大能量损失几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究

通过考虑末通道 中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氦原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响.     

质子碰撞电离过程中程函近似效应的理论研究

分别利用连续扭曲波方法和初态程函近似-连续扭曲波方法对质子碰撞电离氖原子1s,2s,2p壳层后随电离电子能量变化的单重微分散射截面(SDCS)和二重微分散射截面(DDCS)及总截面进行了计算,所得结果与部分实验数据符合得很好.详细探讨了各壳层SDCS和DDCS的细致结构以及质子碰撞的电离机制.结果表明,对于氖原子2p壳层,随着入射质子能量的增加,SDCS的区域变长,幅度减小,在低能区以软电离为主;而DDCS出现的峰均迅速减小.此外,分析了初态程函近似对SDCS和DDCS的影响,发现该效应对截面的影响在低能入射时非常明显,随着入射能量的增大,这种影响逐渐减弱.     

Na原子及类Na离子Fe15+价壳层光电离过程的理论研究

采用相对论多组态Dirac-Fock理论,计算了Na原子及类Na离子Fe15++基态的光电离截面.对Na原子,考虑相对论效应与弛豫效应,本文计算结果与前人计算结果和实验测量结果一致性较好.对Fe15+离子的最外价电子,相对论效应对其光电离过程产生主要影响,而轨道弛豫效应则可忽略不计;对中性Na原子则情况完全不同:轨道弛豫效应的影响非常显著,但其光电离截面对相对论效应仅有非常微弱的依赖.     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.     

150 eV电子入射电离He原子三重微分截面的动量转移依赖

用BBK模型和DS3C模型在入射能150 eV对氦原子截面依赖动量转移几何条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算, 把计算结果与实验测量结果进行了比较, 对截面的结构进行了分析, 并对该几何条件下的交换效应进行了系统的研究.     

大能量损失几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究

通过考虑末通道 中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氦原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响.     

超精细结构效应对辐射光谱圆极化特性的影响

在相对论多组态Dirac-Fock方法和密度矩阵理论的基础上,利用发展的全相对论扭曲波程序,系统研究了超精细结构效应对纵向极化电子碰撞激发过程以及退激发辐射光谱圆极化特性的影响.计算得到了类氦Sc~(19+)和~(205)Tl~(79+)离子1s~2 ~1S_0→1s2p ~3P_2超精细结构层次上M_F能级的碰撞强度,考察了辐射衰变过程中发出特征光子的极化特性,并分析了E1-M2量子干涉效应以及电子-电子间相互作用的相对论修正对退激发辐射光子圆极化度的影响.     

镁原子碰撞激发微分截面和Stokes参数的理论研究

基于相对论扭曲波理论方法,并利用新发展的处理极化电子碰撞激发的计算程序REIE06, 系统计算了中性镁原子基态3s^{2 1}S₀到激发态3s3p ¹P₁, 3s4p ¹P₁的电子碰撞激发微分截面和角关联(Stokes)参数,计算过程中系统地考虑了相对论效应、电子关联效应等. 部分计算结果与已有的实验和理论结果进行了比较,得到了较好的一致性.     

截面依赖动量转移条件下屏蔽效应的理论研究

利用BBK模型及修正方案, 对电子入射电离氦原子(e,2e)反应过程中截面依赖动量转移条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算, 把计算结果与实验测量结果进行比较, 分析了截面结构, 并研究了末通道屏蔽效应对三重微分截面所产生的影响.     

64.6 eV电子碰撞电离氦原子(e, 2e)反应的理论研究

利用BBK理论及其修正模型,计算了入射能64.6 eV、 不同枪角情况下,电子碰撞电离氦原子(e, 2e)反应的三重微分散射截面. 分析了曲线结构,对其内部碰撞机制进行了详细的研究和探讨.结果表明: 在非共面几何条件下,碰撞微分截面上所呈现出来的特征是由多种效应共同作用所决定的, 随着条件的不同而相互转化.且在垂直入射几何条件下,末通道存在着极强的动力学屏蔽.