能谱。利用亚壳层荧光产额和Coster-Kronig跃迁率的理论值,得到2S_(1/2)2P_~(1/2)和2P_(3/2)亚壳层电离截面。测量的L—亚壳层电离截面和它们的比与ECPSSR理论预言值进行了比较。     

铝、钛和镍在250—430Kev质子轰击下产生的K壳层特征X射线

我们研究了厚靶铝、钛和镍在250到430Kev的质子轰击下产生的K壳层的特征X射线。用Si(L)探测器测量了厚靶的产额,得到了K壳层X射线的产生截面,相应壳层的电离截面,并与半经典近似的理论予言值作了比较。     

能量为0.2—1.2MeV质子轰击Tb,Er和Lu引起的L亚壳电离

本文以能量为0.2—1.2MeV质子轰击稀土元素Tb,Er和Lu的薄靶,测得L亚壳层电离截面及其比值,将其与ECPSSR理论值进行了比较,实验结果与理论符合得较好。 关键词：     

0.4—3.0Mev质子引起的Ta,Au和Bi的L壳X射线研究

以(?).4—3.0Mev质子轰击Ta,Au和Bi薄靶,测得其L—X射线产生截面.求出了比值L_α/L_(?),L_α/L_β和L_α/L(?).将得到的截面及L-X射线强度比与ECPSSR理论计算值作了比较.